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Aisladores (2050)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP185(TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (TPL, SE 0.6000
RFQ
 ECAD 9189 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP124(TPRS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (TPRS, F) -
RFQ
 ECAD 5023 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP124 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP124 (TPRSF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 8 µs, 8 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP161J(V4DMT7TRCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (V4DMT7TRCF -
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (ilimitado) 264-TLP161J (V4DMT7TRCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP182(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (GR-TPL, E 0.5200
RFQ
 ECAD 4529 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP182 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP512(NEMIC-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (NEMIC-TP1, F -
RFQ
 ECAD 8791 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP512 - 1 (ilimitado) 264-TLP512 (NEMIC-TP1FTR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP781F(BLL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (BLL-LF7, F) -
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (BLL-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP250F(D4INV-T4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250F (D4Inv-T4, F -
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP250F - 1 (ilimitado) 264-TLP250F (D4INV-T4FTR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP385(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (BL, E 0.5500
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (BLE EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP291(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB-TP, E) -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 7 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 400% @ 5MA 7 µs, 7 µs 300mv
TLP358(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358 (TP5, F) -
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP358 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 8-SMD descascar 264-TLP358 (TP5F) EAR99 8541.49.8000 1 5.5 A - 17ns, 17ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 500ns, 500ns
TLP759(D4-IGM,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-IGM, J, F) -
RFQ
 ECAD 1741 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (D4-IGMJF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 25% @ 10mA 75% @ 10mA - -
TLP551(Y-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551 (Y-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 4205 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP551 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD - Cumplimiento de Rohs No Aplicable TLP551 (Y-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 15V 1.65V 25 Ma 2500 VRMS 10% @ 16MA - 300ns, 1 µs -
TLP5751H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751H (TP4, E 1.8500
RFQ
 ECAD 8709 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5751 Acoplamiento óptico CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 1a, 1a 1A 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP700A(D4-TP,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A (D4-TP, S) -
RFQ
 ECAD 8064 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP700 - 1 (ilimitado) 264-TLP700A (D4-TPS) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP331(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331 (LF5, F) -
RFQ
 ECAD 1127 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP331 - 1 (ilimitado) 264-TLP331 (LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2366(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366 (V4, E 1.5100
RFQ
 ECAD 8094 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2366 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 10 Ma 20mbd 15ns, 15ns 1.61V 25 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 40ns, 40ns
TLP620-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 5900 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP620 AC, DC 2 Transistor 8-SMD descascar 264-TLP620-2 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP185(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (TPR, SE 0.1530
RFQ
 ECAD 1778 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP626(MAT-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (MAT-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 9349 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar 264-TLP626 (MAT-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP523-4(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-4 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 1486 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP523 - 1 (ilimitado) 264-TLP523-4 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP9121A(MBHAGBTLF Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (MBHAGBTLF -
RFQ
 ECAD 1213 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9121A (MBHAGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP550 ,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550, f) -
RFQ
 ECAD 8887 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550F) EAR99 8541.49.8000 50
TLX9185(OGI-TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (OGI-TL, F (O -
RFQ
 ECAD 4186 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLX9185 (OGI-TLF (O EAR99 8541.49.8000 1
TLP3083F(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (F 1.7400
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm), 5 cables CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP3083F (F EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 800 V 100 mA 600 µA Si 2kV/µs (topos) 5 mm -
TLP781(D4TELS-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (d4tels-t6, f -
RFQ
 ECAD 5195 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4Tels-T6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP160J(V4T7TRUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (V4T7TRUC, F -
RFQ
 ECAD 5602 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP160J - 1 (ilimitado) 264-TLP160J (V4T7TRUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP127(MAT-M-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MAT-M-TPL, F -
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (MAT-M-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP351(TP1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351 (TP1, Z, F) -
RFQ
 ECAD 1537 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP351 - 1 (ilimitado) 264-TLP351 (TP1ZF) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP183(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (GRL-TPL, E 0.5100
RFQ
 ECAD 6712 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP183 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP371(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371 (LF2, F) -
RFQ
 ECAD 1632 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP371 - 1 (ilimitado) 264-TLP371 (LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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