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Aisladores (2050)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP532(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (GR-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 1206 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP532 - 1 (ilimitado) 264-TLP532 (GR-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP291(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (e) -
RFQ
 ECAD 1657 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 175 50mera 4 µs, 7 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 400% @ 5MA 7 µs, 7 µs 300mv
TLP161J(V4DMT7TRCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (V4DMT7TRCF -
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (ilimitado) 264-TLP161J (V4DMT7TRCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP532(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (BL, F) -
RFQ
 ECAD 8121 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP532 - 1 (ilimitado) 264-TLP532 (BLF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP3910(D4C20TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 (D4C20TPE 3.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP3910 Corriente Continua 2 Fotovoltaico 6-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - - 24 V 3.3V 30 Ma 5000 VRMS - - 300 µs, 100 µs -
TLP127(MAT-M-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MAT-M-TPL, F -
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (MAT-M-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP5774(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774 (E 2.4500
RFQ
 ECAD 7814 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5774 Acoplamiento óptico CQC, CUR, UR, VDE 1 6-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 1.2a, 1.2a 4A 15ns, 8ns 1.65V 8 MA 5000 VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 10V ~ 30V
TLP785(LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (LF6, F -
RFQ
 ECAD 7433 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785 (LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP3905(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3905 (E 1.8000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP3905 Corriente Continua 1 Fotovoltaico 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 30 µA (typ) - 7V 1.65V 30 Ma 3750vrms - - 300 µs, 1 m -
TLP385(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-TPL, E 0.5400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP9118(MBHA-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (MBHA-TL, F) -
RFQ
 ECAD 4507 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9118 (MBHA-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP626(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (LF2, F) -
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar 264-TLP626 (LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP104(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104 (V4, E 1.5100
RFQ
 ECAD 4721 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP104 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 30V 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 8 MA 1Mbps - 1.61V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
TLP185(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (TPR, SE 0.1530
RFQ
 ECAD 1778 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP161G(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G (U, C, F) -
RFQ
 ECAD 8267 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables Tlp161g Tu 1 Triac 6-mfsop, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 150 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 400 V 70 Ma 600 µA (topos) Si 200V/µs 10 Ma -
TLP531(HIT-BL-T1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (Hit-BL-T1, F -
RFQ
 ECAD 3100 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (ilimitado) 264-TLP531 (Hit-BL-T1F EAR99 8541.49.8000 50
TLP750(D4-O-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-O-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 5978 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (ilimitado) 264-TLP750 (D4-O-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP124(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (TPL, F) -
RFQ
 ECAD 1975 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP124 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP124 (TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 8 µs, 8 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP550(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (f) -
RFQ
 ECAD 6265 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP550 Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 15V 1.65V 25 Ma 2500 VRMS 10% @ 16MA - 300ns, 1 µs -
TLP267J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J (TPL, E 0.9900
RFQ
 ECAD 1432 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP267 CQC, CUR, UR 1 Triac 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1.27V 30 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 200 µA (typ) No 500V/µs (topos) 3mera 100 µs
6N137F Toshiba Semiconductor and Storage 6N137F -
RFQ
 ECAD 3245 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 6N137 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 10mbd 30ns, 30ns 1.65V 20 Ma 2500 VRMS 1/0 200V/µs, 500V/µs (TYP) 75ns, 75ns
TLP2301(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2301 (TPL, E 0.6000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP2301 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera - 40V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 1MA 600% @ 1MA - 300mv
TLP265J(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (V4, E 0.8400
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP265 CQC, CUR, UR, VDE 1 Triac 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP265J (V4E EAR99 8541.49.8000 125 1.27V 50 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 1 ma (typ) No 500V/µs (topos) 10 Ma 20 µs
TLP292-4(V4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4-TP, E 1.7900
RFQ
 ECAD 1944 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP385(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GRH-TPL, E 0.5600
RFQ
 ECAD 8469 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP293-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (LGBTR, E 1.6300
RFQ
 ECAD 8340 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP759(MBS-IT,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (MBS-IT, J, F) -
RFQ
 ECAD 1082 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (MBS-ITJF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP293-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (LA-TR, E 1.6300
RFQ
 ECAD 7543 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP155E(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E (TPL, E) 1.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP155 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 10V ~ 30V 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 - 35ns, 15ns 1.55V 20 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 170ns, 170ns
TLP626(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (Sanyd, F) -
RFQ
 ECAD 1971 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar 264-TLP626 (sanydf) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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