SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP352F(D4-TP4,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352F (D4-TP4, S) -
RFQ
ECAD 6364 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP352F - 1 (ilimitado) 264-TLP352F (D4-TP4S) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP781(D4-GB-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GB-TP6, F -
RFQ
ECAD 7972 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4-GB-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP352(D4,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352 (D4, S) -
RFQ
ECAD 3732 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP352 - 1 (ilimitado) 264-TLP352 (D4S) EAR99 8541.49.8000 50
TLP385(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GB, E 0.5500
RFQ
ECAD 4799 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (GBE EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP624-2(BV-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 (BV-TP5, F) -
RFQ
ECAD 2670 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP624 - 1 (ilimitado) 264-TLP624-2 (BV-TP5F) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP160G(DMT7-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (DMT7-TPL, F -
RFQ
ECAD 7461 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP160 - 1 (ilimitado) 264-TLP160G (DMT7-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP700H(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP700H (D4-MBSTP, F -
RFQ
ECAD 7823 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Acoplamiento óptico CSA, CUL, UL, VDE 2 6-sdip descascar 1 2a, 2a 2a 15 µs, 8 µs 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 20kV/µs 500ns, 500ns 250ns 15V ~ 30V
TLP550(MEIDEN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Meiden, f) -
RFQ
ECAD 7226 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550 (Meidenf) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2719(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719 (E 1.7200
RFQ
ECAD 1683 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2719 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 20V 6-SO descascar 1 (ilimitado) 264-TLP2719 (E EAR99 8541.49.8000 125 8 MA 1mbd - 1.6V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 800ns, 800ns
TLP2955(MBD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955 (MBD, F) -
RFQ
ECAD 4867 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 8 Dipp descascar 264-TLP2955 (MBDF) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP785F(GRH-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GRH-T7, F -
RFQ
ECAD 4567 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (GRH-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP385(BLL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (BLL-TPR, E 0.5500
RFQ
ECAD 5465 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP3906(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3906 (E 1.9500
RFQ
ECAD 99 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP3906 Corriente Continua 1 Fotovoltaico 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 30 µA (typ) - 7V 1.65V 30 Ma 3750vrms - - 200 µs, 300 µs -
TLP628M(GB-LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-LF5, E 0.9100
RFQ
ECAD 3140 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP628 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 5.5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 10 µs, 10 µs 400mv
TLP759F(FA1T4S,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (FA1T4S, J, F -
RFQ
ECAD 3809 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759F (FA1T4SJF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP2409(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2409 (TP, F) -
RFQ
ECAD 1678 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TLP2409 Corriente Continua 1 Transistor 8-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 16 Ma - 20V 1.57V 25 Ma 3750vrms 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP184(Y-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (Y-TPL, SE 0.4900
RFQ
ECAD 7881 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP184(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (e) -
RFQ
ECAD 9693 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 50mera 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 400% @ 5MA 9 µs, 9 µs 300mv
TLP700A(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A (TP, F) -
RFQ
ECAD 3540 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP700 Acoplamiento óptico cur, ur, vde 1 6-sdip descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP700A (TPF) EAR99 8541.49.8000 1.500 2a, 2a 2.5a 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 20kV/µs 200ns, 200ns 50ns 15V ~ 30V
TLP127(CANOD-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (CANOD-TPL, F -
RFQ
ECAD 6177 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (CANOD-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP631(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (GB, F) -
RFQ
ECAD 7988 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP631 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP105(MBS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (MBS-TPL, F) -
RFQ
ECAD 5473 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V 6-mfsop, 5 Plomo descascar 264-TLP105 (MBS-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 50 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLP785F(YH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (YH, F -
RFQ
ECAD 9936 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (YHF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781F(BL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (BL-LF7, F) -
RFQ
ECAD 6707 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (BL-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP3043(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3043 (S, C, F) -
RFQ
ECAD 3306 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables TLP3043 BSI, SEMKO, UR 1 Triac 6 DIP (Corte), 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 400 V 100 mA 600 µA (topos) Si 200V/µs 5 mm -
TLP126(TEE-TPLS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (Tee-TPLS, F) -
RFQ
ECAD 7628 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP126 - 1 (ilimitado) 264-TLP126 (Tee-TPLSF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP185(GB-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB-TPR, E) -
RFQ
ECAD 7902 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 400% @ 5MA 9 µs, 9 µs 300mv
TLP781(D4BLL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4BLL-TP6, F -
RFQ
ECAD 7898 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4BLL-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP785(D4-GRL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-Grl, F -
RFQ
ECAD 4785 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785 (D4-GRLF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP155(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP155 (E -
RFQ
ECAD 4077 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP155 Acoplamiento óptico - 1 6-so, 5 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 - 600mA 35ns, 15ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 20kV/µs 200ns, 200ns 50ns 10V ~ 30V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock