SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max)
TLP358F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358F (TP4, F) -
RFQ
ECAD 6352 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP358 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 8-SMD descascar 264-TLP358F (TP4F) EAR99 8541.49.8000 1 6 A - 17ns, 17ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 500ns, 500ns
TLP785(D4-GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-GB, F -
RFQ
ECAD 1379 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785 (D4-GBF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP785(YH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (YH, F -
RFQ
ECAD 8103 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785 (YHF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP759(D4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4, J, F) -
RFQ
ECAD 5993 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP759 Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable TLP759 (D4JF) EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - 200ns, 300ns -
TLP2630(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630 (Mat, F) -
RFQ
ECAD 8093 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP2630 - 1 (ilimitado) 264-TLP2630 (MATF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2398(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2398 (E -
RFQ
ECAD 5334 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2398 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 6-so, 5 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP2398 (ETR EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma 5Mbps 15ns, 12ns 1.5V 20 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP292-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (4LGBTRE 1.7900
RFQ
ECAD 8134 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP127(ISH-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (ISH-TPL, F) -
RFQ
ECAD 5001 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (ISH-TPLF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP631(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (GR, F) -
RFQ
ECAD 2093 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP631 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP5702H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H (D4TP4, E 1.8300
RFQ
ECAD 8950 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5702 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP631(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (LF1, F) -
RFQ
ECAD 1402 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP631 - 1 (ilimitado) 264-TLP631 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP160G(T5-TPL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (T5-TPL, U, F -
RFQ
ECAD 6220 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP160G - 1 (ilimitado) 264-TLP160G (T5-TPLUFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP759F(D4FA1T4SJF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4FA1T4SJF -
RFQ
ECAD 3610 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759F (D4FA1T4SJF EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP2468(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2468 (f) -
RFQ
ECAD 5641 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TLP2468 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 2.7V ~ 5.5V 8-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2468F EAR99 8541.49.8000 100 25 Ma 20mbd 30ns, 30ns 1.57V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 60ns, 60ns
TLP781F(D4-Y-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-Y-LF7, F -
RFQ
ECAD 9772 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4-Y-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP631(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (GB-TP1, F) -
RFQ
ECAD 7347 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP631 - 1 (ilimitado) 264-TLP631 (GB-TP1F) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP781(D4-TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-Tels, F) -
RFQ
ECAD 1749 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4-Telsf) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781F(D4-GR-SD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-Gr-SD, F -
RFQ
ECAD 2574 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4-GR-SDF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP630(TA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630 (TA, F) -
RFQ
ECAD 4822 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP630 AC, DC 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 264-TLP630 (TAF) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP187(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187 (TPR, E 1.0200
RFQ
ECAD 7338 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP187 Corriente Continua 1 Darlington 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.25V 50 Ma 3750vrms 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP785(BLL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (BLL-TP6, F -
RFQ
ECAD 3089 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785 (BLL-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP9104(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104 (HNE-TL, F) -
RFQ
ECAD 8396 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9104 (HNE-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLX9185(TOJ2GBTF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (TOJ2GBTF (O -
RFQ
ECAD 3905 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLX9185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP - 264-TLX9185 (TOJ2GBTF (O EAR99 8541.49.8000 1 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.27V 30 Ma 3750vrms 20% @ 5MA 600% @ 5MA 5 µs, 5 µs 400mv
TLP781(D4-FUN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-FUN, F) -
RFQ
ECAD 3278 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4-FUNF) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP385(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (BLL, E 0.5500
RFQ
ECAD 1556 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (BLLE EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP627M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (TP1, E 0.9300
RFQ
ECAD 8195 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP627 Corriente Continua 1 Darlington 4-SMD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 150 Ma 60 µs, 30 µs 300V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 110 µs, 30 µs 1.2V
TLP291-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4 (V4GBTPE 1.0600
RFQ
ECAD 4931 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 2500 VRMS 100% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP785F(D4GRF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GRF7, F -
RFQ
ECAD 1395 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (D4GRF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP620-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (LF1, F) -
RFQ
ECAD 5900 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP620 AC, DC 2 Transistor 8-SMD descascar 264-TLP620-2 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781F(TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (TP7, F) -
RFQ
ECAD 4254 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (TP7F) TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock