SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
HMA121AR3V onsemi HMA121AR3V -
RFQ
ECAD 6941 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA - 400mv
6N135SM onsemi 6N135SM 0.6144
RFQ
ECAD 9859 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota 6N135 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 7% @ 16MA 50% @ 16MA 230ns, 450ns -
4N37TM onsemi 4N37TM -
RFQ
ECAD 7651 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4n37 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N37TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
HCPL2530M onsemi HCPL2530M 2.4100
RFQ
ECAD 964 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL2530 Corriente Continua 2 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 7% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 500ns -
MCT23SD onsemi MCT23SD -
RFQ
ECAD 4692 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT23 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT23SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 1.1 µs, 50 µs 400mv
MOC3062TM onsemi Moc3062tm -
RFQ
ECAD 7226 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc306 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3062TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 10 Ma -
FOD817300 onsemi FOD817300 0.5700
RFQ
ECAD 713 0.00000000 onde - Caja Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-FOD817300-488 EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
H11C6 onsemi H11C6 -
RFQ
ECAD 8544 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11C Tu 1 SCR 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 400 V 300 mA - No 500V/µs 30mera -
4N26SD onsemi 4N26SD -
RFQ
ECAD 3161 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N26 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N26SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
MOC3052SM onsemi MOC3052SM 1.5400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc305 Tu 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.18V 60 Ma 4170vrms 600 V 220 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
FOD617BS onsemi FOD617BS -
RFQ
ECAD 4249 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD617 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA - 400mv
MOC81023S onsemi MOC81023S -
RFQ
ECAD 7959 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC81023S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 73% @ 10mA 117% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
MOC8021SR2M onsemi MOC8021SR2M -
RFQ
ECAD 4227 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC802 Corriente Continua 1 Darlington 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 50V 1.18V 60 Ma 4170vrms 1000% @ 10 Ma - 8.5 µs, 95 µs -
4N26FVM onsemi 4N26FVM -
RFQ
ECAD 7075 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N26 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N26FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
MCT5210S onsemi MCT5210S -
RFQ
ECAD 9611 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT5 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT5210S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.25V 50 Ma 5300 VRMS 70% @ 3MA - 10 µs, 400ns 400mv
FOD815300W onsemi FOD815300W -
RFQ
ECAD 2456 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD815 Corriente Continua 1 Darlington 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 80mera 60 µs, 53 µs 35V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1V
FOD8173 onsemi FOD8173 3.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) FOD8173 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 5.5V 6-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Fod8173os EAR99 8541.49.8000 2,000 10 Ma 20Mbps 7ns, 7ns 1.35V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 55ns, 55ns
MOCD207M_F132 onsemi MOCD207M_F132 -
RFQ
ECAD 4448 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mocd20 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 70V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
4N29M onsemi 4n29m 0.7100
RFQ
ECAD 643 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4N29 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2156-4N29M-488 EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1V
MCT2ESVM onsemi MCT2ESVM -
RFQ
ECAD 6498 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2ESVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2 µs, 1.5 µs 30V 1.25V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
FOD814A onsemi FOD814A 0.5800
RFQ
ECAD 7648 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD814 AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 MV
MOC3010M onsemi Moc3010m 0.8300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc301 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 60 Ma 4170vrms 250 V 100 µA (topos) No - 15 Ma -
HMHA2801R4V onsemi HMHA2801R4V -
RFQ
ECAD 1913 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA28 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 600% @ 5MA - 300mv
HMA124V onsemi HMA124V -
RFQ
ECAD 8248 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA124 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA - 400mv
MOC3051FVM onsemi Moc3051fvm -
RFQ
ECAD 9625 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc305 Ur, vde 1 Triac 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3051FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 7500vpk 600 V 280 µA (tipos) No 1kV/µs 15 Ma -
H24B2 onsemi H24B2 -
RFQ
ECAD 8278 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H24B Corriente Continua 1 Darlington 4 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 100mA - 30V 1.7V (Máximo) 60 Ma 5300 VRMS 400% @ 5MA - 105 µs, 60 µs 1V
FODM2701R2V onsemi FODM2701R2V -
RFQ
ECAD 3216 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM27 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
HCPL4503SDVM onsemi HCPL4503SDVM 2.8600
RFQ
ECAD 7722 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL4503 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 250ns, 260ns -
H11B255300 onsemi H11B255300 -
RFQ
ECAD 4726 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11B Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B255300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 25 µs, 18 µs 1V
MOC3041TVM onsemi Moc3041tvm 1.3500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc304 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado MOC3041TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.25V 60 Ma 4170vrms 400 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 15 Ma -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock