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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora de Luz (Les) Tipo de lente
SPHWHAHDNG28YZT3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng28yzt3d2 3.3332
RFQ
 ECAD 7535 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng28 Blanco, neutral descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2786lm (typ) 85 ° C 112 LM/W - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8T08228001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T08228001 -
RFQ
 ECAD 5717 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-E284A Banda Obsoleto 280.00 mm LX 40.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 36 Tira de Luz lineal 750 MAPA - 5.60 mm 12.2V 700mA 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1150lm (typ) 45 ° C 135 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SI-B8T11125001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T11125001 -
RFQ
 ECAD 7498 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Lam-SQ30B Caja Obsoleto 259.00 mm LX 250.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 900mA - 6.70 mm 15.3V 700mA 145 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1440LM (typ) 35 ° C 134 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDN945YHU2B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn945yhu2b3 -
RFQ
 ECAD 9301 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC008B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.750 Cuadrado 430mA - 1.50 mm 35.5V 240 mm 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 1356lm (1221lm ~ 1491lm) 25 ° C 159 LM/W 80 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SL-PGR2W57SBGL Samsung Semiconductor, Inc. SL-PGR2W57SBGL -
RFQ
 ECAD 4008 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. T-type gen2 Banda Activo 150.00 mm LX 65.00 mm W Módulo liderado - SL-PGR2 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1705 EAR99 8541.41.0000 12 Rectángulo 1A - 43.20 mm 30V 700mA - 5000K 2300LM (TÍP) 58 ° C 119 LM/W 76 - Abovovor
SPHWHAHDNL251ZR3Q7 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl251zr3q7 -
RFQ
 ECAD 2191 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC060D Banda Obsoleto 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl251 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,280 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 52V 1.08a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 8113lm (typ) 85 ° C 144 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNB25YHT2B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnb25yht2b3 -
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.400 Cuadrado 980 Ma - 1.50 mm 35.5V 540ma 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 3113LM (2805LM ~ 3420LM) 25 ° C 162 LM/W 80 Dia de 12.40 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM251ZV3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zv3d4 17.4300
RFQ
 ECAD 1324 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnm251zv3d4 EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 4.14a - 1.70 mm 50.5V 1.62a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 13727LM (typ) 85 ° C 168 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8T502560WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T502560WW 42.2600
RFQ
 ECAD 6436 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Horticultura l2 gen2 Banda Activo 561.00 mm LX 41.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Rojo, Blanco - Cálido descascar No Aplicable 1510-SI-B8T502560WW EAR99 8541.41.0000 120 Tira de Luz lineal 1.6a - 5.50 mm 42V 1.2a 118 ° 3350k (3070k ~ 3645k) 8960LM (typ) 25 ° C 178 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-B8R09B280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R09B280WW -
RFQ
 ECAD 5418 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-R286A Banda Obsoleto 280.00 mm LX 55.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1638 EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 540ma - 7.40 mm 32.3V 290ma 115 ° 5000K 4 Pasos Macadam Ellipse 1545lm (1390lm ~ 1700lm) 50 ° C 165 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM251ZP3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zp3d2 9.9642
RFQ
 ECAD 4844 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 4.14a - 1.50 mm 52V 1.62a 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 13121lm (typ) 85 ° C 156 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8V16256001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V16256001 -
RFQ
 ECAD 6467 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-E564A Banda Obsoleto 560.00 mm LX 40.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 32 Tira de Luz lineal 750 MAPA - 5.60 mm 24.3V 700mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2200LM (TÍP) 45 ° C 129 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWH2HDNA05YHR3C1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwh2hdna05yhr3c1 3.1335
RFQ
 ECAD 6380 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC010C Banda No hay para Nuevos Diseños 15.00 mm LX 12.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwh2 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1746 EAR99 8541.41.0000 624 Rectángulo 405 Ma - 1.50 mm 34.5V 270 Ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1260LM (typ) 85 ° C 135 lm/w 80 Dia de 6.00 mm Departamento de Departamento
SI-B8T15156CWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T15156CWW 5.8200
RFQ
 ECAD 229 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-V562B Banda Obsoleto 560.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-2130 EAR99 8541.41.0000 280 Tira de Luz lineal 720 mm - 5.50 mm 25.4V 630mA 120 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2157LM (typ) 50 ° C 135 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SI-B8U342560WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U342560WW 18.0000
RFQ
 ECAD 265 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-F562A_G2 Banda Obsoleto 560.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1325 EAR99 8541.41.0000 280 Tira de Luz lineal 1.62a - 3.80 mm 24.8V 1.35a 115 ° 3500K 4 Pasos Macadam Ellipse 4680LM (TÍP) 50 ° C 140 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SL-IGR5E82SBWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-IGR5E82SBWW 81.2075
RFQ
 ECAD 2670 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. - Banda No hay para Nuevos Diseños 184.00 mm LX 176.00 mm W Módulo liderado - Sl-igr5 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1687 EAR99 8541.41.0000 4 Rectángulo 1.4a - 45.60 mm 52.2V 900mA - 5000K 6450lm (typ) - 138 LM/W 75 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF25YZT3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzt3db 4.0800
RFQ
 ECAD 179 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnf25yzt3db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.08a - 1.50 mm 34V 540ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2996lm (typ) 85 ° C 163 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNC27YZR3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc27yzr3d2 1.2304
RFQ
 ECAD 1772 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc27 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 690ma - 1.50 mm 34.6V 270 Ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1278LM (TÍP) 85 ° C 137 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG25YZQ3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng25yzq3d1 -
RFQ
 ECAD 3140 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse 3767LM (typ) 85 ° C 151 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8V102280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V102280WW -
RFQ
 ECAD 2440 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-H282A Banda Obsoleto 280.00 mm LX 24.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 16 Tira de Luz lineal 360 Ma - 5.80 mm 34.3V 300mA - 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1290lm (typ) 50 ° C 125 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SI-B8U26256CUS Samsung Semiconductor, Inc. Si-B8U26256cus 8.2800
RFQ
 ECAD 179 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Serie V Gen2 Una granela Obsoleto 560.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, genial descascar 1 (ilimitado) 1510-SI-B8U26256 CUS EAR99 8541.41.0000 150 Tira de Luz lineal 1.35a - 5.50 mm 23.3V 1.12a - 3500K 4205LM (TÍP) 65 ° C 161 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA25YZV3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna25yzv3d1 -
RFQ
 ECAD 2416 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC003D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 230mA - 1.50 mm 34.6V 90 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 457lm (typ) 85 ° C 147 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SL-B8V1N00L1WW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8V1N00L1WW -
RFQ
 ECAD 6666 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Influx_S01 Banda Obsoleto 279.60 mm LX 23.70 mm W Módulo liderado Conector SL-B8V1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1352 EAR99 8541.41.0000 224 Tira de Luz lineal 1.15a - 5.90 mm 9.1V 1.15a 115 ° 3000K 1310lm (typ) 65 ° C 125 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA25YZV2D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna25yzv2d1 -
RFQ
 ECAD 7216 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC003D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 230mA - 1.50 mm 34.6V 90 Ma 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 457lm (typ) 85 ° C 147 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNC25YZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc25yzw3d4 3.3200
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc25 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-SphWHAHDNC25YZW3D4 EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 690ma - 1.65 mm 33.6V 270 Ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 1471lm (typ) 85 ° C 162 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
STIDMW830082112AAA Samsung Semiconductor, Inc. Stidmw830082112aaa -
RFQ
 ECAD 5501 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Ronda-90b - Obsoleto 90.00 mm de diámetro LED de motor - Stidmw83 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1 Redondo - - 5.70 mm 24 V - 115 ° 3000K 905LM (TÍP) - - 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDND25YHV2B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnd25yhv2b3 -
RFQ
 ECAD 3337 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC033B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.050 Cuadrado 1.62a - 1.50 mm 35.5V 900mA 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 5119LM (4771LM ~ 5467LM) 25 ° C 160 lm/w 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8V102250WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V102250WW -
RFQ
 ECAD 7081 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Aleta-SQ64 Caja Obsoleto 259.00 mm LX 250.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 2.4a - 5.80 mm 11.2V 700mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1385lm (typ) 35 ° C 177 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDNE25YHW2B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne25yhw2b3 -
RFQ
 ECAD 8477 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.050 Cuadrado 1.9a - 1.50 mm 35.5V 1.08a 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 5856LM (5450LM ~ 6261LM) 25 ° C 153 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8T101560US Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T101560US 11.6000
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-Q562A Banda Activo 560.00 mm LX 18.00 mm W LED de motor - Si-B8 Blanco, neutral descascar No Aplicable 1510-2287 EAR99 8541.41.0000 336 Tira de Luz lineal - - 5.80 mm 21.9V 450 mm - 4000K 2000LM (TÍP) 40 ° C 203 LM/W 80 - Departamento de Departamento
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    30,000,000

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