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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Fod2711a | 0.6100 |  | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 495 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||||||
 | FOD3150S | 0.8500 | | 910 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | FOD3150 | Acoplamiento óptico | Ul | 1 | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 353 | 1a, 1a | 1.5a | 60ns, 60ns | 1.5V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20kV/µs | 500ns, 500ns | 300ns | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||
 | FOD3182S | 1.2800 | | 11 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Acoplamiento óptico | Ul | 1 | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 235 | 2.5a, 2.5a | 3A | 38ns, 24ns | 1.43V | 25 Ma | 5000 VRMS | 35kV/µs | 210ns, 210ns | 65ns | 10V ~ 30V | |||||||||||||||||||||
 | 4N36VM | - | | 3915 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 100% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | FODM1008 | 0.1700 | | 19 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.862 | 50mera | 5.7 µs, 8.5 µs | 70V | 1.4V | 50 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 300mv | |||||||||||||||||||||
 | HCPL2631V | - | | 5744 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 2 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1.4V | 30mera | 2500 VRMS | 2/0 | 5kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||||
 | 6N139S | 0.5400 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 60mera | - | 18V | 1.3V | 20 Ma | 2500 VRMS | 500% @ 1.6MA | - | 1,5 µs, 7 µs | - | ||||||||||||||||||||
 | FOD3150TV | 0.9100 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Acoplamiento óptico | IEC, UL | 1 | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 356 | 1a, 1a | 1.5a | 60ns, 60ns | 1.5V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20kV/µs | 500ns, 500ns | 300ns | 15V ~ 30V | |||||||||||||||||||||
 | HCPL2731M | - | | 6514 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 2 | Darlington | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 60mera | - | 18V | 1.3V | 20 Ma | 5000 VRMS | 500% @ 1.6MA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
| CNY17F3300 | 0.0900 | | 1115 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 955 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| HCPL2630M | - | | 9916 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 2 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 21 | 50 Ma | 10Mbps | 30ns, 10ns | 1.45V | 30mera | 5000 VRMS | 2/0 | 10kV/µs (TÍP) | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||||
| H11AA1VM | 1.0000 | | 3626 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | - | 30V | 1.17V | 60 Ma | 4170vrms | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | |||||||||||||||||||||
| FODM3063 | - | | 6639 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | Ul | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | Si | 600V/µs | 5 mm | - | |||||||||||||||||||||
| MCT2M | 0.0700 | | 6511 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.384 | - | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.23V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
| FOD2743CSV | 0.3300 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 70V | 1.07V | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 100% @ 1MA | - | 400mv | |||||||||||||||||||||
| HMHA281R2V | - | | 7449 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | HMHA281 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-Mini-Flat | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 400mv | ||||||||||||||||||||
| Moc3032vm | 0.4500 | | 974 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc303 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 668 | 1.25V | 60 Ma | 4170vrms | 250 V | 400 µA (topos) | Si | 1kV/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||||||||
 | HMHA281R2 | - | | 1493 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-Mini-Flat | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 400mv | |||||||||||||||||||||
 | Moc3020VM | - | | 8791 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc302 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 400 V | 100 µA (topos) | No | - | 30mera | - | |||||||||||||||||||||
| 4N37VM | 1.0000 | | 3569 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 0000.00.0000 | 1 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 100% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||||
| 6N136SV | - | | 5286 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 70 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 500ns | - | ||||||||||||||||||||
 | HCPL0611R2 | 2.6500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 114 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1.75V (Max) | 50mera | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||||
| HCPL0700 | 1.1600 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 260 | 60mera | - | 7V | 1.25V | 20 Ma | 2500 VRMS | 300% @ 1.6MA | 2600% @ 1.6MA | 1 µs, 7 µs | - | |||||||||||||||||||||
 | Fodm121v | - | | 3981 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 240 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 400mv | |||||||||||||||||||||
| 4N25TVM | 0.2700 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.122 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 20% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 500mv | |||||||||||||||||||||
 | CNY17F2SVM | 0.2100 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.534 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||
 | 6N136TSR2VM | 1.0000 | | 2028 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 250ns, 260ns | - | |||||||||||||||||||||
 | Fodm8061v | 1.1100 | | 2430 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 3V ~ 5.5V | 5-Mini-Flat | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 98 | 50 Ma | 10Mbps | 20ns, 10ns | 1.45V | 50mera | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||||||||
| MCT2103S | 1.0000 | | 2903 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 11 µs | 30V | 1.33V | 100 mA | 5300 VRMS | 150% @ 10mA | - | 1 µs, 50 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
 | FOD816S | 1.0000 | | 5645 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Darlington | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 80mera | 60 µs, 53 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 600% @ 1MA | 7500% @ 1MA | - | 1V |
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