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Optoisoladores (1738)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP292 (E | 0.5600 |  | 8892 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP292 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | TLP2368 (e) | 1.7500 | | 322 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2368 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 25 Ma | 20mbd | 30ns, 30ns | 1.55V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
 | TLP5772 (TP, E | 2.4000 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5772 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 10V ~ 30V | 6-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 15ns, 8ns | 1.65V | 8 MA | 5000 VRMS | 1/0 | 35kV/µs | 150ns, 150ns | ||||||||||||||||
 | TLP191B (MBSTPL, C, F | - | | 3298 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | Corriente Continua | Fotovoltaico | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | 264-TLP191B (MBSTPLCF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 24 µA | - | 8V | 1.4V | 50 Ma | 2500 VRMS | - | - | 200 µs, 3 ms | - | ||||||||||||||||||
| TLP550 (Hitachi, F) | - | | 9304 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP550 (Hitachif) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP160G (U, F) | - | | 6312 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP160G | Tu | 1 | Triac | 6-mfsop, 4 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 400 V | 70 Ma | 600 µA (topos) | No | 200V/µs | 10 Ma | 30 µs | |||||||||||||||
| TLP532 (HIT-L1, F | - | | 5237 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP532 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP532 (HIT-L1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP182 (Y-TPL, E | 0.5500 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP182 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | TLP3042SCF | - | | 8672 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables | TLP3042 | BSI, SEMKO, UR | 1 | Triac | 6 DIP (Corte), 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 400 V | 100 mA | 600 µA (topos) | Si | 200V/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||
 | TLP385 (D4Y-TPL, E | 0.5600 | | 1433 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP161J (V4-U, C, F) | - | | 3578 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP161J | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP161J (V4-UCF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185 (GRH-TL, SE | 0.6000 | | 16 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP185 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP291 (e) | - | | 1657 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mera | 4 µs, 7 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 400% @ 5MA | 7 µs, 7 µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP5705H (D4TP4, E | 1.9900 | | 8441 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 37ns, 50ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 50kV/µs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||
 | TLP751 (LF2, F) | - | | 5641 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP751 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | TLP751 (LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 MA | - | 15V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 10% @ 16MA | - | 200ns, 1 µs | - | ||||||||||||||
| TLP190B (TPL, U, C, F) | - | | 7752 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP190 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | 264-TLP190B (TPLUCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 12 µA | - | 8V | 1.4V | 50 Ma | 2500 VRMS | - | - | 200 µs, 1 ms | - | ||||||||||||||||
| TLP734 (D4GRHT5, M, F | - | | 2332 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP734 (D4GRHT5MF | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550 (LF5, F) | - | | 9974 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP550 (LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP731 (D4-BL-TP1, F | - | | 7743 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731 (D4-BL-TP1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLPN137 (D4TP1, S | - | | 6732 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLPN137 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLPN137 (D4TP1STR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP265J (V4, E | 0.8400 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP265 | CQC, CUR, UR, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP265J (V4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1.27V | 50 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 1 ma (typ) | No | 500V/µs (topos) | 10 Ma | 20 µs | ||||||||||||||
| TLP2630 (TP1, F) | - | | 9395 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP2630 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP2630 (TP1F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP531 (Hit-BL-T1, F | - | | 3100 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP531 (Hit-BL-T1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2761 (LF4, E | - | | 6051 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP2761 | AC, DC | 1 | 2.7V ~ 5.5V | 6-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP2761 (LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 75 | 10 Ma | 15mbd | 3ns, 3ns | 1.5V | 10 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||
 | TLP293-4 (LA-TR, E | 1.6300 | | 7543 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 500 µA | 600% @ 500 µA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP358 (TP5, F) | - | | 9877 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP358 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 8-SMD | descascar | 264-TLP358 (TP5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5.5 A | - | 17ns, 17ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 500ns, 500ns | ||||||||||||||||
| TLP2761F (TP, F) | - | | 5383 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP2761 | AC, DC | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 6-SO | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP2761F (TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 10 Ma | 15mbd | 3ns, 3ns | 1.5V | 10 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||
| TLP714F (D4HW1TP, F) | - | | 3728 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP714F (D4HW1TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||||
| TLP5702H (TP, E | 1.7100 | | 7878 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5702 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 37ns, 50ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 50kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||
 | 6N136F | - | | 2215 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 6N136 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 MA | - | 15V | 1.65V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | - | 200ns, 500ns | - |
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