SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP2958(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958 (pp, f) -
RFQ
ECAD 1618 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP2958 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 8 Dipp descascar 264-TLP2958 (PPF) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 15ns, 10ns 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP185(YL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (YL-TPL, SE -
RFQ
ECAD 9890 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP185 (YL-TPLSE EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP385(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (YH, E 0.5500
RFQ
ECAD 7800 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (Yhe EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP183(BL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (BL-TPR, E -
RFQ
ECAD 2798 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP183 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP183 (BL-TPRE EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP250H(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (LF1, F) 1.7800
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP250 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 10V ~ 30V 8-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP250H (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50 2.5 A - 50ns, 50ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 40kV/µs 500ns, 500ns
TLP2303(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303 (TPR, E 0.8300
RFQ
ECAD 3645 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2303 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera - 18V - 20 Ma 3750vrms 500% @ 5MA - - -
TLP184(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GR-TPR, SE 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP3023SF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3023SF -
RFQ
ECAD 5537 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables TLP3023 BSI, SEMKO, UR 1 Triac 6 DIP (Corte), 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 400 V 100 mA 600 µA (topos) No 200V/µs 5 mm -
TLP620-4(MEIDEN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (Meiden, f) -
RFQ
ECAD 5354 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP620 AC, DC 4 Transistor 16 Dipp descascar 264-TLP620-4 (Meidenf) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP385(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-GB, E 0.5400
RFQ
ECAD 9333 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (D4-GBE EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP523(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523 (LF1, F) -
RFQ
ECAD 8993 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP523 - 1 (ilimitado) 264-TLP523 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP5705H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (TP, E 1.9100
RFQ
ECAD 3095 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP184(Y-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (Y-TPL, SE 0.4900
RFQ
ECAD 7881 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP2118(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2118 (TP, F) -
RFQ
ECAD 1003 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP2118 - 1 (ilimitado) 264-TLP2118 (TPF) TR EAR99 8541.49.8000 2.500
TLP293-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4GBTPE 1.6300
RFQ
ECAD 3551 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP117(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP117 (f) -
RFQ
ECAD 2120 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP117 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V 6-mfsop, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 5A991 8541.49.8000 150 10 Ma 50mbd 3ns, 3ns 1.6V 25 Ma 3750vrms 1/0 10 kV/µs 20ns, 20ns
TLP785F(GB-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GB-LF7, F -
RFQ
ECAD 8031 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (GB-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP121(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GRL, F) -
RFQ
ECAD 7071 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP121 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP121 (GRLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP385(BLL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (BLL-TPR, E 0.5500
RFQ
ECAD 5465 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP265J(V4T7TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (V4T7TR, E 0.8400
RFQ
ECAD 3858 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP265 CQC, CUR, UR, VDE 1 Triac 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1.27V 50 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 1 ma (typ) No 500V/µs (topos) 7 MMA 20 µs
TLP383(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (TPL, E -
RFQ
ECAD 4280 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP383 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar 1 (ilimitado) 264-TLP383 (TPLETR EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP383(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (D4, E -
RFQ
ECAD 1774 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP383 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar 1 (ilimitado) 264-TLP383 (D4E EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP759(FA1-T1S,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (FA1-T1S, J, F -
RFQ
ECAD 2446 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP759 (FA1-T1SJF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP185(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GR, SE 0.6000
RFQ
ECAD 5164 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) TLP185 (Grse EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP3042(TP1,S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3042 (TP1, S, C, F) -
RFQ
ECAD 8806 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables TLP3042 BSI, SEMKO, UR 1 Triac 6 DIP (Corte), 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs TLP3042 (TP1SCF) EAR99 8541.49.8000 1.500 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 400 V 100 mA 600 µA (topos) Si 200V/µs 10 Ma -
TLP5774H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H (E 2.4800
RFQ
ECAD 6998 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5774 Acoplamiento Capacitivo CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6-SO descascar 1 (ilimitado) 264-TLP5774H (E EAR99 8541.49.8000 125 4a, 4a 4A 56ns, 25ns 1.65V 8 MA 5000 VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 10V ~ 30V
TLP2309(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2309 (TPL, E) 1.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2309 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA - 20V 1.55V 25 Ma 3750vrms 15% @ 16MA - 1 µs, 1 µs (max) -
TLP161G(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G (TPL, U, C, F) -
RFQ
ECAD 7301 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (ilimitado) 264-TLP161G (TPLUCF) TR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP371F Toshiba Semiconductor and Storage TLP371F -
RFQ
ECAD 7331 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP371F Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP781(D4BLL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4BLL-TP6, F -
RFQ
ECAD 7898 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (D4BLL-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock