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Optoisoladores (1738)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max)
TLP5832(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832 (D4, E 2.8300
RFQ
 ECAD 1178 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 8-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 75 - 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
TLP759(IGM-TP5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (IGM-TP5, J, F -
RFQ
 ECAD 2062 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar 264-TLP759 (IGM-TP5JF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 25% @ 10mA 75% @ 10mA - -
TLP781(D4-BL-SD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-BL-SD, F) -
RFQ
 ECAD 9452 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4-BL-SDF) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP718F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F (D4, F) -
RFQ
 ECAD 2847 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP718F (D4F) EAR99 8541.49.8000 1 5Mbps - - - 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLP2768A(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768A (E 1.3600
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2768 Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 25 Ma 20mbd 30ns, 30ns 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP160J(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (TPL, U, C, F) -
RFQ
 ECAD 9471 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP160 - 1 (ilimitado) 264-TLP160J (TPLUCF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP731(D4GRL-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4GRL-LF2, F -
RFQ
 ECAD 7640 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP731 - 1 (ilimitado) 264-TLP731 (D4GRL-LF2F EAR99 8541.49.8000 50
TLP552 MRON,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 Mron, f) -
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP552 - 1 (ilimitado) 264-TLP552Mronf) EAR99 8541.49.8000 50
TLPN137(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137 (D4-TP1, F) 1.5600
RFQ
 ECAD 9597 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLPN137 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.49.8000 1.500 50 Ma 10mbd 12ns, 3ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV µs 75ns, 75ns
TLP2768F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F (TP, F) -
RFQ
 ECAD 3141 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP2768 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 2.7V ~ 5.5V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP2768F (TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 20mbd 30ns, 30ns 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP759F(D4-TP4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4-TP4, J, F -
RFQ
 ECAD 7833 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar 264-TLP759F (D4-TP4JF EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP2719(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719 (D4-LF4, E 1.7200
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie TLP2719 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 20V 6-SO descascar 1 (ilimitado) 264-TLP2719 (D4-LF4E EAR99 8541.49.8000 125 8 MA 1mbd - 1.6V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 800ns, 800ns
TLP759(D4-MBS3,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-MBS3, J, F -
RFQ
 ECAD 7467 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (D4-MBS3JF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP781F(D4YH-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4YH-LF7, F -
RFQ
 ECAD 4721 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4YH-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP620-4(MEIDEN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (Meiden, f) -
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP620 AC, DC 4 Transistor 16 Dipp descascar 264-TLP620-4 (Meidenf) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP715F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715F (D4, F) -
RFQ
 ECAD 8953 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP715F (D4F) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.6V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLP2531(TOSYK1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (Tosyk1, F) -
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 2 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP2531 (Tosyk1f) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 15V 1.65V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA - - -
TLP373(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP373 (MBS, F) -
RFQ
 ECAD 5292 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP373 - 1 (ilimitado) 264-TLP373 (MBSF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781(D4-GR-TC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-Gr-TC, F) -
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4-Gr-TCF) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP732(D4-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4-GB, F) -
RFQ
 ECAD 8428 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimitado) 264-TLP732 (D4-GBF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2735(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735 (E 1.8300
RFQ
 ECAD 7103 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2735 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 9V ~ 15V 6-SO descascar 1 (ilimitado) 264-TLP2735 (E EAR99 8541.49.8000 125 20 Ma 10Mbps -, 4ns 1.61V 15 Ma 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 100ns, 100ns
TLP750(D4MAT-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4MAT-LF2, F -
RFQ
 ECAD 2826 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (ilimitado) 264-TLP750 (D4MAT-LF2F EAR99 8541.49.8000 50
TLP281-4(TP,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP281-4 (TP, J, F) -
RFQ
 ECAD 4954 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TLP281 Corriente Continua 4 Transistor 16-SOP descascar 1 (ilimitado) 5A991G 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP3910(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 (E 3.3300
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP3910 Corriente Continua 2 Fotovoltaico 6-SO descascar 1 (ilimitado) 264-TLP3910 (E EAR99 8541.49.8000 125 - - 24 V 3.3V 30 Ma 5000 VRMS - - 300 µs, 100 µs -
TLP185(BLL-TL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (BLL-TL, SE 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP290(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (BL-TP, SE 0.5100
RFQ
 ECAD 3927 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP290 AC, DC 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP734(D4-GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (D4-GB, M, F) -
RFQ
 ECAD 7783 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimitado) 264-TLP734 (D4-GBMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP105(DHNS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (DHNS-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 3482 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP105 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V 6-mfsop, 5 Plomo descascar 264-TLP105 (DHNS-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLP759(FA1-T1S,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (FA1-T1S, J, F -
RFQ
 ECAD 2446 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (FA1-T1SJF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP624-2(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 4288 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP624 - 1 (ilimitado) 264-TLP624-2 (TP1F) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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