SIC
close
Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
FOD2711AV onsemi Fod2711av 0.4949
RFQ
ECAD 7994 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD2711 Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
CNY17F2TM onsemi CNY17F2TM -
RFQ
ECAD 1903 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
6N135 onsemi 6N135 -
RFQ
ECAD 1761 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 6N135 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 7% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 500ns -
HMHAA280R2V onsemi HMHAA280R2V 1.1400
RFQ
ECAD 5033 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Hmhaa280 AC, DC 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
4N323S onsemi 4N323S -
RFQ
ECAD 4299 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N32 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N323S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1V
MOC3041FR2VM onsemi MOC3041FR2VM -
RFQ
ECAD 9079 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc304 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3041FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 400 V 400 µA (topos) Si - 15 Ma -
MOC212R1M onsemi Moc212r1m -
RFQ
ECAD 6014 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOC212 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC212R1M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 50% @ 10mA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
H11C6W onsemi H11C6W -
RFQ
ECAD 4197 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11C Tu 1 SCR 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11C6W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 400 V 300 mA - No 500V/µs 30mera -
MOC3052TM onsemi Moc3052tm -
RFQ
ECAD 1060 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc305 Tu 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3052TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 Ma 4170vrms 600 V 220 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
H11D2300W onsemi H11D2300W -
RFQ
ECAD 6818 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11D2300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 300V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
MOC3072SM onsemi MOC3072SM 1.5100
RFQ
ECAD 2229 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc307 Ul 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 Ma 4170vrms 800 V 540 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
FODM217BR2V onsemi FODM217BR2V 0.9400
RFQ
ECAD 939 0.00000000 onde FODM217 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FODM217 Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
FODM217D onsemi Fodm217d 0.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde FODM217 Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FODM217 Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 300% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
FODM2705R2V onsemi FODM2705R2V 0.8900
RFQ
ECAD 4455 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM2705 AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
FOD3120 onsemi FOD3120 2.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD312 Acoplamiento óptico Ul 1 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 2a, 2a 3A 60ns, 60ns 1.5V 25 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 400ns, 400ns 100ns 15V ~ 30V
FOD617AS onsemi FOD617As -
RFQ
ECAD 4633 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD617 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 400mv
FOD3150TSV onsemi FOD3150TSV 2.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD3150 Acoplamiento óptico IEC, UL 1 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1a, 1a 1.5a 60ns, 60ns 1.5V 25 Ma 5000 VRMS 20kV/µs 500ns, 500ns 300ns 15V ~ 30V
HMHA2801CR3V onsemi HMHA2801CR3V -
RFQ
ECAD 1155 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA28 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
HCPL0600V onsemi HCPL0600V -
RFQ
ECAD 6363 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL06 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (Max) 50mera 3750vrms 1/0 5kV/µs 75ns, 75ns
H11AA4SR2VM onsemi H11AA4SR2VM 0.8700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11AA AC, DC 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.17V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - - 400mv
FODM2701R2 onsemi FODM2701R2 0.7600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM2701 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
MOC8050M onsemi Moc8050m 0.7400
RFQ
ECAD 5567 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MOC8050 Corriente Continua 1 Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma - 80V 1.18V 60 Ma 4170vrms 500% @ 10mA - 8.5 µs, 95 µs -
HCPL2731WV onsemi HCPL2731WV -
RFQ
ECAD 5847 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) HCPL27 Corriente Continua 2 Darlington 8 mdip descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 60mera - 18V 1.3V 20 Ma 2500 VRMS 500% @ 1.6MA - 300ns, 5 µs -
FOD8320 onsemi FOD8320 6.4300
RFQ
ECAD 2930 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.362 ", 9.20 mm de ancho), 5 cables FOD832 Acoplamiento óptico Ul 1 5-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1990-FOD8320 EAR99 8541.49.8000 2,000 2a, 2a 3A 60ns, 60ns 1.5V 25 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 400ns, 400ns 100ns 16V ~ 30V
FOD420SV onsemi FOD420SV 4.2800
RFQ
ECAD 900 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota FOD420 Cul, Fimko, UL, VDE 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.28V 30 Ma 5000 VRMS 600 V 500 µA No 10 kV/µs 2mera 60 µs
FOD617A3S onsemi FOD617A3S -
RFQ
ECAD 3157 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD617 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 400mv
H11L3SR2VM onsemi H11L3SR2VM 1.3400
RFQ
ECAD 9771 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11L3 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 15V 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30mera 4170vrms 1/0 - 4 µs, 4 µs
4N37W onsemi 4N37W -
RFQ
ECAD 1545 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4n37 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N37W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
FOD815 onsemi FOD815 -
RFQ
ECAD 2846 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD815 Corriente Continua 1 Darlington 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 80mera 60 µs, 53 µs 35V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1V
H11L1S onsemi H11l1s -
RFQ
ECAD 8767 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11L Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11L1.S EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz - - 1.6mA 5300 VRMS 1/0 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock