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Aisladores (2050)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP701H (GEHC, F) | - |  | 1375 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Acoplamiento óptico | CSA, CUL, UL, VDE | 2 | 6-sdip | descascar | 1 | 400 Ma, 400 Ma | 200 MMA | 50ns, 50ns | 1.57V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20kV/µs | 700ns, 700ns | 500ns | 10V ~ 30V | ||||||||||||||||||||||||||
| TLP9121A (FD-GBTL, F | - | | 5947 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9121A (FD-GBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127 (OME-TPR, F) | - | | 4020 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (OME-TPRF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||||||||||||
| TLP131 (GR, F) | - | | 3937 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP131 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-mfsop, 5 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP131 (GRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP281-4 (TP, J, F) | - | | 4954 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TLP281 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SOP | descascar | 1 (ilimitado) | 5A991G | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||
| TLP9121A (PASGBTL, F | - | | 1110 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9121A (PASGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP120 (GR-TPR, F) | - | | 8321 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP120 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP120 (GR-TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP250H (LF1, F) | 1.7800 | | 20 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP250 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 10V ~ 30V | 8-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP250H (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2.5 A | - | 50ns, 50ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 40kV/µs | 500ns, 500ns | ||||||||||||||||||||
| TLP620-4 (Meiden, f) | - | | 5354 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP620 | AC, DC | 4 | Transistor | 16 Dipp | descascar | 264-TLP620-4 (Meidenf) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||
 | TLP385 (D4-GB, E | 0.5400 | | 9333 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP385 (D4-GBE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP523 (LF1, F) | - | | 8993 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP523 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP523 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP293-4 (V4GBTPE | 1.6300 | | 3551 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||||
 | TLP785F (GB-LF7, F | - | | 8031 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (GB-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||
 | TLP557 (f) | - | | 1392 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 70 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Controlador de Transistor de Energía | TLP557 | Corriente Continua | Tu | 1 | 5V ~ 13V | 8 Dipp | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP557F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 320 mm | 50ns, 50ns | 1.55 V | 25 Ma | 2500 VRMS | 2kV/µs | 5 µs, 5 µs | |||||||||||||||||||||
 | TLP293 (GB-TPL, E | 0.5100 | | 1851 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||||
| TLP624-2 (LF1, F) | - | | 6546 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP624 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP624-2 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP383 (TPL, E | - | | 4280 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP383 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP383 (TPLETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||||
| TLP383 (D4, E | - | | 1774 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP383 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP383 (D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||||
| TLP759 (FA1-T1S, J, F | - | | 2446 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759 (FA1-T1SJF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| TLP5774H (E | 2.4800 | | 6998 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5774 | Acoplamiento Capacitivo | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP5774H (E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 4a, 4a | 4A | 56ns, 25ns | 1.65V | 8 MA | 5000 VRMS | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10V ~ 30V | |||||||||||||||||||||
 | TLP268J (E | 1.0100 | | 7458 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP268 | CQC, CUR, UR | 1 | Triac | 6-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 200 µA (typ) | Si | 500V/µs (topos) | 3mera | 100 µs | |||||||||||||||||||||
| TLP5774H (TP, E | 2.5100 | | 975 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5774 | Acoplamiento Capacitivo | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 4a, 4a | 4A | 56ns, 25ns | 1.65V | 8 MA | 5000 VRMS | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10V ~ 30V | ||||||||||||||||||||||
 | TLP104 (TPR, E) | 1.5200 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP104 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | 6-so, 5 Plomo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 MA | 1Mbps | - | 1.61V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||||||||
| TLP734F (D4-GB, M, F) | - | | 8900 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP734F (D4-GBMF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP118 (E | 2.0200 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP118 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 25 Ma | - | 30ns, 30ns | - | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||||||
| TLP127 (KMC-TPL, F) | - | | 9945 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (KMC-TPLF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||||||||||||
| TLP2631 (TP5, F) | - | | 7126 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP2631 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP2631 (TP5F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F (D4-Y-TP7, F | - | | 9935 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-Y-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||
 | TLP5214A (TP, E | 7.6200 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5214 | Acoplamiento óptico | 1 | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 3a, 3a | 4A | 32ns, 18ns | 1.7V (Máximo) | 25 Ma | 5000 VRMS | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||||
| TLP250H (D4-LF1, F) | 1.7400 | | 53 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP250 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 10V ~ 30V | 8-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | TLP250H (D4-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2.5 A | - | 50ns, 50ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 40kV/µs | 500ns, 500ns |
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