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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tamaña / dimensión | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Color | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Current - Max | Longitud de Onda | Alta | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Real - PrueBa | Ángulo de Visión | CCT (k) | Fljo luminoso @ corriente/temperatura | Temperatura - PrueBa | Lumens/watt @ real - prueba | Cri (Índice de Renderizado de color) | Superficie Emisora de Luz (Les) | Tipo de lente |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Sphhahdne27yzv3d1 | - | ![]() | 4789 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC016D | Banda | Obsoleto | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphhahdne27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.600 | Cuadrado | 1.15a | - | 1.50 mm | 34.6V | 450 mm | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1970LM (TÍPICO) | 85 ° C | 127 LM/W | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-N9V2612B0WW | - | ![]() | 3348 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | SLE-026 | Banda | Obsoleto | 50.00 mm de diámetro | Módulo liderado | - | Si-N9V | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1679 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 400 | Redondo | 700mA | - | 6.10 mm | 33.5V | 500mA | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2080LM (TÍP) | 75 ° C | 124 LM/W | 90 | Dia de 19.00 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnd27yzt2d3 | 1.6468 | ![]() | 6909 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnd27 | Blanco, neutral | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,000 | Cuadrado | 920 mm | - | 1.50 mm | 34V | 360 Ma | 115 ° | 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse | 1745lm (typ) | 85 ° C | 143 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||||
![]() | Sphwhahdnf28yzt2d2 | 2.2993 | ![]() | 9667 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnf28 | Blanco, neutral | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 1.38a | - | 1.50 mm | 34.6V | 540ma | 115 ° | 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse | 2121lm (typ) | 85 ° C | 114 LM/W | - | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |||||
![]() | SI-B8U17256CWW | - | ![]() | 5672 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Serie V Gen2 | Una granela | Activo | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | 1 (ilimitado) | 1510-SI-B8U17256CWW | EAR99 | 8541.41.0000 | 96 | Tira de Luz lineal | 900mA | - | 5.50 mm | 23.2v | 700mA | - | 3500K | 2720LM (TÍP) | 50 ° C | 167 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-N8T0754B0WW | - | ![]() | 1826 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | CM 90 mm G5 | Una granela | Obsoleto | 90.00 mm de diámetro | Módulo liderado | Conector | Si-n8t | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-SI-N8T0754B0WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 180 | Redondo | - | - | 5.20 mm | 27.5V | 240 mm | 120 ° | 4000K | 1240LM (typ) | 25 ° C | 188 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8R111250WW | - | ![]() | 4199 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Lam-SQ30B | Banda | Obsoleto | 259.00 mm LX 250.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, genial | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 900mA | - | 6.70 mm | 15.3V | 700mA | 145 ° | 5000K 4 Pasos Macadam Ellipse | 1400LM (typ) | 35 ° C | 131 LM/W | 80 | - | Abovovor | |||
![]() | SI-B8T061280WW | - | ![]() | 7651 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-E282A | Banda | Obsoleto | 280.00 mm LX 24.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-1221 | EAR99 | 8541.41.0000 | 560 | Tira de Luz lineal | 360 Ma | - | 5.80 mm | 18.7V | 300mA | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 745lm (typ) | 50 ° C | 133 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-N9V1312B0WW | - | ![]() | 5099 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | SLE-013 | Banda | Obsoleto | 50.00 mm de diámetro | Módulo liderado | - | Si-N9V | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1678 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 400 | Redondo | 350 mm | - | 6.10 mm | 33.5V | 250 Ma | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 980LM (TÍP) | 75 ° C | 117 LM/W | 90 | Dia de 13.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8T152560WW | - | ![]() | 1579 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-M562B_G2 | Banda | Obsoleto | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1335 | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 720 mm | - | 4.40 mm | 24.8V | 600mA | 115 ° | 4000K 4 Pasos Macadam Ellipse | 2200LM (TÍP) | 50 ° C | 148 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-N9T1312B0WW | - | ![]() | 8439 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | SLE-013 | Banda | Obsoleto | 50.00 mm de diámetro | Módulo liderado | - | Si-n9t | Blanco, neutral | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1672 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 400 | Redondo | 350 mm | - | 6.10 mm | 33.5V | 250 Ma | 115 ° | 4000K 4 Pasos Macadam Ellipse | 1050lm (typ) | 75 ° C | 125 lm/w | 90 | Dia de 13.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8T251560WW | 6.6789 | ![]() | 2707 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | M afluencia | Banda | Activo | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, neutral | descascar | No Aplicable | 1510-SI-B8T251560WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 2.8a | - | 5.50 mm | 23V | 1.12a | 118 ° | 4000K | 4510lm (typ) | 65 ° C | 175 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B8P116280WW | - | ![]() | 2778 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LAM-RT30 | Caja | Obsoleto | 216.00 mm LX 273.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 540ma | - | 6.60 mm | 30.2V | 350 mm | 145 ° | 6500k de 5 Pasos Macadam Ellipse | 1515lm (typ) | 50 ° C | 143 LM/W | 80 | - | Abovovor | |||
![]() | SI-B8T103560EU | - | ![]() | 6238 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Q | Banda | Activo | 560.00 mm LX 24.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, neutral | descascar | No Aplicable | 1510-SI-B8T103560EU | EAR99 | 8541.41.0000 | 40 | Tira de Luz lineal | 360 Ma | - | 5.20 mm | 54.8V | 180 Ma | 115 ° | 4000K | 2000 lm | 40 ° C | 203 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SL-PGQ2W53LBWW | - | ![]() | 4029 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | T-type gen2 | Banda | Obsoleto | 150.00 mm LX 65.00 mm W | Módulo liderado | IP66 | SL-PGQ2 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 12 | Rectángulo | 1A | - | 43.40 mm | 30V | 700mA | - | 5700K | 2850LM (TÍP) | 58 ° C | 136 LM/W | 75 | - | Abovovor | |||
![]() | Sphww1hdnd27yhw23p | - | ![]() | 7001 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC033B | Caja | Obsoleto | 21.50 mm LX 21.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphww1 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Cuadrado | 1.62a | - | 1.50 mm | 35.5V | 900mA | 115 ° | 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse | 3663LM (3205LM ~ 4121LM) | 25 ° C | 115 lm/w | 90 | 17.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B8R031500WW | 4.8900 | ![]() | 568 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Se Estándar retocedido | Una granela | Activo | 500.00 mm LX 13.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-SI-B8R031500WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 300 | Tira de Luz lineal | 200 MMA | - | 6.00 mm | 41.5V | 88 Ma | 160 ° | 5000K | 650lm (typ) | 40 ° C | 178 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnf25yzr3j6 | - | ![]() | 4072 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC019D | Banda | Obsoleto | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnf25 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-1926 | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.600 | Cuadrado | 1.38a | - | 1.50 mm | 34.6V | 540ma | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2756lm (typ) | 85 ° C | 148 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | SL-PGR2V47MBWW | - | ![]() | 3475 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Gen2 de Tipo E | Banda | Obsoleto | - | Módulo liderado | Conector | SL-PGR2 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1702 | EAR99 | 8541.41.0000 | 12 | Rectángulo | 1A | - | - | 30V | 700mA | - | 5000K | 2650lm (TÍP) | - | 114 LM/W | 75 | - | - | ||
![]() | SI-N8U1123B1US | - | ![]() | 7345 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Acom dle | Banda | Obsoleto | 55.00 mm LX 55.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-n8u | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1662 | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Cuadrado | - | - | 12.50 mm | 120 VAC | - | 115 ° | 3500K | 1180LM (typ) | 25 ° C | 104 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8V111250WW | - | ![]() | 5476 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Lam-SQ30B | Banda | Obsoleto | 259.00 mm LX 250.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 900mA | - | 6.70 mm | 15.3V | 700mA | 145 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1270LM (typ) | 35 ° C | 119 LM/W | 80 | - | Abovovor | |||
![]() | Sphwhahdnh25yzw3d4 | 7.8200 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen4 | Una granela | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnh25 | Blanco, Cálido | descascar | ROHS3 Cumplante | 2a (4 semanas) | Alcanzar sin afectado | 1510-SphWHAHDNH25YZW3D4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 2.3a | - | 1.70 mm | 33.6V | 900mA | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 4785lm (typ) | 85 ° C | 158 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |
![]() | SL-PGQ2W52MBGL | - | ![]() | 2000 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | - | Banda | Obsoleto | - | - | - | SL-PGQ2 | - | - | EAR99 | 8541.41.0000 | 12 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
![]() | SI-B8U11228001 | - | ![]() | 6225 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Finger-Rt30b | Caja | Obsoleto | 216.00 mm LX 273.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 900mA | - | 5.80 mm | 15V | 700mA | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1450LM (TÍP) | 35 ° C | 138 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Si-B8U071B00WW | 8.4700 | ![]() | 299 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Se Estándar retocedido | Una granela | Activo | 1100.00 mm LX 13.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-SI-B8U071B00WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 150 | Tira de Luz lineal | 400mA | - | 6.00 mm | 41.5V | 176MA | 160 ° | 3500K | 1240LM (typ) | 40 ° C | 170 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | Si-B8T141560LD | 13.5000 | ![]() | 7020 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-S562N | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 560.00 mm LX 24.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, neutral | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.41.0000 | 224 | Tira de Luz lineal | 360 Ma | - | 5.80 mm | 35.2V | 200 MMA | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1120LM (typ) | 50 ° C | 160 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
SI-B8V051280US | 6.8800 | ![]() | 313 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-Q282A | Banda | Activo | 275.00 mm LX 18.00 mm W | LED de motor | - | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | No Aplicable | 1510-2281 | EAR99 | 8541.41.0000 | 400 | Tira de Luz lineal | - | - | 5.80 mm | 11V | 450 mm | - | 3000K | 920LM (typ) | 40 ° C | 186 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||||
![]() | SL-B8T4N90LAWW | 26.7700 | ![]() | 102 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | H afluencia | Banda | Activo | 560.00 mm LX 41.00 mm W | Módulo liderado | - | SL-B8T4 | Blanco, neutral | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.41.0000 | 120 | Tira de Luz lineal | 1.6a | - | 5.20 mm | 44.6V | 1A | 118 ° | 4000K | 8570LM (TÍP) | 55 ° C | 192 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||||
![]() | Sphwhahdng2vyzvvd2 | 3.5554 | ![]() | 6829 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng2 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 1.84a | - | 1.50 mm | 34.6V | 720 mm | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2706lm (typ) | 85 ° C | 109 LM/W | - | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphww1hdnd28yhw33j | - | ![]() | 9587 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC033B | Caja | Obsoleto | 21.50 mm LX 21.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphww1 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Cuadrado | 1.62a | - | 1.50 mm | 35.5V | 900mA | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 3371LM (3034LM ~ 3708LM) | 25 ° C | 106 LM/W | 95 | 17.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento |
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