SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora de Luz (Les) Tipo de lente
SPHWHAHDNE27YZV3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne27yzv3d1 -
RFQ
ECAD 4789 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC016D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34.6V 450 mm 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1970LM (TÍPICO) 85 ° C 127 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-N9V2612B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N9V2612B0WW -
RFQ
ECAD 3348 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. SLE-026 Banda Obsoleto 50.00 mm de diámetro Módulo liderado - Si-N9V Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1679 Obsoleto 0000.00.0000 400 Redondo 700mA - 6.10 mm 33.5V 500mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2080LM (TÍP) 75 ° C 124 LM/W 90 Dia de 19.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDND27YZT2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd27yzt2d3 1.6468
RFQ
ECAD 6909 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd27 Blanco, neutral descascar EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34V 360 Ma 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 1745lm (typ) 85 ° C 143 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF28YZT2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf28yzt2d2 2.2993
RFQ
ECAD 9667 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf28 Blanco, neutral descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 2121lm (typ) 85 ° C 114 LM/W - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8U17256CWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U17256CWW -
RFQ
ECAD 5672 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Serie V Gen2 Una granela Activo 560.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, genial descascar 1 (ilimitado) 1510-SI-B8U17256CWW EAR99 8541.41.0000 96 Tira de Luz lineal 900mA - 5.50 mm 23.2v 700mA - 3500K 2720LM (TÍP) 50 ° C 167 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SI-N8T0754B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8T0754B0WW -
RFQ
ECAD 1826 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. CM 90 mm G5 Una granela Obsoleto 90.00 mm de diámetro Módulo liderado Conector Si-n8t Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-SI-N8T0754B0WW EAR99 8541.41.0000 180 Redondo - - 5.20 mm 27.5V 240 mm 120 ° 4000K 1240LM (typ) 25 ° C 188 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-B8R111250WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R111250WW -
RFQ
ECAD 4199 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Lam-SQ30B Banda Obsoleto 259.00 mm LX 250.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 900mA - 6.70 mm 15.3V 700mA 145 ° 5000K 4 Pasos Macadam Ellipse 1400LM (typ) 35 ° C 131 LM/W 80 - Abovovor
SI-B8T061280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T061280WW -
RFQ
ECAD 7651 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-E282A Banda Obsoleto 280.00 mm LX 24.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1221 EAR99 8541.41.0000 560 Tira de Luz lineal 360 Ma - 5.80 mm 18.7V 300mA 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 745lm (typ) 50 ° C 133 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-N9V1312B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N9V1312B0WW -
RFQ
ECAD 5099 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. SLE-013 Banda Obsoleto 50.00 mm de diámetro Módulo liderado - Si-N9V Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1678 Obsoleto 0000.00.0000 400 Redondo 350 mm - 6.10 mm 33.5V 250 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 980LM (TÍP) 75 ° C 117 LM/W 90 Dia de 13.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8T152560WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T152560WW -
RFQ
ECAD 1579 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M562B_G2 Banda Obsoleto 560.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1335 EAR99 8541.41.0000 280 Tira de Luz lineal 720 mm - 4.40 mm 24.8V 600mA 115 ° 4000K 4 Pasos Macadam Ellipse 2200LM (TÍP) 50 ° C 148 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-N9T1312B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N9T1312B0WW -
RFQ
ECAD 8439 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. SLE-013 Banda Obsoleto 50.00 mm de diámetro Módulo liderado - Si-n9t Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1672 Obsoleto 0000.00.0000 400 Redondo 350 mm - 6.10 mm 33.5V 250 Ma 115 ° 4000K 4 Pasos Macadam Ellipse 1050lm (typ) 75 ° C 125 lm/w 90 Dia de 13.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8T251560WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T251560WW 6.6789
RFQ
ECAD 2707 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. M afluencia Banda Activo 560.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, neutral descascar No Aplicable 1510-SI-B8T251560WW EAR99 8541.41.0000 280 Tira de Luz lineal 2.8a - 5.50 mm 23V 1.12a 118 ° 4000K 4510lm (typ) 65 ° C 175 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SI-B8P116280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8P116280WW -
RFQ
ECAD 2778 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LAM-RT30 Caja Obsoleto 216.00 mm LX 273.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 540ma - 6.60 mm 30.2V 350 mm 145 ° 6500k de 5 Pasos Macadam Ellipse 1515lm (typ) 50 ° C 143 LM/W 80 - Abovovor
SI-B8T103560EU Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T103560EU -
RFQ
ECAD 6238 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Q Banda Activo 560.00 mm LX 24.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, neutral descascar No Aplicable 1510-SI-B8T103560EU EAR99 8541.41.0000 40 Tira de Luz lineal 360 Ma - 5.20 mm 54.8V 180 Ma 115 ° 4000K 2000 lm 40 ° C 203 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SL-PGQ2W53LBWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-PGQ2W53LBWW -
RFQ
