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Optoisoladores (1738)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP785 (YH-LF6, F | - |  | 4217 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (YH-LF6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||
 | TLP785F (F | - | | 9190 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||
| TLP127 (Taiko-TPL, F | - | | 8173 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (Taiko-Tplftr | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||
| TLP759F (D4MBIM, J, F | - | | 7448 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759F (D4MBIMJF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||
| TLP358F (D4, F) | - | | 4603 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP358 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 8 Dipp | descascar | 264-TLP358F (D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 6 A | - | 17ns, 17ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 500ns, 500ns | ||||||||
 | TLP2710 (D4, E | 1.6200 | | 1365 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP2710 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 Ma | 5mbd | 11ns, 13ns | 1.9V (Max) | 8 MA | 5000 VRMS | 1/0 | 25kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||
| TLP550 (Y, F) | - | | 7449 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP550 (YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP9104A (Toyogtl, F | - | | 3431 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9104A (TOYOGTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | TLP3906 (TPL, E | 1.9500 | | 42 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP3906 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 12 µA | - | 7V | 1.65V | 30 Ma | 3750vrms | - | - | 200 µs, 300 µs | - | |||||||
 | TLP2395 (TPL, E | - | | 6515 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2395 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 20V | 6-so, 5 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP2395 (TPLETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 Ma | 5Mbps | 15ns, 12ns | 1.5V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||
| TLP620F-2 (D4, F) | - | | 9366 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | - | 2 | Transistor | 8 Dipp | - | 264-TLP620F-2 (D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | - | 55V | - | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | - | |||||||||
| TLP785F (Y-LF7, F | - | | 7022 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (Y-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||
| TLP5772H (D4-TP, E | 2.4900 | | 6696 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5772 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 56ns, 25ns | 1.55V | 8 MA | 5000 VRMS | 1/0 | 35kV/µs | 150ns, 150ns | |||||||||
| TLP2312 (V4, E | 1.7100 | | 2802 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2312 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.2V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8 MA | 5Mbps | 2.2ns, 1.6ns | 1.53V | 8 MA | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||
| TLP759 (D4IM-F5, J, F | - | | 2025 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759 (D4IM-F5JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||
| TLP759 (D4-TP4, J, F) | - | | 8421 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | 264-TLP759 (D4-TP4JF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||
| TLP5702 (TP4, E | 1.5600 | | 7130 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5702 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||
| TLP108 (TPR, F) | - | | 9357 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 6-mfsop, 5 Plomo | descascar | 264-TLP108 (TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||
| TLP785F (BL, F | - | | 6029 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (BLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||
| TLP108 (DPW-TPL, F) | - | | 9586 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 6-mfsop, 5 Plomo | descascar | 264-TLP108 (DPW-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||
| TLP785 (D4GR-F6, F | - | | 7555 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (D4GR-F6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||
| TLPN137 (TP1, S) | - | | 5495 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLPN137 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLPN137 (TP1S) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP715 (D4, F) | - | | 5372 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP715 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP715 (D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.6V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||
| TLP785F (GRH, F | - | | 1176 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (GRHF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||
| TLP2367 (TPL, E | 0.9641 | | 4672 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2367 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP2367 (tple | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 Ma | 50mbd | 2ns, 1NS | 1.6V | 15 Ma | 3750vrms | 1/0 | 25kV/µs | 20ns, 20ns | ||||||
| TLP2312 (V4-TPR, E | 1.7300 | | 7089 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2312 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.2V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 MA | 5Mbps | 2.2ns, 1.6ns | 1.53V | 8 MA | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||
| TLP552 (MAT-TA, F) | - | | 6505 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP552 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP552 (MAT-TAF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP731 (D4-Gr-TP1, F | - | | 3010 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731 (D4-Gr-TP1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP750 (D4-TP4, F) | - | | 9240 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP750 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP750 (D4-TP4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP759F (D4IMT4, J, F | - | | 7748 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759F (D4IMT4JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - |
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