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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP552 (LF1, F) | - |  | 3526 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP552 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP552 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
| TLP719 (D4FA1TPS, F) | - | | 4873 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP719 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | Ala de Gaviota de 6 SDIP | - | 264-TLP719 (D4FA1TPSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||
| TLP731 (D4-GB-TP1, F | - | | 5890 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731 (D4-GB-TP1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127 (Tee-Tpr, F) | - | | 8429 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (Tee-Tprf) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||
 | 140816142200 | 0.3800 | | 595 | 0.00000000 | Würth Elektronik | WL-ocpt | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-DIP-S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 80V | 1.24V | 60 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | ||||||||||||
 | PS2501-1-A | 0.1747 | | 8182 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | PS2501 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 559-1001 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||
 | 4n37 | 0.6100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 4n37 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | - | 30V | 1.3V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | - | 10 µs, 10 µs | - | |||||||||||
 | PS2561BL-1-A | - | | 5588 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 400 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 40 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||
 | SL5500 | 0.1200 | | 2052 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 21 | 100mA | - | 30V | 1.23V | 100 mA | 5300 VRMS | 40% @ 10mA | 300% @ 10mA | 20 µs, 50 µs (máx) | 400mv | |||||||||||||
| Moc19m | - | | 7923 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | - | 30V | 1.15V | 60 Ma | 5300 VRMS | 300% @ 10mA | - | 3.5 µs, 95 µs | 1V | |||||||||||||
 | VOM3052 | - | | 3971 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| RV1S2752QKCSP-1000N#SC0 | 3.5300 | | 880 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | RV1S2752 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | |||||||||||||||||||||||||||
 | 6N135#020 | - | | 9891 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 6N135 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 MA | - | 20V | 1.5V | 25 Ma | 5000 VRMS | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 200ns, 1.3 µs | - | ||||||||||
| TLP127 (ITO-TPR, U, F | - | | 3744 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (ITO-TPRUFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||
| El817 (b) -g | 0.1659 | | 5716 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | EL817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3908171504 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||
 | HCNW4502-500E | 3.4400 | | 2930 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCNW4502 | Corriente Continua | 1 | Transistor | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | 8 MA | - | 20V | 1.68V | 25 Ma | 5000 VRMS | 15% @ 16MA | - | 1 µs, 1 µs (max) | - | ||||||||||
| H11F2 | 1.4600 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11F | Corriente Continua | 1 | Mosfet | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.3V | 60 Ma | 5300 VRMS | - | - | 25 µs, 25 µs (MAX) | - | ||||||||||||
 | ACPL-827-W0BE | 0.3395 | | 5179 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | ACPL-827 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||
| SFH6156-1T-LB | - | | 8180 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | SFH6156 | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | - | Alcanzar sin afectado | 751-SFH6156-1T-LB | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 2 µs, 11 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 3 µs, 18 µs | 400mv | ||||||||||||
| PC123X2YFZ1B | - | | 8277 | 0.00000000 | Tecnología Sharp/Sócle | - | Tubo | Descontinuado en sic | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 5,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | - | - | - | 200 MV | ||||||||||||
| TLX9185 (PEDGBTLF (O | - | | 2766 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLX9185 (PEDGBTLF (O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | HCPL3700M | 5.9800 | | 519 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL3700 | AC, DC | 1 | Darlington | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 2832-HCPL3700m | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 30mera | 45 µs, 0.5 µs | 20V | - | 5000 VRMS | - | - | 6 µs, 25 µs | - | ||||||||||
| TLP120 (GB-TPR, F) | - | | 6747 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP120 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP120 (GB-TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||
 | PS2911-1-F3-AX | 1.9900 | | 43 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-smd, planos de cables | PS2911 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-Mini-Flat | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,500 | 40mera | 5 µs, 10 µs | 40V | 1.1V | 50 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 1MA | 400% @ 1MA | 40 µs, 120 µs | 300mv | ||||||||||
| TLP785F (D4GRF7, F | - | | 1395 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (D4GRF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||
 | HMA2701B | 0.0900 | | 27 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 40V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||
 | EL817 (S) (TA) | - | | 4553 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||
| EL817 (S1) (B) (Tu) -vg | 0.1732 | | 6730 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EL817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||
 | BRT12-F | - | | 2188 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | BRT12 | CQC, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.1V | 20 Ma | 5300 VRMS | 600 V | 300 mA | 500 µA | No | 10 kV/µs | 1.2MA | - | |||||||||||
| SFH6156-4T-LB | - | | 2888 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | SFH6156 | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | - | Alcanzar sin afectado | 751-SFH6156-4T-LB | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 15 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 6 µs, 25 µs | 400mv |
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