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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tipo de Canal | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Poder aislado | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Calificante | Calificante |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP108 (TPR, F) | - | ![]() | 9357 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 6-mfsop, 5 Plomo | descascar | 264-TLP108 (TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP785F (BL, F | - | ![]() | 6029 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (BLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
![]() | TLP108 (DPW-TPL, F) | - | ![]() | 9586 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 6-mfsop, 5 Plomo | descascar | 264-TLP108 (DPW-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP785 (D4GR-F6, F | - | ![]() | 7555 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (D4GR-F6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
![]() | TLP350F (LF4, Z, F) | - | ![]() | 2540 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP350 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP350F (LF4ZF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLPN137 (TP1, S) | - | ![]() | 5495 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLPN137 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLPN137 (TP1S) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP700HF (TP, F) | - | ![]() | 6965 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | Acoplamiento óptico | CSA, CUL, UL, VDE | 2 | 6-sdip | descascar | 1 | 2a, 2a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 20kV/µs | 500ns, 500ns | 250ns | 15V ~ 30V | |||||||||||||||||||||||
![]() | TLP715 (D4, F) | - | ![]() | 5372 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP715 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | Ala de Gaviota de 6 SDIP | descascar | 264-TLP715 (D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.6V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||
TLP5752 (D4-TP, E | 2.6500 | ![]() | 758 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5752 | Acoplamiento óptico | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2.5a, 2.5a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15V ~ 30V | |||||||||||||||||||
![]() | TLP785F (GRH, F | - | ![]() | 1176 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (GRHF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
![]() | TLP781F (LF7, F) | - | ![]() | 4839 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (LF7F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
TLP2367 (TPL, E | 0.9641 | ![]() | 4672 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2367 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP2367 (tple | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 Ma | 50mbd | 2ns, 1NS | 1.6V | 15 Ma | 3750vrms | 1/0 | 25kV/µs | 20ns, 20ns | ||||||||||||||||||
![]() | TLP250 (LF2, F) | - | ![]() | 3788 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP250 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP250 (LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP759F (D4ISIMT4JF | - | ![]() | 8985 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759F (D4ISIMT4JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP2312 (V4-TPR, E | 1.7300 | ![]() | 7089 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2312 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.2V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 MA | 5Mbps | 2.2ns, 1.6ns | 1.53V | 8 MA | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||
![]() | TLP552 (MAT-TA, F) | - | ![]() | 6505 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP552 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP552 (MAT-TAF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP731 (D4-Gr-TP1, F | - | ![]() | 3010 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP731 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP731 (D4-Gr-TP1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP750 (D4-TP4, F) | - | ![]() | 9240 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP750 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP750 (D4-TP4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP759F (D4IMT4, J, F | - | ![]() | 7748 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759F (D4IMT4JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP754F (f) | - | ![]() | 8479 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | 8 Dipp | descascar | 264-TLP754F (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP620-4 (D4-LF2, F) | - | ![]() | 5028 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP620 | AC, DC | 4 | Transistor | 16 Dipp | descascar | 264-TLP620-4 (D4-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||
TLP5771H (E | 2.4500 | ![]() | 7397 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5771 | Acoplamiento Capacitivo | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP5771H (E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1a, 1a | 1A | 56ns, 25ns | 1.65V | 8 MA | 5000 VRMS | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10V ~ 30V | |||||||||||||||||||
![]() | TLP754 (D4-TP1, F) | - | ![]() | 1198 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 30V | 8-SMD | descascar | 264-TLP754 (D4-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP9114B (SND-TL, F) | - | ![]() | 7866 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9114B (SND-TL, F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP5771H (TP4, E | 2.6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5771 | Acoplamiento Capacitivo | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1a, 1a | 1A | 56ns, 25ns | 1.65V | 8 MA | 5000 VRMS | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10V ~ 30V | |||||||||||||||||||
![]() | DCL540C01 (T, E | 6.4900 | ![]() | 4039 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | DCL540X01 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Propósito general | DCL540 | Acoplamiento magnético | 4 | 2.25V ~ 5.5V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1.500 | 150Mbps | Unidireccional | 0.9ns, 0.9ns | 5000 VRMS | Si | 4/0 | 100kV/µs | 18.3ns, 18.3ns | 2.8ns | ||||||||||||||||||||
![]() | TLX9291A (GBTPL, F | 3.1500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLX9291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 5 µs, 5 µs | 400mv | Automotor | AEC-Q101 | |||||||||||||||||
![]() | TLP759 (D4-MBS, J, F) | - | ![]() | 1349 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP759 (D4-MBSJF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP385 (YH, E | 0.5500 | ![]() | 7800 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP385 (Yhe | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||
![]() | TLP781 (D4-BL-TP6, F | - | ![]() | 4649 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4-BL-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv |
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