SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP130(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP130 (GB-TPR, F) -
RFQ
ECAD 9661 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP130 AC, DC 1 Base de transistor 6-mfsop, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP250H(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (LF5, F) -
RFQ
ECAD 2930 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP250 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 10V ~ 30V 8-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP250H (LF5F) EAR99 8541.49.8000 50 2 A - 50ns, 50ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 40kV/µs 500ns, 500ns
TLP5705H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (D4TP4, E 1.9900
RFQ
ECAD 8441 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP2745(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745 (TP, E 1.1100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2745 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 30V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 50 Ma - 3ns, 3ns 1.55V 15 Ma 5000 VRMS 1/0 30kV/µs 120ns, 120ns
TLP351(D4-TP5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351 (D4-TP5, Z, F) -
RFQ
ECAD 7659 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP351 - 1 (ilimitado) 264-TLP351 (D4-TP5ZF) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP292-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4GBTRE 1.7900
RFQ
ECAD 2512 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP2303(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303 (TPL, E 0.8300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2303 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera - 18V - 20 Ma 3750vrms 500% @ 5MA - - -
TLP748J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP748J (f) 1.8600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP748 BSI, SEMKO, UR 1 SCR 6 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50 Ma 4000 VRMS 600 V 150 Ma 1mera No 5V/µs 10 Ma 15 µs
TLP620-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (f) -
RFQ
ECAD 4048 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP620 AC, DC 4 Transistor 16 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 25 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP550(Y-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Y-LF1, F) -
RFQ
ECAD 4671 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550 (Y-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP358(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358 (D4-TP1, F) -
RFQ
ECAD 1860 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP358 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 8-SMD descascar 264-TLP358 (D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 5.5 A - 17ns, 17ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 500ns, 500ns
TLP292-4(LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LA, E 1.7900
RFQ
ECAD 5078 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP718F(D4-FA-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F (D4-FA-TP, F -
RFQ
ECAD 5186 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP718F (D4-FA-TPF EAR99 8541.49.8000 1 5Mbps - - - 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLX9185(KBDGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (KBDGBTLF (O -
RFQ
ECAD 8129 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLX9185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP - 264-TLX9185 (KBDGBTLF (O EAR99 8541.49.8000 1 50mera 3 µs, 5 µs 80V 1.27V 30 Ma 3750vrms 20% @ 5MA 600% @ 5MA 5 µs, 5 µs 400mv
TLP550(HITACHI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Hitachi, F) -
RFQ
ECAD 9304 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550 (Hitachif) EAR99 8541.49.8000 50
TLP732(D4-GB-LF4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4-GB-LF4, F -
RFQ
ECAD 4214 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimitado) 264-TLP732 (D4-GB-LF4F EAR99 8541.49.8000 50
TLP719F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F (f) -
RFQ
ECAD 3997 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP719 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-sdip - 264-TLP719F (f) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP716F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716F (ABB-TP, F) -
RFQ
ECAD 6660 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP716 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V 6-sdip descascar 264-TLP716F (ABB-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10 Ma 15mbd 15ns, 15ns 1.65V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
TLP385(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4GB-TR, E 0.5600
RFQ
ECAD 8208 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP104(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104 (V4, E 1.5100
RFQ
ECAD 4721 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP104 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 30V 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 8 MA 1Mbps - 1.61V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
TLP734F(D4GRLF4,MF Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4GRLF4, MF -
RFQ
ECAD 8383 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimitado) 264-TLP734F (D4GRLF4MF EAR99 8541.49.8000 50
TLP624-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 (f) -
RFQ
ECAD 3253 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP624 Corriente Continua 2 Transistor 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP785F(D4-BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-BL, F -
RFQ
ECAD 1512 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (D4-Blf EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP161G(T7TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G (T7TR, U, C, F -
RFQ
ECAD 7059 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (ilimitado) 264-TLP161G (T7TRUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP627M(D4-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (D4-LF1, E 0.9300
RFQ
ECAD 4484 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) TLP627 Corriente Continua 1 Darlington 4-SMD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 150 Ma 60 µs, 30 µs 300V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 110 µs, 30 µs 1.2V
TLP137(BV-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (BV-TPL, F) -
RFQ
ECAD 1862 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP137 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-mfsop, 5 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP137 (BV-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 8 µs, 8 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 200% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP292-4(V4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4-GB, E 1.7900
RFQ
ECAD 6099 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP532(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (GR-LF2, F) -
RFQ
ECAD 1206 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP532 - 1 (ilimitado) 264-TLP532 (GR-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP161J(V4T5TRUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (V4T5TRUC, F -
RFQ
ECAD 7918 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (ilimitado) 264-TLP161J (V4T5TRUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP2630(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630 (Mat, F) -
RFQ
ECAD 8093 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP2630 - 1 (ilimitado) 264-TLP2630 (MATF) EAR99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock