SIC
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Optoisoladores (15749)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
HCPL-0201#500 Broadcom Limited HCPL-0201#500 6.1600
RFQ
 ECAD 5130 0.00000000 Broadcom Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL-0201 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V 8 Tan Alto descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1.500 25 Ma 5mbd 30ns, 7ns 1.5V 10 Ma 3750vrms 1/0 1kV/µs 300ns, 300ns
6N139V onsemi 6n139v -
RFQ
 ECAD 5635 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 6N139 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 60mera - 18V 1.3V 20 Ma 2500 VRMS 500% @ 1.6MA - 1,5 µs, 7 µs -
HCPL-263A Broadcom Limited HCPL-263A 4.3832
RFQ
 ECAD 5733 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL-263 Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 516-1094-5 EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 10mbd 42ns, 12ns 1.3V 10 Ma 3750vrms 2/0 1kV/µs 100ns, 100ns
PS2501AL-1-F3-A CEL PS2501Al-1-F3-A -
RFQ
 ECAD 5409 0.00000000 Cela NEPOC Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota PS2501 Corriente Continua 1 Transistor descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 30mera 3 µs, 5 µs 70V 1.2V 30 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
MOC3023SVM onsemi MOC3023SVM 0.9100
RFQ
 ECAD 3313 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc302 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3023SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 5 mm -
HCPL-817-36LE Broadcom Limited HCPL-817-36LE 0.1572
RFQ
 ECAD 4101 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HCPL-817 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 100% @ 5MA - 200 MV
S2S3B Sharp Microelectronics S2S3B -
RFQ
 ECAD 8137 0.00000000 Microelectónica afilada - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD S2S3 CSA, Ur 1 Triac 4-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) 425-1297-2 EAR99 8541.49.8000 3.000 1.2V 50 Ma 3750vrms 600 V 50 Ma 3.5mA No 100V/µs 10 Ma 100 µs (MAX)
PS2501L-1-F3-M-A CEL PS2501L-1-F3-MA -
RFQ
 ECAD 1566 0.00000000 Cela NEPOC Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota PS2501 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.17V 80 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 240% @ 5MA - 300mv
TLP385(D4BLLTL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (d4blltl, e 0.5500
RFQ
 ECAD 7135 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP785(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GB, F) 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
MOC3022M_F132 onsemi MOC3022M_F132 -
RFQ
 ECAD 2999 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc302 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 10 Ma -
PS2501L-1-F3-H-A CEL PS2501L-1-F3-HA -
RFQ
 ECAD 3940 0.00000000 Cela NEPOC Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota PS2501 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.17V 80 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300mv
HCPL0601R1 onsemi HCPL0601R1 -
RFQ
 ECAD 7923 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL06 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (Max) 50mera 3750vrms 1/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
TLP781F(D4GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRL-T7, F -
RFQ
 ECAD 2410 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4GRL-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
OR-6N137S-TA1 Shenzhen Orient Components Co., Ltd OR-6N137S-TA1 0.9300
RFQ
 ECAD 8718 0.00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 8-SMD - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1,000 50 Ma - 21ns, 6.6ns 1.38V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 90ns, 75ns
MOC8030300W onsemi MOC8030300W -
RFQ
 ECAD 6566 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC803 Corriente Continua 1 Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8030300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 80V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 300% @ 10mA - 3.5 µs, 95 µs -
CNC2S501 Panasonic Electronic Components CNC2S501 -
RFQ
 ECAD 9184 0.00000000 Componentes Electrónicos de Panasonic - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Darlington 4-Dil descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 150 Ma 40 µs, 15 µs 350V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - - 1V
PS2705A-1-V-A Renesas Electronics America Inc PS2705A-1-VA 0.7789
RFQ
 ECAD 4278 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Banda No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota PS2705 AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 20 30mera 5 µs, 7 µs 70V 1.2V 30 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
CNY17F-3X009T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-3X009T 0.8000
RFQ
 ECAD 488 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2 µs, 2 µs 70V 1.39V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 3 µs, 2.3 µs 400mv
HCPL-0600-000E Broadcom Limited HCPL-0600-000E 2.4900
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL-0600 Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8 Tan Alto descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50 Ma 10mbd 24ns, 10ns 1.5V 20 Ma 3750vrms 1/0 5kV/µs 100ns, 100ns
PS2561L1-1 CEL PS2561L1-1 -
RFQ
 ECAD 4366 0.00000000 Cela NEPOC Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.49.8000 100 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.17V 80 Ma 5000 VRMS 80% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
VO610A-1X019T Vishay Semiconductor Opto Division VO610A-1x019T 0.1391
RFQ
 ECAD 8578 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota VO610 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 3 µs, 4.7 µs 70V 1.25V 60 Ma 5000 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 6 µs, 5 µs 300mv
SFH601-2X006 Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-2X006 -
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) SFH601 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 2 µs 100V 1.25V 60 Ma 5300 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 3 µs, 2.3 µs 400mv
PC851XNNIP0F Sharp Microelectronics PC851XNNIP0F -
RFQ
 ECAD 6961 0.00000000 Microelectónica afilada - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 5 µs 350V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 40% @ 5MA - - 300mv
4N25-X016 Vishay Semiconductor Opto Division 4n25-x016 0.2319
RFQ
 ECAD 1368 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4n25 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 2 µs 70V 1.36V 60 Ma 5000 VRMS 20% @ 10mA - - 500mv
FODM3051R3V onsemi FODM3051R3V -
RFQ
 ECAD 8562 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 15 Ma -
HCPL-2730-000E Broadcom Limited HCPL-2730-000E 3.8000
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL-2730 Corriente Continua 2 Darlington 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 60mera - 7V 1.4V 12 MA 3750vrms 300% @ 1.6MA 2600% @ 1.6MA 5 µs, 10 µs 100mv
ACSL-6310-50TE Broadcom Limited ACSL-6310-50TE 7.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Broadcom Limited - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ACSL-6310 Corriente Continua 3 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 3V ~ 5.5V 16-soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 15mbd 30ns, 12ns 1.52V 15 Ma 2500 VRMS 2/1 10 kV/µs 100ns, 100ns
5962-8767901TA Broadcom Limited 5962-8767901TA 125.0284
RFQ
 ECAD 4318 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SMD, Ala de Gaviota 5962-8767901 Corriente Continua 2 Base de transistor 16-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.55V 20 Ma 1500VDC 9% @ 16MA - 400ns, 1 µs -
MOCD213R2VM onsemi MOCD213R2VM 1.2500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOCD213 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 1.6 µs, 2.2 µs 70V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA - 3 µs, 2.8 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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