SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
FOD8802AR2 onsemi FOD8802AR2 0.7579
RFQ
ECAD 1642 0.00000000 onde Optohit ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-FOD8802AR2TR EAR99 8541.49.8000 2.500 30mera 6 µs, 7 µs 75V 1.35V 20 Ma 2500 VRMS 80% @ 1MA 160% @ 1MA 6 µs, 6 µs 400mv
4N27TVM onsemi 4N27TVM -
RFQ
ECAD 2312 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4N27 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N27TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
MOCD207R2VM onsemi MOCD207R2VM 1.3800
RFQ
ECAD 131 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOCD207 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 70V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
HMA2701BR2V onsemi HMA2701BR2V -
RFQ
ECAD 5992 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA270 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300mv
FOD8802CR2 onsemi FOD8802CR2 2.0300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde Optohit ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 30mera 6 µs, 7 µs 75V 1.35V 20 Ma 2500 VRMS 200% @ 1MA 400% @ 1MA 6 µs, 6 µs 400mv
HCPL2531SV onsemi HCPL2531SV -
RFQ
ECAD 2277 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL25 Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
FODM3051R3 onsemi FODM3051R3 -
RFQ
ECAD 2040 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 15 Ma -
H11B815300 onsemi H11B815300 -
RFQ
ECAD 5771 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11B Corriente Continua 1 Darlington 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B815300-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 80mera 300 µs, 250 µs (MAX) 35V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1V
H11A1SM onsemi H11A1SM 0.7300
RFQ
ECAD 4508 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A1 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 50% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
MOC5009FR2VM onsemi MOC5009FR2VM -
RFQ
ECAD 7543 0.00000000 onde Globlooptoisolator ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc500 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 1MHz - - 10 Ma 7500vpk 1/0 - -
FOD2743CS onsemi FOD2743CS -
RFQ
ECAD 7899 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD274 Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 70V 1.07V 5000 VRMS 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400mv
MCT210M onsemi MCT210M -
RFQ
ECAD 7311 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT210 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 30mera 1 µs, 11 µs 30V 1.33V 60 Ma 7500vpk 150% @ 10mA - 1 µs, 50 µs 400mv
FODM2701AR2 onsemi FODM2701AR2 -
RFQ
ECAD 1069 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM27 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
CNY171W onsemi CNY171W -
RFQ
ECAD 7978 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNY171 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY171W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
FODM453 onsemi Fodm453 2.4900
RFQ
ECAD 1396 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables Fodm45 Corriente Continua 1 Transistor 5-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 8 MA - 20V 1.6V 25 Ma 3750vrms 20% @ 16MA 50% @ 16MA 400ns, 350ns -
H11AG1M onsemi H11AG1M 1.6500
RFQ
ECAD 987 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11AG Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50mera - 30V 1.25V 50 Ma 4170vrms 100% @ 1MA - 5 µs, 5 µs 400mv
MOC3041M onsemi Moc3041m 1.0700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc304 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.25V 60 Ma 4170vrms 400 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 15 Ma -
HMHA2801BR4 onsemi HMHA2801BR4 -
RFQ
ECAD 3093 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA28 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 300mv
CNY174SVM onsemi CNY174SVM 0.3156
RFQ
ECAD 5968 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY174 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
FOD617B onsemi Fod617b -
RFQ
ECAD 2660 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD617 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA - 400mv
MOC3023VM onsemi MOC3023VM 0.9400
RFQ
ECAD 314 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc302 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 5 mm -
H11A2SM onsemi H11A2SM -
RFQ
ECAD 9852 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
H11N2FR2M onsemi H11N2FR2M -
RFQ
ECAD 4992 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11N Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4V ~ 15V 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30mera 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
MCT2202300W onsemi MCT2202300W -
RFQ
ECAD 4976 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2202300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 2 µs 400mv
FODM453R2V onsemi FODM453R2V 2.4700
RFQ
ECAD 3814 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables Fodm453 Corriente Continua 1 Transistor 5-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 8 MA - 20V 1.6V 25 Ma 3750vrms 20% @ 16MA 50% @ 16MA 400ns, 350ns -
CNY172FR2VM onsemi CNY172FR2VM -
RFQ
ECAD 3094 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY172 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY172FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 60 Ma 7500vpk 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
H11D33SD onsemi H11D33SD -
RFQ
ECAD 1046 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11D33SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 200V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
MOC3083SM onsemi MOC3083SM 1.3100
RFQ
ECAD 970 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc308 Ul 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3083SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.3V 60 Ma 4170vrms 800 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 5 mm -
HCPL0611R2 onsemi HCPL0611R2 5.7800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL0611 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (Max) 50mera 3750vrms 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
MCT271W onsemi MCT271W -
RFQ
ECAD 5555 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MCT271 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT271W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 45% @ 10mA 90% @ 10mA 1 µs, 48 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock