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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora de Luz (Les) Tipo de lente
SPHWW1HDNE27YHV3B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne27yhv3b3 -
RFQ
 ECAD 5427 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.050 Cuadrado 1.9a - 1.50 mm 35.5V 1.08a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 4828LM (4210LM ~ 5446LM) 25 ° C 126 LM/W 90 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNH27YZU3C2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh27yzu3c2 2.6171
RFQ
 ECAD 8595 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Serie C Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh27 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 35V 900mA 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 3490LM (typ) 85 ° C 111 LM/W 90 DiáMetro de 11.50 mm Departamento de Departamento
SI-N8U3312B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8U3312B0WW -
RFQ
 ECAD 1414 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. SLE-033 Banda Obsoleto 50.00 mm de diámetro Chip A Bordo (COB) Conector Si-n8u Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1248 EAR99 8542.39.0001 400 Redondo 900mA - 6.10 mm 33.8V 700mA 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 3390LM (typ) 75 ° C 143 LM/W 80 Dia de 19.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF27YZW2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf27yzw2db 1.5977
RFQ
 ECAD 1605 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnf27yzw2db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.08a - 1.50 mm 34V 540ma 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 2301lm (typ) 85 ° C 125 lm/w 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SL-IGR7E970BWW Samsung Semiconductor, Inc. Sl-igr7e970bww 84.7900
RFQ
 ECAD 6541 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. - Banda No hay para Nuevos Diseños 245.00 mm LX 186.00 mm W Módulo liderado - Sl-igr7 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1688 EAR99 8541.41.0000 4 Rectángulo 2.1a - 45.60 mm 52.2V 1.35a - 5000K 9700LM (TÍP) - 138 LM/W 75 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM251ZR3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zr3db 12.3400
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnm251zr3db EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 3.24a - 1.50 mm 51.1V 1.62a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 13196lm (typ) 85 ° C 159 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM251ZU3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zu3d3 11.0603
RFQ
 ECAD 4379 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 4.14a - 1.50 mm 50V 1.62a 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 13452LM (typ) 85 ° C 166 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8R15156CWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R15156CWW 5.8800
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-V562B Banda Obsoleto 560.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-2129 EAR99 8541.41.0000 280 Tira de Luz lineal 720 mm - 5.50 mm 25.4V 630mA 120 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2157LM (typ) 50 ° C 135 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDNB25YHV31H Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnb25yhv31h 3.6262
RFQ
 ECAD 5952 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2034 EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 980 Ma - 1.50 mm 35.5V 540ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2906lm (2819lm ~ 2992lm) 25 ° C 152 lm/w 80 Dia de 12.40 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDNC25YHW32G Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnc25yhw32g -
RFQ
 ECAD 4454 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Gen2 Banda Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2056 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.3a - 1.50 mm 35.5V 720 mm 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 3760LM (3550LM ~ 3970LM) 25 ° C 147 lm/w 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNC2VYHV32J Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnc2vyhv32j -
RFQ
 ECAD 1314 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Banda Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2068 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.3a - 1.50 mm 35.5V - 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3062lm (2694lm ~ 3429lm) 25 ° C - - 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDN827YHW2CF Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn827yhw2cf -
RFQ
 ECAD 6908 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006B Caja Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 672 Cuadrado 320 mm - 1.50 mm 35.5V 180 Ma 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 786lm (695lm ~ 876lm) 25 ° C 123 LM/W 90 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDN827YHV2CF Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn827yhv2cf -
RFQ
 ECAD 1976 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006B Caja Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 672 Cuadrado 320 mm - 1.50 mm 35.5V 180 Ma 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 786lm (695lm ~ 876lm) 25 ° C 123 LM/W 90 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SI-B8V151550WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V151550WW -
RFQ
 ECAD 4316 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M552B Banda Obsoleto 550.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1139 EAR99 8541.41.0000 40 Tira de Luz lineal - - 5.80 mm 24.7V 600mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1950lm (typ) 50 ° C 132 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-B8U481B20US Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U481B20US 23.0800
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-VB24F_G2 Una granela Activo 1120.00 mm LX 39.80 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) 1510-SI-B8U481B20US EAR99 8541.41.0000 280 Tira de Luz lineal 1.08a - 5.20 mm 44V 1.08a 118 ° 3500K 8620LM (typ) 50 ° C 181 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-B9W051280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B9W051280WW -
RFQ
 ECAD 8824 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M272F Banda Obsoleto 275.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B9 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1195 EAR99 8542.39.0001 400 Tira de Luz lineal 450 mm - 5.80 mm 12V 450 mm 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 510lm (typ) 55 ° C 94 LM/W 90 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB27YZU2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb27yzu2db 0.6413
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnb27yzu2db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 360 Ma - 1.50 mm 34V 180 Ma 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 853lm (typ) 85 ° C 139 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNB28YHU21F Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnb28yhu21f -
RFQ
 ECAD 4869 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019B Caja Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 980 Ma - 1.50 mm 35.5V 540ma 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 2023LM (1820LM ~ 2225LM) 25 ° C 106 LM/W 95 Dia de 12.40 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB25YZV2F3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb25yzv2f3 -
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1855 EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 460ma - 1.50 mm 34.6V 180 Ma 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 875lm (typ) 85 ° C 141 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNA28YHV31E Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdna28yhv31e -
RFQ
 ECAD 3012 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013B Caja Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 660ma - 1.60 mm 35.5V 360 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1369LM (1232LM ~ 1506LM) 25 ° C 107 lm/w 95 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE2VYZAVD2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne2vyzavd2 2.4180
RFQ
 ECAD 2388 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne2 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34.6V 450 mm 115 ° 3300K 3 Pasos Macadam Ellipse 1823LM (TÍP) 85 ° C 105 lm/w - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNH28YZT3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh28yzt3d2 3.6471
RFQ
 ECAD 5991 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh28 Blanco, neutral descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 2.3a - 1.50 mm 34.6V 900mA 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3447LM (typ) 85 ° C 111 LM/W - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHCW1HDND25YHRT3P Samsung Semiconductor, Inc. Sphcw1hdnd25yhrt3p -
RFQ
 ECAD 9648 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC033B Banda Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphcw1 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1740 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.62a - 1.50 mm 35.5V 900mA 115 ° 5000K 4478LM (3851LM ~ 5105LM) 25 ° C 140 lm/w 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWH2HDNE08YHU2C1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwh2hdne08yhu2c1 6.4105
RFQ
 ECAD 3630 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040C Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 16.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwh2 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 440 Rectángulo 1.62a - 1.50 mm 34.5V 1.08a 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 3550LM (TÍP) 85 ° C 95 lm/w 92 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE25YZU3J1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne25yzu3j1 -
RFQ
 ECAD 3358 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC016D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1911 EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34.6V 450 mm 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2263LM (typ) 85 ° C 145 lm/w 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8T171550WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T171550WW -
RFQ
 ECAD 8320 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M552C Banda Obsoleto 550.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1119 EAR99 8541.41.0000 40 Tira de Luz lineal 900mA - 5.80 mm 24 V 700mA 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2460lm (typ) 50 ° C 146 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-B8R07228HWW Samsung Semiconductor, Inc. Si-B8R07228HWW 4.9791
RFQ
 ECAD 9427 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-S282H Banda No hay para Nuevos Diseños 279.70 mm LX 23.80 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 128 Tira de Luz lineal 540ma - 7.40 mm 23.4V 300mA 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1140LM (typ) 50 ° C 162 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-B8U11228001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U11228001 -
RFQ
 ECAD 6225 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Finger-Rt30b Caja Obsoleto 216.00 mm LX 273.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 900mA - 5.80 mm 15V 700mA 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1450LM (TÍP) 35 ° C 138 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK25YZV3M9 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk25yzv3m9 -
RFQ
 ECAD 5876 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040D Banda Obsoleto 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1970 EAR99 8541.41.0000 1,280 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 34.6V 1.08a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5257LM (TÍP) 85 ° C 141 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNC27YHV32G Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnc27yhv32g 5.0761
RFQ
 ECAD 2924 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2063 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.3a - 1.50 mm 35.5V 720 mm 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3155LM (2870LM ~ 3440LM) 25 ° C 123 LM/W 90 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

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