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Aisladores (2050)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max)
TLP700H(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700H (TP, F) -
RFQ
 ECAD 9003 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Acoplamiento óptico CSA, CUL, UL, VDE 2 6-sdip descascar 1 2a, 2a 2a 15 µs, 8 µs 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 20kV/µs 500ns, 500ns 250ns 15V ~ 30V
TLP781(D4-GRL-FD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GRL-FD, F -
RFQ
 ECAD 2890 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4-GRL-FDF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP550(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Y, F) -
RFQ
 ECAD 7449 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550 (YF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP350(D4-TP1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350 (D4-TP1, Z, F) -
RFQ
 ECAD 7497 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP350 - 1 (ilimitado) 264-TLP350 (D4-TP1ZF) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP9104A(TOYOGTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (Toyogtl, F -
RFQ
 ECAD 3431 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9104A (TOYOGTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP161G(T5TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G (T5TL, U, C, F -
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto Tlp161g - 1 (ilimitado) 264-TLP161G (T5TLUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP3906(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3906 (TPL, E 1.9500
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP3906 Corriente Continua 1 Fotovoltaico 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 12 µA - 7V 1.65V 30 Ma 3750vrms - - 200 µs, 300 µs -
TLP785F(Y,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (Y, F -
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (YF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2395(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2395 (TPL, E -
RFQ
 ECAD 6515 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2395 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 6-so, 5 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP2395 (TPLETR EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma 5Mbps 15ns, 12ns 1.5V 20 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP620F-2(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620F-2 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 9366 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) - 2 Transistor 8 Dipp - 264-TLP620F-2 (D4F) EAR99 8541.49.8000 1 50mera - 55V - 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - -
TLP785F(Y-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (Y-LF7, F -
RFQ
 ECAD 7022 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (Y-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP5772H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (D4-TP, E 2.4900
RFQ
 ECAD 6696 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5772 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 56ns, 25ns 1.55V 8 MA 5000 VRMS 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP523-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-2 (f) -
RFQ
 ECAD 2397 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP523 - 1 (ilimitado) 264-TLP523-2 (f) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2451A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2451A (f) -
RFQ
 ECAD 4826 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TLP2451 Acoplamiento óptico CSA, CUL, UL 1 8-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2451AF EAR99 8541.49.8000 100 400 Ma, 400 Ma 600mA 50ns, 50ns 1.55V 25 Ma 3750vrms 20kV/µs 500ns, 500ns 350ns 10V ~ 30V
TLP700F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700F (ABB-TP, F) -
RFQ
 ECAD 3397 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP700 Acoplamiento óptico - 1 Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP700F (ABB-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 - 2a - - 5000 VRMS 15kV/µs 500ns, 500ns - 15V ~ 30V
TLP250(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (TP5, F) -
RFQ
 ECAD 3920 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP250 - 1 (ilimitado) 264-TLP250 (TP5F) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP352(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352 (TP1, F) 1.9900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP352 Acoplamiento óptico CSA, CUL, UL 1 8-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 2a, 2a 2.5a 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 3750vrms 20kV/µs 200ns, 200ns 50ns 15V ~ 30V
TLP5214A(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5214A (TP, E 7.6200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5214 Acoplamiento óptico 1 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 3a, 3a 4A 32ns, 18ns 1.7V (Máximo) 25 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP705A(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705A (TP, F) -
RFQ
 ECAD 2357 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP705 Acoplamiento óptico cur, ur, vde 1 6-sdip descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 400 Ma, 400 Ma 600mA 35ns, 15ns 1.57V 25 Ma 5000 VRMS 20kV/µs 200ns, 200ns 50ns 10V ~ 30V
TLP705F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705F (D4, F) -
RFQ
 ECAD 2592 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP705F Acoplamiento óptico TUV, TU 1 Ala de Gaviota de 6 SDIP - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP705F (D4F) EAR99 8541.49.8000 50 - 450 mm - - 5000 VRMS 10 kV/µs 200ns, 200ns - 10V ~ 20V
TLP2312(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 (V4, E 1.7100
RFQ
 ECAD 2802 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2312 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.2V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 8 MA 5Mbps 2.2ns, 1.6ns 1.53V 8 MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP759(D4IM-F5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4IM-F5, J, F -
RFQ
 ECAD 2025 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (D4IM-F5JF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP759(D4-TP4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-TP4, J, F) -
RFQ
 ECAD 8421 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar 264-TLP759 (D4-TP4JF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP5702(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (TP4, E 1.5600
RFQ
 ECAD 7130 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5702 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
TLP9118(HITJ-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (Hitj-TL, F) -
RFQ
 ECAD 7220 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9118 (hitj-tlf) EAR99 8541.49.8000 1
TLP108(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108 (TPR, F) -
RFQ
 ECAD 9357 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V 6-mfsop, 5 Plomo descascar 264-TLP108 (TPRF) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLP785F(BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (BL, F -
RFQ
 ECAD 6029 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (BLF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP108(DPW-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108 (DPW-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 9586 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V 6-mfsop, 5 Plomo descascar 264-TLP108 (DPW-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLP785(D4GR-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4GR-F6, F -
RFQ
 ECAD 7555 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785 (D4GR-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP350F(LF4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350F (LF4, Z, F) -
RFQ
 ECAD 2540 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP350 - 1 (ilimitado) 264-TLP350F (LF4ZF) EAR99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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