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Aisladores (840)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
FOD050LR2 Fairchild Semiconductor FOD050LR2 -
RFQ
 ECAD 3006 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar EAR99 8541.49.8000 75 8 MA - 7V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 15% @ 16MA 50% @ 16MA 1 µs, 1 µs (max) -
MOC205VM Fairchild Semiconductor Moc205vm 0.2300
RFQ
 ECAD 1988 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 450 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
FOD814ASD Fairchild Semiconductor Fod814asd -
RFQ
 ECAD 4109 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 MV
CNY171SM Fairchild Semiconductor CNY171SM 0.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1.156 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
FODM3052R3 Fairchild Semiconductor FODM3052R3 0.5100
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 500 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
FODM3021R3 Fairchild Semiconductor FODM3021R3 0.4500
RFQ
 ECAD 6714 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 500 1.2V 60 Ma 3750vrms 400 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 15 Ma -
MOC3062VM Fairchild Semiconductor Moc3062vm -
RFQ
 ECAD 4361 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc306 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 10 Ma -
HCPL0639R2 Fairchild Semiconductor HCPL0639R2 1.0000
RFQ
 ECAD 1368 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar 0000.00.0000 1 15 Ma 10Mbps 17ns, 5ns 1.75V (Max) - 3750vrms 2/0 25kV/µs 75ns, 75ns
HMA121F Fairchild Semiconductor HMA121F 1.0000
RFQ
 ECAD 4653 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
FOD3150SDV Fairchild Semiconductor FOD3150SDV -
RFQ
 ECAD 2973 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Acoplamiento óptico IEC, UL 1 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 322 1a, 1a 1.5a 60ns, 60ns 1.5V 25 Ma 5000 VRMS 20kV/µs 500ns, 500ns 300ns 15V ~ 30V
H11L1M Fairchild Semiconductor H11L1M -
RFQ
 ECAD 7857 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 16V 6 Dipp descascar 0000.00.0000 1 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.15V 60mera 5000 VRMS 1/0 - 4 µs, 4 µs
FOD817B3S Fairchild Semiconductor FOD817B3S -
RFQ
 ECAD 7485 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
FOD3150TSR2V Fairchild Semiconductor FOD3150TSR2V -
RFQ
 ECAD 8387 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Acoplamiento óptico IEC, UL 1 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 1a, 1a 1.5a 60ns, 60ns 1.5V 25 Ma 5000 VRMS 20kV/µs 500ns, 500ns 300ns 15V ~ 30V
H11G3300W Fairchild Semiconductor H11G3300W 0.2800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS 200% @ 1MA - 5 µs, 100 µs 1.2V
MOC215R1M Fairchild Semiconductor MOC215R1M 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar No Aplicable EAR99 8541.49.8000 1.664 150 Ma 3 µs, 3 µs 30V 1.07V 60 Ma 2500 VRMS 20% @ 1MA - 4 µs, 4 µs 400mv
MOC3043VM Fairchild Semiconductor Moc3043vm 0.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc304 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 427 1.25V 60 Ma 4170vrms 400 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 5 mm -
FOD4118TV Fairchild Semiconductor Fod4118tv -
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD4118 CSA, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 800 V 500 µA Si 10 kV/µs 1.3MA 60 µs
FOD815W Fairchild Semiconductor FOD815W -
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Corriente Continua 1 Darlington 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 60 µs, 53 µs 35V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1V
HMA2701V Fairchild Semiconductor HMA2701V 1.0000
RFQ
 ECAD 8222 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
CNY172S Fairchild Semiconductor CNY172S 1.0000
RFQ
 ECAD 2463 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
FODM3011R3V Fairchild Semiconductor FODM3011R3V 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 10 Ma -
FODM3083 Fairchild Semiconductor FODM3083 -
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota UL, VDE 1 Triac 4-SMD - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FODM3083-600039 1 1.5V (Máximo) 60 Ma 3750vrms 800 V 70 Ma 300 µA Si 600V/µs 5 mm -
FOD3181TV Fairchild Semiconductor FOD3181TV 1.1400
RFQ
 ECAD 727 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -20 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Acoplamiento óptico Cul, UL, VDE 1 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.49.8000 1,000 500 Ma, 500 Ma 1.5a 75ns, 55ns 1.5V 25 Ma 5000 VRMS 10 kV/µs 500ns, 500ns - 10V ~ 20V
H11G2VM Fairchild Semiconductor H11G2VM -
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1 - - 80V 1.3V 60 Ma 4170vrms 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1V
FOD8332V Fairchild Semiconductor FOD8332V 4.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Acoplamiento óptico IEC/EN/DIN, UL 1 16-SO descascar EAR99 8541.49.8000 64 2.5a, 2.5a 3A 50ns, 50ns 1.45V 25 Ma 4243vrms 35kV/µs 250ns, 250ns 100ns 3V ~ 15V
H11D3SM Fairchild Semiconductor H11D3SM 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 580 100mA - 200V 1.15V 80 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
MOC206R1M Fairchild Semiconductor Moc206r1m 0.3300
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar No Aplicable EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
4N35VM Fairchild Semiconductor 4N35VM 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 1.285 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
MOCD207VM Fairchild Semiconductor MOCD207VM -
RFQ
 ECAD 7987 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar EAR99 8541.49.8000 1 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 70V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
MOC3042FR2M Fairchild Semiconductor MOC3042FR2M 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc304 - 1 Triac 6-SMD descascar No Aplicable EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 400 V 400 µA (topos) Si - 10 Ma -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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