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Optoisoladores (1738)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo | Calificante | Calificante |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP626-4 (Hitomk, F) | - |  | 8644 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP626 | AC, DC | 4 | Transistor | 16 Dipp | descascar | 264-TLP626-4 (hitomkf) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 55V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | TLP2761 (TP4, E | - | | 7022 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP2761 | AC, DC | 1 | 2.7V ~ 5.5V | 6-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP2761 (TP4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 10 Ma | 15mbd | 3ns, 3ns | 1.5V | 10 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||||
 | TLP168J (TPR, U, C, F) | - | | 1634 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP168 | Tu | 1 | Triac | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.4V | 20 Ma | 2500 VRMS | 600 V | 70 Ma | 600 µA (topos) | Si | 200V/µs | 3mera | - | |||||||||||||||||
| TLP733F (GB, M, F) | - | | 2930 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP733 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP733F (GBMF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (D4-GB-LF4, F | - | | 4214 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP732 (D4-GB-LF4F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP731 (GR, F) | - | | 7253 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731 (GRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP250H (LF5, F) | - | | 2930 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP250 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 10V ~ 30V | 8-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP250H (LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2 A | - | 50ns, 50ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 40kV/µs | 500ns, 500ns | |||||||||||||||||
 | TLP733 (D4-C172, F) | - | | 3338 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP733 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | TLP733 (D4-C172F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 4000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | TLP781F (D4-Y-LF7, F | - | | 9772 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-Y-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| TLP512 (LF1, F) | - | | 7502 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP512 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP512 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP160G (T5-TPL, U, F | - | | 6220 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP160G | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP160G (T5-TPLUFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP630 (TA, F) | - | | 4822 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP630 | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 264-TLP630 (TAF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| TLP781 (D4-Tels, F) | - | | 1749 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4-Telsf) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | TLP385 (GB, E | 0.5500 | | 4799 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP385 (GBE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||
| TLP127 (S410, F) | - | | 8567 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (S410F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||||||||
| TLP785 (BL, F | 0.2214 | | 6329 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (BLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
| TLP750 (D4-O, F) | - | | 8171 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP750 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP750 (D4 DE) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP250HF (D4-TP4, F) | - | | 6360 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP250 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 10V ~ 30V | 8-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP250HF (D4-TP4F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2 A | - | 50ns, 50ns | 1.57V | 5 mm | 3750vrms | 1/0 | 40kV/µs | 500ns, 500ns | |||||||||||||||||
 | TLP5772H (D4, E | 2.4700 | | 7403 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5772 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 10V ~ 30V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 56ns, 25ns | 1.65V | 8 MA | 5000 VRMS | 1/0 | 35kV/µs | 150ns, 150ns | |||||||||||||||||||
| TLP785 (YH-TP6, F | - | | 3725 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (YH-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| TLP718F (TP, F) | - | | 2931 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP718 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP718F (TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5Mbps | - | - | 3mera | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||
 | TLX9291A (GBTPL, F | 3.1500 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLX9291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 5 µs, 5 µs | 400mv | Automotor | AEC-Q101 | ||||||||||||||||
| TLP754 (D4-TP1, F) | - | | 1198 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 30V | 8-SMD | descascar | 264-TLP754 (D4-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||||||
| TLP759 (D4IM-F5, J, F | - | | 2025 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759 (D4IM-F5JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||||||||
| TLP759 (D4-TP4, J, F) | - | | 8421 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | 264-TLP759 (D4-TP4JF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||||||||
| TLP785F (Y-LF7, F | - | | 7022 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (Y-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| TLP620F-2 (D4, F) | - | | 9366 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | - | 2 | Transistor | 8 Dipp | - | 264-TLP620F-2 (D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | - | 55V | - | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | - | |||||||||||||||||||
| TLP2312 (V4-TPR, E | 1.7300 | | 7089 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2312 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.2V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 MA | 5Mbps | 2.2ns, 1.6ns | 1.53V | 8 MA | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||
| TLP785F (GRH, F | - | | 1176 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (GRHF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| TLP785 (Y, F | 0.2172 | | 3328 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (YF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv |
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