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Aisladores (2050)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP385(GRL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (GRL-TPR, E 0.5600
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP190B(ADVTPLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (Advtpluc, F -
RFQ
 ECAD 3675 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Fotovoltaico 6-mfsop, 4 Plomo descascar 264-TLP190B (ADVTPLUCF EAR99 8541.49.8000 1 - - 8V 1.4V 50 Ma 2500 VRMS - - 200 µs, 1 ms -
TLP532(GR-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (GR-TP5, F) -
RFQ
 ECAD 2528 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP532 - 1 (ilimitado) 264-TLP532 (GR-TP5F) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP781F(D4-GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-GRL, F) -
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4-GRLF) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2362(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (TPR, E 1.0500
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2362 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma 10mbd 30ns, 30ns 1.55V 25 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 100ns, 100ns
TLP331(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331 (BV-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 6523 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP331 - 1 (ilimitado) 264-TLP331 (BV-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP5701(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701 (D4, E 1.2400
RFQ
 ECAD 498 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5701 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 10V ~ 30V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP5701 (D4E EAR99 8541.49.8000 125 600 mA - 50ns, 50ns 1.57V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 500ns, 500ns
TLP705A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705A (f) -
RFQ
 ECAD 8970 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP705 Acoplamiento óptico Cul, UL 1 6-sdip descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 400 Ma, 400 Ma 600mA 35ns, 15ns 1.57V 25 Ma 5000 VRMS 20kV/µs 170ns, 170ns 50ns 10V ~ 30V
4N35(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35 (Corto, F) -
RFQ
 ECAD 2000 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4n35 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 40% @ 10mA - 3 µs, 3 µs 300mv
TLP626(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (f) -
RFQ
 ECAD 6179 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP267J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J (TPR, E 1.0100
RFQ
 ECAD 786 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP267 CQC, CUR, UR 1 Triac 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1.27V 30 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 200 µA (typ) No 500V/µs (topos) 3mera 100 µs
TLP2200(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 5811 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP2200 Corriente Continua 1 Tri-estatal 4.5V ~ 20V 8-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 25 Ma 2.5mbd 35ns, 20ns 1.55V 10 Ma 2500 VRMS 1/0 1kV/µs 400ns, 400ns
TLP627-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 3833 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP627 - 1 (ilimitado) 264-TLP627-2 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785(GR-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GR-TP6, F) 0.6400
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2301(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2301 (E 0.6100
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP2301 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 50mera - 40V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 1MA 600% @ 1MA - 300mv
TLP781(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (BL, F) -
RFQ
 ECAD 4864 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP781BLF 5A991G 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP551(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551 (f) -
RFQ
 ECAD 5111 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP551 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 15V 1.65V 25 Ma 2500 VRMS 10% @ 16MA - 300ns, 1 µs -
TLP550-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550-TP4, F) -
RFQ
 ECAD 2240 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP550 - 1 (ilimitado) 264-TLP550-TP4F) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP2761(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (D4-TP4, E -
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2761 AC, DC 1 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2761 (D4-TP4E EAR99 8541.49.8000 1.500 10 Ma 15mbd 3ns, 3ns 1.5V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP2710(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (D4-LF4, E 1.6000
RFQ
 ECAD 3036 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2710 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 10 Ma 5mbd 11ns, 13ns 1.9V (Max) 8 MA 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
TLP669L(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669L (S, C, F) -
RFQ
 ECAD 4419 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar 264-TLP669L (SCF) EAR99 8541.49.8000 1 1.2V 30 Ma 5000 VRMS 800 V 100 mA 600 µA Si 200V/µs 10 Ma 30 µs
TLP532(BL-TLF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (BL-TLF1, F) -
RFQ
 ECAD 4937 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP532 - 1 (ilimitado) 264-TLP532 (BL-TLF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP293-4(LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (LA, E 1.6000
RFQ
 ECAD 5468 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP628MX2 Toshiba Semiconductor and Storage TLP628MX2 -
RFQ
 ECAD 4261 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP628 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp - 1 (ilimitado) 264-TLP628MX2 EAR99 8541.49.8000 50 50mera 5.5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 10 µs, 10 µs 400mv
TLP388(GB-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (GB-TPR, E 0.8000
RFQ
 ECAD 8526 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP388 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP781F(D4GRT7,F,W Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRT7, F, W -
RFQ
 ECAD 7022 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4GRT7FWTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP628MF(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628MF (GB, E 0.9200
RFQ
 ECAD 8466 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP628 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 5.5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 10 µs, 10 µs 400mv
TLP292-4(4LGBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (4LGBTPE 1.7900
RFQ
 ECAD 6242 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP627M(D4-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (D4-TP5, E 0.3090
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP627 Corriente Continua 1 Darlington 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 150 Ma 60 µs, 30 µs 300V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 110 µs, 30 µs 1.2V
TLP387(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387 (TPL, E 0.8700
RFQ
 ECAD 6400 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP387 Corriente Continua 1 Darlington 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1V
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    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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