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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CNY17-4SM | 0.2012 |  | 7970 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | CNY17-4 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 58-CNY17-4SM | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 50mera | 4.6 µs, 15 µs | 70V | 1.2V | 60 Ma | 5300 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 6 µs, 25 µs | 400mv | |||||||||||||||
| MOC3082SM | 0.5000 | | 844 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc308 | Ul | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 601 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 800 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||||||
 | FODM3022R3 | 0.4800 | | 1488 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 475 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 400 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 10V/µs (topos) | 10 Ma | - | |||||||||||||||||
| TLP630 (GB-Fanuc, F) | - | | 7207 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP630 | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 264-TLP630 (GB-Fanucf) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | PS8501L3-V-E3-AX | 4.0200 | | 5533 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | PS8501 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 35V | 1.7V | 25 Ma | 5000 VRMS | 15% @ 16MA | - | - | - | |||||||||||||||
| TLP714F (4HWTP, F | - | | 7589 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP714 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP714F (4HWTPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||||
 | CNY17F1SD | 0.2200 | | 4268 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||
| TLP759F (D4FA1T4SJF | - | | 3610 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759F (D4FA1T4SJF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | |||||||||||||||||
 | FOD4218V | 1.0000 | | 4924 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | FOD4218 | UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.28V | 30 Ma | 5000 VRMS | 800 V | 300 mA | 500 µA | No | 10 kV/µs | 1.3MA | 60 µs | ||||||||||||||||||
 | 4N28S | - | | 3386 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | 4N2X | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | 4n28 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 4N28SLT | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 100mA | 3 µs, 3 µs | 30V | 1.2V | 80 Ma | 500 VRMS | 10% @ 10mA | - | - | 500mv | |||||||||||||||
| VOT8025AD | 0.4137 | | 6019 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables | VOT8025 | CQC, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 751-vot8025ad | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 800 V | 100 mA | 400 µA (topos) | Si | 1kV/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||
 | HCPL062N | 4.5500 | | 2 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | HCPL062 | Corriente Continua | 2 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 3.3V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 15 Ma | 10Mbps | 16ns, 4ns | 1.75V (Max) | 50mera | 2500 VRMS | 2/0 | 25kV/µs | 90ns, 75ns | |||||||||||||||
| IL4217-1001 | - | | 4911 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IL4217 | BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6 Dipp | - | 751-IL4217-1001 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.3V | 60 Ma | 5300 VRMS | 700 V | 300 mA | 200 µA | No | 10 kV/µs | 700 µA (topos) | - | |||||||||||||||||
 | NTE3092 | 4.9200 | | 49 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - | Bolsa | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 2368-NTE3092 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 15V | 1.65V | 25 Ma | - | 19% @ 16MA | - | 500ns, 200ns | - | |||||||||||||||||
 | VO617A-7 | 0.1872 | | 2165 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 751-VO617A-7TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 80V | 1.35V | 60 Ma | 5300 VRMS | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| MOC8106300 | 0.0900 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.15V | 100 mA | 5300 VRMS | 50% @ 10mA | 150% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | VOT8024AD-V | 1.3000 | | 5282 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | VOT8024 | CQC, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 800 V | 100 mA | 400 µA (topos) | Si | 1kV/µs | 5 mm | - | ||||||||||||||||
| BRT21M-X016 | - | | 1013 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | BRT21 | Cul, Ur, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | - | 751-BRT21M-X016 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.16V | 60 Ma | 5300 VRMS | 400 V | 300 mA | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 3mera | 35 µs | |||||||||||||||||
| PS9821-1-V-AX | 9.0700 | | 400 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | PS9821 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 3.6V | 8-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 Ma | 15Mbps | 20ns, 5ns | 1.65V | 20 Ma | 2500 VRMS | 1/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| MOC3023XSMT/R | 0.4600 | | 2 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | UL, VDE | 1 | Triac | - | - | 5009-MOC3023XSMT/RTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.2V | 50 Ma | 7500vpk | 400 V | 100 µA | No | 10V/µs (topos) | 5 mm | - | |||||||||||||||||||
 | FOD817D300 | 0.1300 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,392 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||||
 | FOD2743A | 0.4700 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 70V | 1.07V | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 100% @ 1MA | - | 400mv | |||||||||||||||||||
| Voh1016ag | 0.3699 | | 5225 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | VOH1016 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 16 V | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 2MHz | 50ns, 40ns | 1.1V | 50mera | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 2 µs, 1.2 µs | ||||||||||||||||
| PS9313L-AX | - | | 2739 | 0.00000000 | Renesas | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 20V | 6-sdip | - | 2156-PS9313L-AX | 1 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.56V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 15kV/µs | 500ns | ||||||||||||||||||||
 | HCPL2630SDV | - | | 1493 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCPL2630 | Corriente Continua | 2 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1.4V | 30mera | 2500 VRMS | 2/0 | 10kV/µs (TÍP) | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||
 | Fodm8801bv | - | | 1089 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Optohit ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-Mini-Flat | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 30mera | 5 µs, 5.5 µs | 75V | 1.35V | 20 Ma | 3750vrms | 130% @ 1MA | 260% @ 1MA | 6 µs, 6 µs | 400mv | |||||||||||||||||||
| TLP781 (D4-GRH, F) | - | | 5401 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4-GRHF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | FOD2741BV | 0.6500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 502 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||||
| VOT8026AB | 0.3990 | | 7511 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | VOT8026 | CQC, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 751-vot8026ab | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 800 V | 100 mA | 400 µA (topos) | Si | 1kV/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||
 | EL3061M-V | - | | 2937 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | EL3061 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3903610009 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 100 mA | 280 µA (tipos) | Si | 1kV/µs | 15 Ma | - |
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