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Aisladores (2050)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | CMS-Filter-Header-MFR | Serie CMS-Filter-Header | Paquete de Hojas de Filtro CMS | CMS-Filter-Header-Productstatus | CMS-MSL | CMS-ECCN-DETAIL-PAGE | CMS-HTSUS-DETAIL-PAGE | Paquete de Parada de CMS | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo | CMS-Filter-Header-BPN |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP5754H (D4TP4, E | 2.0800 |  | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5754 | Acoplamiento óptico | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 4a, 4a | 4A | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP785F (YH-LF7, F | - | | 6865 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (YH-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP265J (T7-TPR, E | - | | 2647 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP265 | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP265J (T7-TPRETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.27V | 50 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 1mera | No | 500V/µs (topos) | 7 MMA | 100 µs | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP250F (D4FA1T4S, F | - | | 8410 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP250F | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP250F (D4FA1T4SFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F (D4-GB, F) | - | | 1853 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-GBF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5774H (TP4, E | 2.6800 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5774 | Acoplamiento capacitivo | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 4a, 4a | 4A | 56ns, 25ns | 1.65V | 8 MA | 5000 VRMS | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10V ~ 30V | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F (D4-FUN, F) | - | | 1717 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-FUNF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP570 (TP1, F) | - | | 9827 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP570 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP570 (TP1F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5754H (TP4, E | 2.0600 | | 1648 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5754 | Acoplamiento óptico | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 4a, 4a | 4A | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781 (D4-Gr-SD, F) | - | | 8248 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4-Gr-SDF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP188 (TPL, E | 0.8300 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP188 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 350V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781 (D4-Y, F) | - | | 4779 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4-YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP9104 (Hitj-TL, F) | - | | 4935 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9104 (HITJ-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127 (KOSD-TPL, F) | - | | 2733 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (KOSD-TPLF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2770 (D4-TP, E | 2.2400 | | 5019 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP2770 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 6-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 Ma | 20mbd | 1.3ns, 1ns | 1.5V | 8 MA | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP750 (PPA, F) | - | | 1617 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP750 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8 Dipp | - | 264-TLP750 (PPAF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 10% @ 16MA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (GB-LF2, F) | - | | 1724 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP732 (GB-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP531 (Y-LF5, F) | - | | 4947 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP531 (Y-LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F (GRL, F | - | | 9716 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (GRLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2066 (TPR, F) | - | | 4049 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP2066 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 3.6V | 6-mfsop, 5 Plomo | - | 264-TLP2066 (TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 Ma | 20Mbps | 5ns, 4ns | 1.6V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP385 (TPR, E | 0.5500 | | 2461 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP531 (y, f) | - | | 2336 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP531 (YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127 (Del-TPL, F) | - | | 3952 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (Del-TPLF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP3062A (TP1, F | 1.6600 | | 2451 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Ala de Gaviota | TLP3062 | CQC, CUR, UR | 1 | Triac | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 100 mA | 600 µA (topos) | Si | 2kV/µs (topos) | 10 Ma | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385 (E | 0.5500 | | 3352 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781 (D4-LF6, F) | - | | 4918 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4-LF6F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP291-4 (GB, E) | 1.4600 | | 2026 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781 (D4-Gr-FD, F) | - | | 2489 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4-Gr-FDF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5771H (D4LF4, E | 2.6200 | | 4172 | 0.00000000 | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Acoplamiento capacitivo | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | descascar | 1a, 1a | 1A | 56ns, 25ns | 1.65V | 8 MA | 5000 VRMS | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10V ~ 30V | TLP5771 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP512 (NEMIC, TP1, F | - | | 9630 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP512 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP512 (NEMICTP1FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 |
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