SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max)
TLP731(D4-GB-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-GB-TP1, F -
RFQ
ECAD 5890 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP731 - 1 (ilimitado) 264-TLP731 (D4-GB-TP1F EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP2710(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (TP, E 1.6000
RFQ
ECAD 3111 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2710 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 10 Ma 5mbd 11ns, 13ns 1.9V (Max) 8 MA 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
TLP127(TEE-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Tee-Tpr, F) -
RFQ
ECAD 8429 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (Tee-Tprf) TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP350(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350 (f) -
RFQ
ECAD 1716 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP350 Acoplamiento óptico Tu 1 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP350F EAR99 8541.49.8000 50 2a, 2a 2.5a 15ns, 8ns 1.6V 20 Ma 3750vrms 15kV/µs 500ns, 500ns - 15V ~ 30V
TLP700AF(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700AF (D4-TP, F) -
RFQ
ECAD 6467 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP700 Acoplamiento óptico CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP700AF (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 2.5a, 2.5a 2.5a 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 20kV/µs 200ns, 200ns 50ns 15V ~ 30V
TLP127(ITO-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (ITO-TPR, U, F -
RFQ
ECAD 3744 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (ITO-TPRUFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLX9185(PEDGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (PEDGBTLF (O -
RFQ
ECAD 2766 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLX9185 (PEDGBTLF (O EAR99 8541.49.8000 1
TLP120(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GB-TPR, F) -
RFQ
ECAD 6747 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP120 AC, DC 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP120 (GB-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP785F(D4GRF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GRF7, F -
RFQ
ECAD 1395 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (D4GRF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP9104(SND-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104 (SND-TPL, F) -
RFQ
ECAD 5940 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9104 (SND-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP2303(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303 (E 0.8100
RFQ
ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2303 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 80mera - 18V - 20 Ma 3750vrms 500% @ 5MA - - -
TLP2370(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 (TPR, E 1.7700
RFQ
ECAD 1016 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2370 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 Ma 20Mbps 3ns, 2ns 1.5V 8 MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP715(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715 (D4-TP, F) -
RFQ
ECAD 6489 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP715 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP715 (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.6V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLP151A(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP151A (TPR, E) 1.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP151 Acoplamiento óptico Cul, UL 1 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 400 Ma, 400 Ma 600mA 50ns, 50ns 1.55V 25 Ma 3750vrms 20kV/µs 500ns, 500ns 350ns 10V ~ 30V
TLP716(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716 (D4, F) -
RFQ
ECAD 2223 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP716 (D4F) EAR99 8541.49.8000 1 10 Ma 15mbd 15ns, 15ns 1.65V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
TLP352(TP5,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352 (TP5, S) -
RFQ
ECAD 7256 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP352 - 1 (ilimitado) 264-TLP352 (TP5S) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP127(TOKUD-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Tokud-TPL, F -
RFQ
ECAD 2831 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (Tokud-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP750(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-TP1, F) -
RFQ
ECAD 8800 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (ilimitado) 264-TLP750 (D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP5701(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701 (LF4, E 1.3800
RFQ
ECAD 9963 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5701 Acoplamiento óptico CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6-SO - 1 (ilimitado) 264-TLP5701 (LF4E EAR99 8541.49.8000 125 400 Ma, 400 Ma 600mA 50ns, 50ns 1.57V 25 Ma 5000 VRMS 20kV/µs 500ns, 500ns 350ns 10V ~ 30V
TLP781F(Y-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (Y-TP7, F) -
RFQ
ECAD 1764 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (Y-TP7F) TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP785F(D4Y-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4Y-T7, F -
RFQ
ECAD 5839 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP785F (D4Y-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP5214(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5214 (TP, E 8.1000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5214 Acoplamiento óptico CQC, CSA, CUL, UL 1 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 3a, 3a 4A 32ns, 18ns 1.7V (Máximo) 25 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP385(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4, E 0.5400
RFQ
ECAD 4303 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (D4E EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP383(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (BL-TPL, E -
RFQ
ECAD 3367 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP383 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar 1 (ilimitado) 264-TLP383 (BL-TPLETR EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP620-2(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (D4-TP1, F) -
RFQ
ECAD 7918 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota AC, DC 2 Transistor 8-SMD descascar 264-TLP620-2 (D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP372(HO,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP372 (HO, F) -
RFQ
ECAD 7776 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP372 - 1 (ilimitado) 264-TLP372 (HOF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP733F(GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F (GB, M, F) -
RFQ
ECAD 2930 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP733 - 1 (ilimitado) 264-TLP733F (GBMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP628M(GB-TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-TP1, E 0.9100
RFQ
ECAD 4514 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SMD (0.300 ", 7.62 mm) TLP628 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mera 5.5 µs, 10 µs 350V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 10 µs, 10 µs 400mv
TLP734F(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-C173, F) -
RFQ
ECAD 6004 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimitado) 264-TLP734F (D4-C173F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP513(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP513 (LF1, F) -
RFQ
ECAD 2728 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP513 - 1 (ilimitado) 264-TLP513 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock