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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOC8106S | - |  | 8392 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | MOC810 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC8106S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.15V | 100 mA | 5300 VRMS | 50% @ 10mA | 150% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | IL440-6 | - | | 1782 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IL440 | BSI, CSA, CUR, UR | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 400 V | 100 mA | 1 ma (typ) | No | 50V/µs (topos) | 5 mm | - | |||||||||||||||
 | PS2911-1-F3-K-AX | - | | 6515 | 0.00000000 | Cela | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-smd, planos de cables | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-Mini-Flat | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | PS2911-1-F3-K-AXTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,500 | 40mera | 5 µs, 10 µs | 40V | 1.1V | 50 Ma | 2500 VRMS | 200% @ 1MA | 400% @ 1MA | 40 µs, 120 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | H11A2M | - | | 3409 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | H11AX | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11A | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 150 Ma | 2.8 µs, 4.5 µs | 30V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | |||||||||||||||||
 | TLP785F (D4Teet7F | - | | 5501 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (D4Teet7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | PS2561DL-1Y-VA | - | | 9785 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 400 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.2V | 40 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||||
 | 4n25fm | - | | 1191 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | 4n25 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4N25FM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 7500vpk | 20% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 500mv | |||||||||||||||
| TLP781F (f) | - | | 6116 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| TLP781F (D4GR-LF7, F | - | | 8701 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4GR-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | Fod2711v | 0.2900 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||||
| H11AA4SD | - | | 8537 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 30V | 1.2V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||||||||||||
| TLP626-4 (Hitomk, F) | - | | 8644 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP626 | AC, DC | 4 | Transistor | 16 Dipp | descascar | 264-TLP626-4 (hitomkf) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 55V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| EL816 (S) (B) (TD) -V | - | | 7712 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EL816 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
| PS2911-1-F3-K-AX | - | | 6934 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-smd, planos de cables | PS2911 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-Mini-Flat | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 559-1547-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 40mera | 5 µs, 10 µs | 40V | 1.1V | 50 Ma | 2500 VRMS | 200% @ 1MA | 400% @ 1MA | 40 µs, 120 µs | 300mv | ||||||||||||||
 | ILD252-X017 | - | | 8181 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | ILD252 | AC, DC | 2 | Transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | - | 30V | 1.2V | 60 Ma | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||||||||||
| SFH6136-X009T | 1.7000 | | 986 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | SFH6136 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 25V | 1.6V | 25 Ma | 5300 VRMS | 19% @ 16MA | - | 200ns, 200ns | - | |||||||||||||||
 | EL217 | - | | 4034 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | - | 1.6 µs, 2.2 µs | 80V | 1.3V | 60 Ma | 3750vrms | 100% @ 1MA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| MOC8204W | - | | 5725 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | MOC820 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2mera | - | 400V | 1.2V | 60 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | TLP385 (BL, E | 0.5500 | | 6092 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP385 (BLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | Til111tm | 0.1000 | | 6118 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 755 | 2mera | 10 µs, 10 µs (máx) | 30V | 1.2V | 60 Ma | 7500vpk | - | - | - | 400mv | ||||||||||||||||||
 | H11B255S (TA) | - | | 3334 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | H11B2 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | C130000004 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | - | 55V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | - | 25 µs, 18 µs | 1V | |||||||||||||||
 | EL817 (S1) (D) (Tu) -vg | 0.1180 | | 8470 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EL817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
 | Jantxv4n49a | - | | 5074 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | Un 78-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 365-1980 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 20 µs, 20 µs (máx) | 40V | 1.5V (Máximo) | 40 Ma | 1000VDC | 200% @ 1MA | 1000% @ 1MA | - | 300mv | |||||||||||||||
 | Apt1211waw | 0.7725 | | 9901 | 0.00000000 | Panasonic Electric Works | Apto | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Apt1211 | Cur, VDE | 1 | Triac | 4 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | -Apt1211waw-nd | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.21V | 50 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 100 mA | 3.5mA | Si | 500V/µs | 10 Ma | 100 µs (MAX) | |||||||||||||||
| FOD4218 | - | | 1869 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | FOD421 | Cul, Fimko, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.28V | 30 Ma | 5000 VRMS | 800 V | 500 µA | No | 10 kV/µs | 1.3MA | 60 µs | |||||||||||||||||||
| EL1014 (TA) -VG | 0.3117 | | 9312 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | El1014 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP (2.54 mm) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | C110000336 | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.45V | 60 Ma | 5000 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 4 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| ACPL-5600L-200 | 83.2375 | | 8695 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) | ACPL-5600 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 3V ~ 3.6V | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 10mbd | 20ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 1500VDC | 1/0 | 1kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| H11A1TVM | 0.8400 | | 2512 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11A1 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 50% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 400mv | |||||||||||||||
| H11B1M-V | - | | 1053 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11B1 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3907150105 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | - | 55V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 500% @ 1MA | - | 25 µs, 18 µs | 1V | |||||||||||||||
 | H11A2X | 0.5700 | | 360 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11A2 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 30V | 1.2V | 60 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | - | 400mv |
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