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Aisladores (2050)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP350 (TP1, F) | - |  | 8024 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP350 | Acoplamiento óptico | Tu | 1 | 8-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2a, 2a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1.6V | 20 Ma | 3750vrms | 15kV/µs | 500ns, 500ns | - | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||
 | TLP293 (GB, E | 0.5100 | | 3124 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP293 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP293 (GBE | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||
 | TLP352F (D4-TP4, F) | 1.9400 | | 229 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP352 | Acoplamiento óptico | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 8-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2a, 2a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 3750vrms | 20kV/µs | 200ns, 200ns | 50ns | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||
 | TLP2355 (E | 1.0200 | | 4365 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2355 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 20V | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 25 Ma | - | 15ns, 12ns | 1.55V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 25kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||
| TLP732F (D4-BL, F) | - | | 6804 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP732F (D4-BLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP184 (V4-TPR, SE | 0.5100 | | 6154 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP620-4 (D4-LF2, F) | - | | 5028 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP620 | AC, DC | 4 | Transistor | 16 Dipp | descascar | 264-TLP620-4 (D4-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||
 | TLP385 (D4GH-TL, E | 0.5400 | | 4173 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP126 (TPL, F) | - | | 3254 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP126 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP126 (TPLF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550 (Y, F) | - | | 7449 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP550 (YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP291 (V4GBTP, SE | 0.6000 | | 5106 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP785 (D4-BLL, F | - | | 1299 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (D4-Bllf | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
| TLP358F (D4, F) | - | | 4603 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP358 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 8 Dipp | descascar | 264-TLP358F (D4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 6 A | - | 17ns, 17ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 500ns, 500ns | |||||||||||||||||||||
| TLP131 (GR-TPL, F) | - | | 3379 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP131 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-mfsop, 5 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP131 (GR-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||
 | TLP352 (D4, F) | 1.9900 | | 100 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP352 | Acoplamiento óptico | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2a, 2a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 3750vrms | 20kV/µs | 200ns, 200ns | 50ns | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||
 | TLP160J (U, C, F) | - | | 7927 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP160J | Tu | 1 | Triac | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 600 V | 70 Ma | 1 ma (typ) | No | 500V/µs | 10 Ma | 30 µs | ||||||||||||||||||||
| TLP9104A (AST-TL, F) | - | | 2892 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9104A (AST-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP184 (GB-TPR, E) | - | | 6806 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | TLP184 (GB-TPRE) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 5 µs, 9 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 400% @ 5MA | 9 µs, 9 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP116A (TPL, E | 1.5200 | | 13 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP116 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 Ma | 20mbd | 15ns, 15ns | 1.58V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||||
 | TLP280-4 (GB, J, F) | - | | 6528 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TLP280 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||
| TLP163J (TPR, U, C, F) | - | | 5514 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP163 | Tu | 1 | Triac | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | 5A991 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 600 V | 70 Ma | 600 µA (topos) | Si | 200V/µs | 10 Ma | 30 µs | ||||||||||||||||||||
 | TLP627-4F | - | | 5834 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP627 | Corriente Continua | 4 | Darlington | 16 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | ||||||||||||||||||||
| TLP525G-2 (f) | - | | 9990 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP525 | Tu | 2 | Triac | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 400 V | 80 Ma | 200 µA (typ) | No | 200V/µs | 10 Ma | - | ||||||||||||||||||||
| TLP184 (SE | 0.5000 | | 1390 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP5771H (LF4, E | 2.5900 | | 8462 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5771 | Acoplamiento Capacitivo | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1a, 1a | 1A | 56ns, 25ns | 1.65V | 8 MA | 5000 VRMS | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10V ~ 30V | |||||||||||||||||||||
| TLP185 (GR-TPL, SE | 0.6100 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP185 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | 4N26 (Corto, F) | - | | 5618 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 4N26 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | 2 µs, 200 µs | 30V | 1.15V | 80 Ma | 2500 VRMS | 20% @ 10mA | - | - | 500mv | ||||||||||||||||||||
| TLP385 (D4GH-TR, E | 0.5600 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP632 (GB-LF1, F) | - | | 3606 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP632 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP632 (GB-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP190B (U, C, F) | - | | 8038 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP190 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 12 µA | - | 8V | 1.4V | 50 Ma | 2500 VRMS | - | - | 200 µs, 1 ms | - |
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