SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
MCT6SD onsemi MCT6SD 1.1500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota MCT6 Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 30mera - 30V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 20% @ 10mA - 2.4 µs, 2.4 µs 400mv
MCT2201 onsemi MCT2201 -
RFQ
ECAD 6374 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2201-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
HMA121FR1V onsemi HMA121FR1V -
RFQ
ECAD 8936 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
FODM8061R2 onsemi FODM8061R2 3.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables FODM8061 Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 3V ~ 5.5V 5-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50 Ma 10Mbps 20ns, 10ns 1.45V 50mera 3750vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
MOC3041FVM onsemi Moc3041fvm -
RFQ
ECAD 9618 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc304 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3041FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 400 V 400 µA (topos) Si - 15 Ma -
HMA121DR2 onsemi HMA121DR2 -
RFQ
ECAD 5084 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 100% @ 5MA - 400mv
CNW139 onsemi CNW139 -
RFQ
ECAD 9123 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNW13 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 40 60mera - 18V - 100 mA 1000 VRMS 500% @ 1.6MA - - -
HCPL0601R1V onsemi HCPL0601R1V -
RFQ
ECAD 2637 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL06 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (Max) 50mera 3750vrms 1/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
FOD817D onsemi FOD817D 0.4400
RFQ
ECAD 5772 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2156-FOD817D-488 EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
FODM8801C onsemi FODM8801C 2.0800
RFQ
ECAD 7134 0.00000000 onde Optohit ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FODM8801 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 30mera 5 µs, 5.5 µs 75V 1.35V 20 Ma 3750vrms 200% @ 1MA 400% @ 1MA 6 µs, 6 µs 400mv
MOCD211R1VM onsemi Mocd211r1vm -
RFQ
ECAD 5539 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOCD21 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 20% @ 10mA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
MOC206R2M onsemi MOC206R2M 0.7500
RFQ
ECAD 3686 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Moc206 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
MCT9001W onsemi MCT9001W -
RFQ
ECAD 9652 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MCT9 Corriente Continua 2 Transistor 8 mdip descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT9001W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 30mera 2.4 µs, 2.4 µs 55V 1V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
H11N1VM onsemi H11N1VM 7.3700
RFQ
ECAD 810 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11N1 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4V ~ 15V 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30mera 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
FOD8320R2V onsemi FOD8320R2V 6.4500
RFQ
ECAD 2552 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.362 ", 9.20 mm de ancho), 5 cables FOD8320 Acoplamiento óptico IEC/EN/DIN, UL 1 5-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 2a, 2a 3A 60ns, 60ns 1.5V 25 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 400ns, 400ns 100ns 16V ~ 30V
CNY171300W onsemi CNY171300W -
RFQ
ECAD 5018 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNY171 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY171300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
MOC81063SR2 onsemi MOC81063SR2 -
RFQ
ECAD 3783 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA 150% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
MCT5210VM onsemi MCT5210VM -
RFQ
ECAD 3437 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT5 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.25V 50 Ma 4170vrms 70% @ 3MA - 10 µs, 400ns 400mv
HMA121V onsemi HMA121V -
RFQ
ECAD 3469 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
FODM121BR1V onsemi FODM121BR1V -
RFQ
ECAD 8603 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM12 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA - 400mv
FODM3052R2 onsemi FODM3052R2 -
RFQ
ECAD 3266 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
FOD2742CR2 onsemi FOD2742CR2 -
RFQ
ECAD 7319 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD274 Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera - 70V 1.2V 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
H11L2SVM onsemi H11L2SVM 2.0400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11L2 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 15V 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11L2SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30mera 4170vrms 1/0 - 4 µs, 4 µs
H11AA1SM onsemi H11AA1SM 0.8900
RFQ
ECAD 479 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11AA AC, DC 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50mera - 30V 1.17V 60 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - - 400mv
MOC3020FVM onsemi MOC3020FVM -
RFQ
ECAD 4110 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc302 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3020FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 400 V 100 µA (topos) No - 30mera -
FOD617DW onsemi FOD617DW -
RFQ
ECAD 1137 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD617 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA - 400mv
FOD817C3S onsemi FOD817C3S 0.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-FOD817C3S EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
FOD2741CTV onsemi FOD2741CTV -
RFQ
ECAD 1617 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD274 Corriente Continua 1 Transistor 8 mdip descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
H11B3SD onsemi H11B3SD -
RFQ
ECAD 4265 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11B Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B3SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
MOC3052FVM onsemi Moc3052fvm -
RFQ
ECAD 1872 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc305 Ur, vde 1 Triac 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3052FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 7500vpk 600 V 280 µA (tipos) No 1kV/µs 10 Ma -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    Almacén en stock