ECAD 4029 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. T-type gen2 Banda Obsoleto 150.00 mm LX 65.00 mm W Módulo liderado IP66 SL-PGQ2 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 12 Rectángulo 1A - 43.40 mm 30V 700mA - 5700K 2850LM (TÍP) 58 ° C 136 LM/W 75 - Abovovor
SPHWW1HDND27YHW23P Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnd27yhw23p -
RFQ
ECAD 7001 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC033B Caja Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.62a - 1.50 mm 35.5V 900mA 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 3663LM (3205LM ~ 4121LM) 25 ° C 115 lm/w 90 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8R031500WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R031500WW 4.8900
RFQ
ECAD 568 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Se Estándar retocedido Una granela Activo 500.00 mm LX 13.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-SI-B8R031500WW EAR99 8541.41.0000 300 Tira de Luz lineal 200 MMA - 6.00 mm 41.5V 88 Ma 160 ° 5000K 650lm (typ) 40 ° C 178 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF25YZR3J6 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzr3j6 -
RFQ
ECAD 4072 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1926 EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2756lm (typ) 85 ° C 148 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SL-PGR2V47MBWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-PGR2V47MBWW -
RFQ
ECAD 3475 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Gen2 de Tipo E Banda Obsoleto - Módulo liderado Conector SL-PGR2 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1702 EAR99 8541.41.0000 12 Rectángulo 1A - - 30V 700mA - 5000K 2650lm (TÍP) - 114 LM/W 75 - -
SI-N8U1123B1US Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8U1123B1US -
RFQ
ECAD 7345 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Acom dle Banda Obsoleto 55.00 mm LX 55.00 mm W Módulo liderado - Si-n8u Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1662 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado - - 12.50 mm 120 VAC - 115 ° 3500K 1180LM (typ) 25 ° C 104 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-B8V111250WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V111250WW -
RFQ
ECAD 5476 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Lam-SQ30B Banda Obsoleto 259.00 mm LX 250.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 900mA - 6.70 mm 15.3V 700mA 145 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1270LM (typ) 35 ° C 119 LM/W 80 - Abovovor
SPHWHAHDNH25YZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh25yzw3d4 7.8200
RFQ
ECAD 240 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh25 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-SphWHAHDNH25YZW3D4 EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 2.3a - 1.70 mm 33.6V 900mA 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 4785lm (typ) 85 ° C 158 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SL-PGQ2W52MBGL Samsung Semiconductor, Inc. SL-PGQ2W52MBGL -
RFQ
ECAD 2000 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. - Banda Obsoleto - - - SL-PGQ2 - - EAR99 8541.41.0000 12 - - - - - - - - - - - - - -
SI-B8U11228001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U11228001 -
RFQ
ECAD 6225 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Finger-Rt30b Caja Obsoleto 216.00 mm LX 273.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 900mA - 5.80 mm 15V 700mA 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1450LM (TÍP) 35 ° C 138 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-B8U071B00WW Samsung Semiconductor, Inc. Si-B8U071B00WW 8.4700
RFQ
ECAD 299 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Se Estándar retocedido Una granela Activo 1100.00 mm LX 13.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-SI-B8U071B00WW EAR99 8541.41.0000 150 Tira de Luz lineal 400mA - 6.00 mm 41.5V 176MA 160 ° 3500K 1240LM (typ) 40 ° C 170 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SI-B8T141560LD Samsung Semiconductor, Inc. Si-B8T141560LD 13.5000
RFQ
ECAD 7020 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-S562N Banda No hay para Nuevos Diseños 560.00 mm LX 24.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 224 Tira de Luz lineal 360 Ma - 5.80 mm 35.2V 200 MMA 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1120LM (typ) 50 ° C 160 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SI-B8V051280US Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V051280US 6.8800
RFQ
ECAD 313 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-Q282A Banda Activo 275.00 mm LX 18.00 mm W LED de motor - Si-B8 Blanco, Cálido descascar No Aplicable 1510-2281 EAR99 8541.41.0000 400 Tira de Luz lineal - - 5.80 mm 11V 450 mm - 3000K 920LM (typ) 40 ° C 186 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SL-B8T4N90LAWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8T4N90LAWW 26.7700
RFQ
ECAD 102 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. H afluencia Banda Activo 560.00 mm LX 41.00 mm W Módulo liderado - SL-B8T4 Blanco, neutral descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 120 Tira de Luz lineal 1.6a - 5.20 mm 44.6V 1A 118 ° 4000K 8570LM (TÍP) 55 ° C 192 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG2VYZVVD2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng2vyzvvd2 3.5554
RFQ
ECAD 6829 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng2 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2706lm (typ) 85 ° C 109 LM/W - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDND28YHW33J Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnd28yhw33j -
RFQ
ECAD 9587 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC033B Caja Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.62a - 1.50 mm 35.5V 900mA 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 3371LM (3034LM ~ 3708LM) 25 ° C 106 LM/W 95 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock