SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP2761(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (TP4, E -
RFQ
ECAD 7022 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2761 AC, DC 1 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2761 (TP4E EAR99 8541.49.8000 1,000 10 Ma 15mbd 3ns, 3ns 1.5V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP733(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-C172, F) -
RFQ
ECAD 3338 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP733 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp - Cumplimiento de Rohs No Aplicable TLP733 (D4-C172F) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 60 Ma 4000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP267J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J (TPL, E 0.9900
RFQ
ECAD 1432 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP267 CQC, CUR, UR 1 Triac 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1.27V 30 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 200 µA (typ) No 500V/µs (topos) 3mera 100 µs
TLP2370(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 (TPL, E 1.7700
RFQ
ECAD 2071 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2370 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 Ma 20Mbps 3ns, 2ns 1.5V 8 MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP2270(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270 (D4-LF4, E 3.0900
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) TLP2270 AC, DC 2 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 8-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 75 10 Ma 20mbd 1.3ns, 1ns 1.5V 8 MA 5000 VRMS 2/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP3073(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073 (LF1, F 2.0100
RFQ
ECAD 2749 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (5 cables), Ala de Gaviota TLP3073 CQC, CUR, UR 1 Triac 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 800 V 100 mA 1 ma (typ) No 2kV/µs (topos) 5 mm -
TLP385(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GRH-TPL, E 0.5600
RFQ
ECAD 8469 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP188(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188 (GB, E 0.8300
RFQ
ECAD 4747 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP188 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 350V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP358F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358F (TP4, F) -
RFQ
ECAD 6352 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP358 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 8-SMD descascar 264-TLP358F (TP4F) EAR99 8541.49.8000 1 6 A - 17ns, 17ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 500ns, 500ns
TLP781F(D4BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4BLL-F7, F -
RFQ
ECAD 3316 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4BLL-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP127(ISH-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (ISH-TPL, F) -
RFQ
ECAD 5001 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (ISH-TPLF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP2403(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2403 (f) -
RFQ
ECAD 3046 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TLP2403 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2403F EAR99 8541.49.8000 100 60mera - 18V 1.45V 20 Ma 3750vrms 500% @ 1.6MA - 300ns, 1 µs -
TLP785F(BLL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (BLL-T7, F -
RFQ
ECAD 7721 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (BLL-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP5705H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (TP4, E 1.9900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP733(D4-GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-GB, M, F) -
RFQ
ECAD 2075 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP733 - 1 (ilimitado) 264-TLP733 (D4-GBMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP719(D4FA-TPS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719 (D4FA-TPS, F) -
RFQ
ECAD 7188 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor Ala de Gaviota de 6 SDIP - 264-TLP719 (D4FA-TPSF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP504A-2(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A-2 (GB, F) -
RFQ
ECAD 9831 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP504 Corriente Continua 4 Transistor 16 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 25 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP785(D4GB-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4GB-T6, F -
RFQ
ECAD 8586 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785 (D4GB-T6FTR EAR99 8541.49.8000 4.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP750(D4-O-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-O-TP4, F) -
RFQ
ECAD 1204 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (ilimitado) 264-TLP750 (D4-O-TP4F) EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP2116(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2116 (f) -
RFQ
ECAD 6702 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TLP2116 Corriente Continua 2 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V 8-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2116F EAR99 8541.49.8000 100 10 Ma 15mbd 15ns, 15ns 1.65V 20 Ma 2500 VRMS 2/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
TLP293-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4GBTRE 1.6300
RFQ
ECAD 8493 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP631(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (LF5, F) -
RFQ
ECAD 2022 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP631 - 1 (ilimitado) 264-TLP631 (LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP628M(GB-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-LF1, E 0.9200
RFQ
ECAD 5464 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) TLP628 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 5.5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 10 µs, 10 µs 400mv
TLP781(D4GRL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4GRL-LF6, F -
RFQ
ECAD 8041 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4GRL-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP183(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (TPL, E 0.5100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP183 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP531(GR-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (GR-LF1, F) -
RFQ
ECAD 7867 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (ilimitado) 264-TLP531 (GR-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP700A(S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A (S) -
RFQ
ECAD 8457 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP700 - 1 (ilimitado) 264-TLP700A (S) EAR99 8541.49.8000 100
TLP160G(DT-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (DT-TPL, F) -
RFQ
ECAD 8423 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP160G - 1 (ilimitado) 264-TLP160G (DT-TPLF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP2362(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (e) 1.0500
RFQ
ECAD 1673 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2362 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 25 Ma 10mbd 30ns, 30ns 1.55V 25 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 100ns, 100ns
TLP759(MBS-IT,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (MBS-IT, J, F) -
RFQ
ECAD 1082 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (MBS-ITJF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock