SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max)
4N26(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N26 (Short-LF5, F) -
RFQ
ECAD 9927 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N26 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 4N26 (Short-LF5F) EAR99 8541.49.8000 50 100mA 2 µs, 2 µs 30V 1.15V 80 Ma 2500 VRMS 20% @ 10mA - - 500mv
TLP624-2(BV-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 (BV-TP5, F) -
RFQ
ECAD 2670 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP624 - 1 (ilimitado) 264-TLP624-2 (BV-TP5F) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP523(SHRP-MA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523 (SHRP-MA, F) -
RFQ
ECAD 8785 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP523 - 1 (ilimitado) 264-TLP523 (SHRP-MAF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP190B(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (TPR, U, C, F) -
RFQ
ECAD 4583 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP190 Corriente Continua 1 Fotovoltaico 6-mfsop, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 12 µA - 8V 1.4V 50 Ma 2500 VRMS - - 200 µs, 1 ms -
TLP785(Y-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (Y-TP6, F -
RFQ
ECAD 7939 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785 (Y-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP291(V4GRTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (V4GRTP, SE 0.6000
RFQ
ECAD 7762 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP781(D4GRLT6TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4GRLT6TC, F -
RFQ
ECAD 8955 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4GRLT6TCFTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP627MF(D4-T4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF (D4-T4, E 0.9200
RFQ
ECAD 2046 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP627 Corriente Continua 1 Darlington 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 60 µs, 30 µs 300V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 110 µs, 30 µs 1.2V
TLP185(GRH,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GRH, SE -
RFQ
ECAD 3142 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP185 (Grhse EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP2710(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (E 1.6200
RFQ
ECAD 6719 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2710 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 264-TLP2710 (E EAR99 8541.49.8000 125 10 Ma 5mbd 11ns, 13ns 1.9V (Max) 8 MA 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
TLP126(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (TPL, F) -
RFQ
ECAD 3254 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP126 - 1 (ilimitado) 264-TLP126 (TPLF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP9104A(TOYOGTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (Toyogtl, F -
RFQ
ECAD 3431 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9104A (TOYOGTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP750(ELKO,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (Elko, f) -
RFQ
ECAD 1691 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (ilimitado) 264-TLP750 (Elkof) EAR99 8541.49.8000 50
TLP555(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP555 (f) -
RFQ
ECAD 4730 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP555 Corriente Continua 1 Tri-estatal 4.5V ~ 20V 8 Dipp - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 40 Ma 5Mbps 35ns, 20ns 1.55V 10 Ma 2500 VRMS 1/0 1kV/µs 400ns, 400ns
TLP732(D4-GR-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4-Gr-LF2, F -
RFQ
ECAD 8903 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP732 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 60 Ma 4000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP785(D4-BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-BLL, F -
RFQ
ECAD 1299 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785 (D4-Bllf EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP550(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Y, F) -
RFQ
ECAD 7449 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550 (YF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP291(V4GBTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (V4GBTP, SE 0.6000
RFQ
ECAD 5106 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP358F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358F (D4, F) -
RFQ
ECAD 4603 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP358 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 8 Dipp descascar 264-TLP358F (D4F) EAR99 8541.49.8000 1 6 A - 17ns, 17ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 500ns, 500ns
TLP785F(D4-GRL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-GRL, F -
RFQ
ECAD 8739 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (D4-GRLF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781(D4-GR-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-Gr-LF6, F -
RFQ
ECAD 6070 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4-GR-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP250(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (TP5, F) -
RFQ
ECAD 3920 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP250 - 1 (ilimitado) 264-TLP250 (TP5F) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP2312(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 (E 1.7300
RFQ
ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2312 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.2V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) 264-TLP2312 (E EAR99 8541.49.8000 125 8 MA 5Mbps 2.2ns, 1.6ns 1.53V 8 MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP627MF(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF (TP4, E 0.3090
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP627 Corriente Continua 1 Darlington 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 60 µs, 30 µs 300V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 110 µs, 30 µs 1.2V
TLP2768(D4MBSTP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768 (D4MBSTP, F) -
RFQ
ECAD 3853 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 2.7V ~ 5.5V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP2768 (D4MBSTPF) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 20mbd 30ns, 30ns 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP183(GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (GRH, E 0.5000
RFQ
ECAD 9795 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP183 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP183 (grhe EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP387(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387 (E 0.8700
RFQ
ECAD 9204 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP387 Corriente Continua 1 Darlington 6-so, 4 Plomo descascar 1 (ilimitado) 264-TLP387 (E EAR99 8541.49.8000 125 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP250F(INV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250F (inv, f) -
RFQ
ECAD 5700 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP250F - 1 (ilimitado) 264-TLP250F (INVF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP104(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104 (TPL, E 1.5100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP104 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 30V 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA 1Mbps - 1.61V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
TLP750F(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750F (D4-TP4, F) -
RFQ
ECAD 5112 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (ilimitado) 264-TLP750F (D4-TP4F) EAR99 8541.49.8000 1.500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock