SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP292-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (4LGBTRE 1.7900
RFQ
ECAD 8134 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP785(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (TP6, F) 0.6400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 4.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP731(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (GR, F) -
RFQ
ECAD 7253 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP731 - 1 (ilimitado) 264-TLP731 (GRF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP281(GB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP281 (GB-TP, F) -
RFQ
ECAD 2615 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TLP281 Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP250H(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (TP5, F) -
RFQ
ECAD 9916 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP250 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 10V ~ 30V 8-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP250H (TP5F) TR EAR99 8541.49.8000 1.500 2 A - 50ns, 50ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 40kV/µs 500ns, 500ns
TLP2366(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366 (TPL, E 1.4000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2366 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 Ma 20mbd 15ns, 15ns 1.61V 25 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 40ns, 40ns
TLP168J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP168J (TPR, U, C, F) -
RFQ
ECAD 1634 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP168 Tu 1 Triac 6-mfsop, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1.4V 20 Ma 2500 VRMS 600 V 70 Ma 600 µA (topos) Si 200V/µs 3mera -
TLP2312(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 (V4-TPL, E 1.7100
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2312 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.2V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) 264-TLP2312 (V4-TPLETR EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA 5Mbps 2.2ns, 1.6ns 1.53V 8 MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP5702(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (D4-TP4, E 1.5200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5702 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
TLP160J(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (T7TL, U, C, F -
RFQ
ECAD 4923 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP160J - 1 (ilimitado) 264-TLP160J (T7TLUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP161J(V4-U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (V4-U, C, F) -
RFQ
ECAD 3578 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161J - 1 (ilimitado) 264-TLP161J (V4-UCF) TR EAR99 8541.49.8000 150
TLP781(D4-GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-Gr, F) -
RFQ
ECAD 8794 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 5A991G 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP351F(TP4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351F (TP4, Z, F) -
RFQ
ECAD 7155 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP351 - 1 (ilimitado) 264-TLP351F (TP4ZF) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP785(D4-GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-GRH, F -
RFQ
ECAD 7042 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785 (D4-GRHF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2372(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (V4-TPR, E 1.9100
RFQ
ECAD 4072 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2372 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.2V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA 20Mbps 2.2ns, 1.6ns 1.53V 8 MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 75ns, 75ns
TLP121(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (f) -
RFQ
ECAD 7773 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP121 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP9104(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104 (HNE-TL, F) -
RFQ
ECAD 8396 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9104 (HNE-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP104(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104 (V4-TPL, E 1.5200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP104 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 30V 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA 1Mbps - 1.61V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
TLP781(D4-TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-Tels, F) -
RFQ
ECAD 1749 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4-Telsf) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP630(TA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630 (TA, F) -
RFQ
ECAD 4822 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP630 AC, DC 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 264-TLP630 (TAF) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2398(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2398 (E -
RFQ
ECAD 5334 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2398 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 6-so, 5 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP2398 (ETR EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma 5Mbps 15ns, 12ns 1.5V 20 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP182(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (BL, E 0.5700
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP182 (BLE EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP2958F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958F (f) -
RFQ
ECAD 4972 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP2958 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 8 Dipp descascar 264-TLP2958F (f) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 15ns, 10ns 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP385(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GRH-TPL, E 0.5600
RFQ
ECAD 8469 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP785F(D4TEET7F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4Teet7F -
RFQ
ECAD 5501 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (D4Teet7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP292-4(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (E 1.7900
RFQ
ECAD 5139 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP292-4 (E (T EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP290(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (TP, SE 0.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP290 AC, DC 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP385(D4-GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-GRH, E 0.5400
RFQ
ECAD 5312 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (d4-grhe EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP124(TPRS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (TPRS, F) -
RFQ
ECAD 5023 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP124 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP124 (TPRSF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 8 µs, 8 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP185(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (TPR, SE 0.1530
RFQ
ECAD 1778 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock