SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
MOC8021S onsemi MOC8021S -
RFQ
ECAD 7263 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC802 Corriente Continua 1 Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8021S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 50V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 1000% @ 10 Ma - 3.5 µs, 95 µs 2V
H11AA13S onsemi H11AA13S -
RFQ
ECAD 3070 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A AC, DC 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AA13S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - - 400mv
H11A817D3SD onsemi H11A817D3SD -
RFQ
ECAD 5748 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817D3SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
FODM3010R4 onsemi FODM3010R4 -
RFQ
ECAD 8199 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 15 Ma -
FODM8801AR2V onsemi Fodm8801ar2v 1.7800
RFQ
ECAD 5402 0.00000000 onde Optohit ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FODM8801 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 30mera 5 µs, 5.5 µs 75V 1.35V 20 Ma 3750vrms 80% @ 1MA 160% @ 1MA 6 µs, 6 µs 400mv
H11A4S onsemi H11A4S -
RFQ
ECAD 3972 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
HCPL2530SDV onsemi HCPL2530SDV -
RFQ
ECAD 2753 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL25 Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 7% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 500ns -
MOC8104300W onsemi MOC8104300W -
RFQ
ECAD 6938 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8104300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 160% @ 10mA 256% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
MOC3062FM onsemi Moc3062fm -
RFQ
ECAD 5287 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc306 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3062FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 600 V 500 µA (topos) Si - 10 Ma -
4N35TVM onsemi 4N35TVM 0.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4n35 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
4N37 onsemi 4n37 -
RFQ
ECAD 3154 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4n37 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
MOC3062FR2VM onsemi MOC3062FR2VM -
RFQ
ECAD 4201 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc306 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3062FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 600 V 500 µA (topos) Si - 10 Ma -
MOC3081FVM onsemi Moc3081fvm -
RFQ
ECAD 2965 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc308 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3081FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 800 V 500 µA (topos) Si - 15 Ma -
MOC3011SR2M onsemi MOC3011SR2M 0.9400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc301 Ul 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 250 V 100 µA (topos) No - 10 Ma -
FODM3051R2V onsemi FODM3051R2V -
RFQ
ECAD 2869 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 15 Ma -
6N136SV onsemi 6N136SV -
RFQ
ECAD 5377 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota 6N136 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 500ns -
FODM3011R3 onsemi FODM3011R3 -
RFQ
ECAD 4134 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 10 Ma -
MOC3022TM onsemi Moc3022tm -
RFQ
ECAD 1113 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc302 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3022TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 10 Ma -
MID400SV onsemi Mid400SV -
RFQ
ECAD 7499 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Monitor de Línea de CA Mediados de 400 AC, DC Ur, vde 1 7V 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 20 Ma - 1.5 V 30 Ma 2500 VRMS - 1ms, 1ms (typ)
H11A5SM onsemi H11A5SM -
RFQ
ECAD 6548 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 30% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
SL5501S onsemi SL5501S -
RFQ
ECAD 6553 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota SL5501 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SL5501S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.23V 100 mA 5300 VRMS 25% @ 10mA 400% @ 10mA 20 µs, 50 µs (máx) 400mv
4N27300W onsemi 4N27300W -
RFQ
ECAD 2010 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4N27 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N27300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
CNY17F3SR2M_F132 onsemi CNY17F3SR2M_F132 -
RFQ
ECAD 5800 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
H11AA8143S onsemi H11AA8143S -
RFQ
ECAD 4602 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AA8143S-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 MV
FOD852S onsemi FOD852S 1.2200
RFQ
ECAD 5174 0.00000000 onde - Tubo Activo -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD852 Corriente Continua 1 Darlington 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 96 150 Ma 100 µs, 20 µs 300V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA 15000% @ 1MA - 1.2V
MOC3033TM onsemi Moc3033tm -
RFQ
ECAD 6368 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc303 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3033TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.25V 60 Ma 4170vrms 250 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 5 mm -
4N31SD onsemi 4N31SD -
RFQ
ECAD 5987 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N31 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N31SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 50% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1.2V
MOC256R1M onsemi Moc256r1m -
RFQ
ECAD 7030 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Moc256 AC, DC 1 Base de transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC256R1M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 60 Ma 2500 VRMS 20% @ 10mA - - 400mv
H11L2SM onsemi H11L2SM 1.5900
RFQ
ECAD 6078 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11L2 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 15V 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11L2SM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30mera 4170vrms 1/0 - 4 µs, 4 µs
FODM214R2 onsemi FODM214R2 0.7200
RFQ
ECAD 2405 0.00000000 onde FODM214 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FODM214 AC, DC 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 20% @ 1MA 400% @ 1MA 3 µs, 3 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock