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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ILD1207T | 1.4600 |  | 34 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ILD1207 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | - | 70V | 1.2V | 30 Ma | 4000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 5 µs, 4 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | TLP291 (GB, SE | 0.6100 | | 8740 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||
 | CNY17F4TM | - | | 8597 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | CNY17 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | IL300-DEFG-X001 | 5.0600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IL300 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico, Linealizado | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 70 µA (typ) | 1 µs, 1 µs | 500mv | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | - | - | - | - | ||||||||||||||||
 | HCPL-5601#300 | 90.8044 | | 6783 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-CSMD, Ala de Gaviota | HCPL-5601 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 10mbd | 35ns, 35ns | 1.5V | 20 Ma | 1500VDC | 1/0 | 1kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | Moc206vm | - | | 3279 | 0.00000000 | onde | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Moc206 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | PC3Q710NIP0F | - | | 3976 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-Mini-Flat | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 10 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 500 µA | 600% @ 500 µA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||
 | PS2533L-1-A | - | | 9848 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | PS2533L1A | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150 Ma | 100 µs, 100 µs | 350V | 1.15V | 80 Ma | 5000 VRMS | 1500% @ 1MA | 6500% @ 1MA | - | 1V | |||||||||||||||
| 4N28TVM | 0.3256 | | 3063 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | 4n28 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 10% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 500mv | |||||||||||||||
 | PC123X8YFZ0F | - | | 7362 | 0.00000000 | Tecnología Sharp/Sócle | - | Tubo | Descontinuado en sic | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
| IL300-EF-X016 | 3.3644 | | 4191 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | IL300 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico, Linealizado | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 70 µA (typ) | 1 µs, 1 µs | 500mv | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | - | - | - | - | ||||||||||||||||
| 4N33-X009T | - | | 8907 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | 4N33 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 30V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 500% @ 10mA | - | 5 µs, 100 µs (máx) | 1V (typ) | |||||||||||||||
 | H11G1M | 1.1500 | | 3747 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11G1 | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 100V | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 1000% @ 10 Ma | - | - | 1V | |||||||||||||||
 | EL3011S (TA) | - | | 3748 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | EL3011 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3903110004 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.18V | 60 Ma | 5000 VRMS | 250 V | 100 mA | 250 µA (topos) | No | 100V/µs (TÍP) | 10 Ma | - | |||||||||||||||
 | HMA121AR1 | - | | 8238 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | HMA121 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | - | 400mv | ||||||||||||||||
 | HCPL-817-300E | 0.5200 | | 19 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | HCPL-817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||
 | MOC3082FR2VM | - | | 2154 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc308 | - | 1 | Triac | 6-SMD | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC3082FR2VM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 60 Ma | 7500vpk | 800 V | 500 µA (topos) | Si | - | 10 Ma | - | ||||||||||||||||
| CNY1733SD | - | | 9247 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | CNY173 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | CNY1733SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
| PS2501A-1-LA | - | | 6022 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | PS2501 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mera | 3 µs, 5 µs | 70V | 1.2V | 30 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||
| LTV-817S-A | 0.4400 | | 4 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | LTV-8X7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | LTV-817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
| TLP620-2 (D4GB-T4, F | - | | 7252 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP620-2 (D4GB-T4F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | HCPL2530WV | - | | 3636 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | HCPL25 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 mdip | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 500ns | - | ||||||||||||||||
| EL1116 (TA) -G | - | | 3670 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho), 5 cables | EL1116 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 5-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | C110000765 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 4 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | PC367N2TJ00F | - | | 3711 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-Mini-Flat | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 10 Ma | 3750vrms | 200% @ 500 µA | 400% @ 500 µA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||
 | TLP185 (Y-TPL, SE | 0.6100 | | 4922 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP185 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||
| TLP781F (D4GRL-F7, F | - | | 7446 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4GRL-F7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | ILD620-X009 | - | | 7041 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | ILD620 | AC, DC | 2 | Transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 20 µs, 2 µs | 70V | 1.15V | 60 Ma | 5300 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | VO615A-1x009T | 0.7300 | | 843 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | VO615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.43V | 60 Ma | 5000 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 6 µs, 5 µs | 300mv | ||||||||||||||||
| TLP266J (T7, E | - | | 5852 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP266 | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP266J (T7E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1.27V | 50 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 600 µA | Si | 200V/µs | 10 Ma | 30 µs | ||||||||||||||||
 | PC817X0NIP1B | - | | 6803 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV |
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