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Tarjetas de Memoria, Módulos (1151)

Imaginación	Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Ecada	Cantidad Disponible	Peso (kg)	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tamaña / dimensión	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Tecnología	Peso	Voltaje - Suministro	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de Memoria	Tamaña de Memoria	Factor de forma	Velocidad - Leer	Velocidad - Ecribir	Current - Max	Tasa de Transferencia (MB/S, MT/S, MHZ)
	Aq12m72d8blh9m	67.1184	RFQ		9969	0.00000000	ATP Electronics, Inc.	-	Una granela	Activo			Módulo		Aq12m72				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8473.30.1140	50			4GB
	AF960GSTJA-8BCIX	334.0040	RFQ		3500	0.00000000	ATP Electronics, Inc.	N650SI	Banda	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	80.00 mm x 22.00 mm x 3.50 mm		Nvme			-	3.3V	-			Alcanzar sin afectado	1282-AF960GSTJA-8BCIX			30		Flash de la Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand	960GB	Módulo M.2	3.42GB/s	3.05GB/s	-
	AF32GSMGH-OEM	45.5250	RFQ		2660	0.00000000	ATP Electronics, Inc.	-	Caja	Activo	0 ° C ~ 85 ° C	-		-	AF32		-	-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8471.70.6000	1		Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (MLC)	32GB	Disco en El Módulo, EUSB	-	-	-
	AF16GSAHI-OEM	68.2157	RFQ		7080	0.00000000	ATP Electronics, Inc.	-	Caja	Activo	0 ° C ~ 70 ° C	50.80 mm x 29.80 mm x 3.70 mm		SATA II	AF16		-	-	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8523.51.0000	1		Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (MLC)	16 GB	msata	250 MB/s	190 MB/s	-
	AF32GSAEL-OEM	116.6538	RFQ		3030	0.00000000	ATP Electronics, Inc.	-	Caja	Activo	0 ° C ~ 70 ° C	54.00 mm x 39.00 mm x 4.00 mm		SATA II	AF32		-	-	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8523.51.0000	1		Flash de Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand (MLC)	32GB	Sesta	250 MB/s	190 MB/s	-
	A4C04QV8BLRCME	72.4236	RFQ		8566	0.00000000	ATP Electronics, Inc.	-	Una granela	Activo			288-udimm		A4C04				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8473.30.1140	25		Ddr4 sdram	4GB					2400
	AF128GCS-OEM	158.1850	RFQ		9364	0.00000000	ATP Electronics, Inc.	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C				AF128	MLC			descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8523.51.0000	2	-	Castre	128 GB
	AL24M72L8BLF8S	134.7250	RFQ		9367	0.00000000	ATP Electronics, Inc.	-	Una granela	Activo			Módulo		AL24M72				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8473.30.1140	10			8GB
	AW24P7228BLMAMW	128.2640	RFQ		2952	0.00000000	ATP Electronics, Inc.	-	Banda	Activo			240 udimm		AW24P7228				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8473.30.1140	50		Ddr3 sdram	8GB					1866
	AF240GSTJA-8BDXX	140.4010	RFQ		2175	0.00000000	ATP Electronics, Inc.	N650SC	Banda	Activo	0 ° C ~ 70 ° C	80.00 mm x 22.00 mm x 3.50 mm		Nvme			-	3.3V	-			Alcanzar sin afectado	1282-AF240GSTJA-8BDXX			30		Flash de la Unidad de Estado Sólido (SSD) - Nand	240GB	Módulo M.2	3.4GB/s	1.17GB/s	-
	Ay48m7288bnf8m	251.4603	RFQ		7223	0.00000000	ATP Electronics, Inc.	-	Banda	Activo			204-Miniudimm		Ay48m7288				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8473.30.1140	200		Ddr3 sdram	16 GB					1600

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Unidad de producto estándar
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AD9208BBPZ-3000Almohadilla expuesta de 196-LFBGA
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