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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP293-4 (V4, E | 1.6000 |  | 5859 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||
 | Til111vm | 1.0000 | | 6233 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 2mera | 10 µs, 10 µs (máx) | 30V | 1.2V | 60 Ma | 7500vpk | - | - | - | 400mv | |||||||||||||||||||
 | 5962-8767901UC | 120.2925 | | 2067 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-smd, articulacia de tope | 5962-8767901 | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 16-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.55V | 20 Ma | 1500VDC | 9% @ 16MA | - | 400ns, 1 µs | - | |||||||||||||||
 | EL816 (D) | 0.1752 | | 3284 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | EL816 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3908160904 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||
| TLP785 (GB, F | 0.2214 | | 1711 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (GBF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||
 | TLP290-4 (GB, E) | 1.6300 | | 280 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP290 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | CNY17-2x016 | 0.8000 | | 497 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | CNY17 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.39V | 60 Ma | 5000 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | EL817 (S1) (C) (TD) -G | - | | 9286 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | EL817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 6 µs, 8 µs | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
 | TLP525G (LF1, F) | - | | 3080 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) | TLP525 | CSA, CUL, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | 264-TLP525G (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 400 V | 100 mA | 600 µA | No | 200V/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||||
 | PS2501-2XSM | 0.8800 | | 1 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | PS2501 | Corriente Continua | 2 | Transistor | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 80% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||
 | TCMT1600T3 | 0.7600 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TCMT1600 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.35V | 60 Ma | 3750vrms | 80% @ 5MA | 300% @ 5MA | 6 µs, 5 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | 5962-8767901TA | 125.0284 | | 4318 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SMD, Ala de Gaviota | 5962-8767901 | Corriente Continua | 2 | Base de transistor | 16-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.55V | 20 Ma | 1500VDC | 9% @ 16MA | - | 400ns, 1 µs | - | |||||||||||||||
 | TLP3073 (TP1, F | 2.0100 | | 2537 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Ala de Gaviota | TLP3073 | CQC, CUR, UR | 1 | Triac | 6-so, 5 Plomo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 800 V | 100 mA | 1 ma (typ) | No | 2kV/µs (topos) | 5 mm | - | ||||||||||||||||
 | PC817X3NSZ9F | 0.0659 | | 1905 | 0.00000000 | Tecnología Sharp/Sócle | PC817 | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | Obsoleto | 0000.00.0000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
 | TLP266J (TPL, E | 0.9000 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TLP | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP266 | 1 | Triac | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 600 µA (topos) | Si | 200V/µs | 10 Ma | 30 µs | |||||||||||||||||
| TLP2958F (TP4, F) | - | | 9421 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 20V | 8-SMD | descascar | 264-TLP2958F (TP4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 15ns, 10ns | 1.55V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||
 | S2S3B | - | | 8137 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD | S2S3 | CSA, Ur | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | 425-1297-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 600 V | 50 Ma | 3.5mA | No | 100V/µs | 10 Ma | 100 µs (MAX) | |||||||||||||||
 | HMA121ER1 | - | | 1511 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | HMA121 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | - | 400mv | ||||||||||||||||
 | ACSL-6210-50RE | 4.9800 | | 4 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ACSL-6210 | Corriente Continua | 2 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 3V ~ 5.5V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 Ma | 15mbd | 30ns, 12ns | 1.52V | 15 Ma | 2500 VRMS | 1/1 | 10 kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| PS2801C-1-V-F3-PA | - | | 3715 | 0.00000000 | Cela | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,500 | 30mera | 5 µs, 7 µs | 80V | 1.2V | 30 Ma | 2500 VRMS | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 10 µs, 7 µs | 300mv | ||||||||||||||||
 | TLP5772H (TP4, E | 2.6900 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5772 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 10V ~ 30V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 56ns, 25ns | 1.65V | 8 MA | 5000 VRMS | 1/0 | 35kV/µs | 150ns, 150ns | ||||||||||||||||||
 | 6N1135 | - | | 7946 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 6N1135 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 8 MA | - | 15V | 1.6V | 25 Ma | 5300 VRMS | 7% @ 16MA | - | 300ns, 300ns | - | |||||||||||||||
 | Moc3051fm | - | | 4944 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc305 | Tu | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC3051FM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.15V | 60 Ma | 7500vpk | 600 V | 280 µA (tipos) | No | 1kV/µs | 15 Ma | - | ||||||||||||||||
 | Fod4118v | 4.4500 | | 3620 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | FOD4118 | CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.25V | 30 Ma | 5000 VRMS | 800 V | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 1.3MA | 60 µs | ||||||||||||||||
 | FOD2711 | - | | 1983 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | FOD271 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||
| H11N2FM | - | | 1925 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | H11N | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4V ~ 15V | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 5MHz | 7.5ns, 12ns | 1.4V | 30mera | 4170vrms | 1/0 | - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||||
| TLP781F (D4-Fungr, F | - | | 7829 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-FUNGRF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | Fod814s | 0.1700 | | 5810 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 129 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 1MA | 300% @ 1MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
 | H11A817As | 1.0000 | | 2268 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2.4 µs, 2.4 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||
 | 140817143200 | 0.2900 | | 5 | 0.00000000 | Würth Elektronik | WL-ocpt | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-dip-sl | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mera | 3 µs, 4 µs | 35V | 1.24V | 60 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 200 MV |
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