SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora de Luz (Les) Tipo de lente
SPHWHAHDNK25YZT2N2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk25yzt2n2 -
RFQ
ECAD 2299 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040D Banda Obsoleto 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk25 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1965 EAR99 8541.41.0000 1,280 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 34.6V 1.08a 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 5535lm (TÍP) 85 ° C 148 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF25YZU3C2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzu3c2 1.6034
RFQ
ECAD 3707 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Serie C Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 35V 600mA 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2688lm (typ) 85 ° C 128 LM/W 80 Dia de 8.50 mm Departamento de Departamento
SPHWH2HDNA05YHRTC1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwh2hdna05yhrtc1 2.7247
RFQ
ECAD 1393 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC010C Banda No hay para Nuevos Diseños 15.00 mm LX 12.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwh2 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1747 EAR99 8541.41.0000 624 Rectángulo 405 Ma - 1.50 mm 34.5V 270 Ma 115 ° 5000K 1260LM (typ) 85 ° C 135 lm/w 80 Dia de 6.00 mm Departamento de Departamento
SI-B8U095280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U095280WW -
RFQ
ECAD 3271 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LAM-RT32B Caja Obsoleto 273.00 mm LX 216.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1125 EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo - - 5.60 mm 24 V 385mA 145 ° 3500K 1150LM (1030LM ~ 1280LM) 35 ° C 126 LM/W 80 - Abovovor
SPHWHAHDNA25YZQ3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna25yzq3db 0.5290
RFQ
ECAD 7481 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdna25yzq3db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 360 Ma - 1.50 mm 34V 180 Ma 115 ° 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse 516lm (typ) 85 ° C 84 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF25YZR3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzr3d1 -
RFQ
ECAD 8857 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 970MA - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2756lm (2894lm ~ 2825lm) 85 ° C 148 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Abovovor
SI-B8V521B2CUS Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V521B2CUS 13.6900
RFQ
ECAD 287 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-VB22F Banda Obsoleto 1120.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, Cálido descascar No Aplicable EAR99 8541.41.0000 360 Tira de Luz lineal 1.62a - 5.50 mm 48.8V 1.12a - 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 7214LM (6495LM ~ 7935LM) 65 ° C 132 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB27YZT2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb27yzt2d2 0.8767
RFQ
ECAD 7167 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb27 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 460ma - 1.50 mm 34.6V 180 Ma 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 870lm (typ) 85 ° C 140 lm/w 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNL271ZR3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl271zr3dc 12.4600
RFQ
ECAD 120 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl271 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnl271zr3dc EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.16a - 1.50 mm 50.6V 1.08a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 8186lm (typ) 85 ° C 150 lm/w 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8T151550WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T151550WW -
RFQ
ECAD 6201 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M552B Banda Obsoleto 550.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1117 EAR99 8541.41.0000 40 Tira de Luz lineal - - 5.80 mm 24.7V 600mA 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2040LM (TÍP) 50 ° C 138 LM/W 80 - Departamento de Departamento
STIDMW830042112AAA Samsung Semiconductor, Inc. Stidmw830042112aaa -
RFQ
ECAD 3343 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Ronda-62b - Obsoleto 62.00 mm de diámetro LED de motor - Stidmw83 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1 Redondo - - 5.70 mm 12V - 115 ° 3000K 450lm (typ) - - 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDN825YHT3ED Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn825yht3ed -
RFQ
ECAD 7226 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006B Caja Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 672 Cuadrado 320 mm - 1.50 mm 35.5V 180 Ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 909LM (817LM ~ 1001LM) 25 ° C 142 lm/w 80 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDNE27YHT24K Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne27yht24k 8.0762
RFQ
ECAD 4263 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2108 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.9a - 1.50 mm 35.5V 1.08a 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 4866LM (4462LM ~ 5269LM) 25 ° C 127 LM/W 90 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8V114280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V114280WW 6.7800
RFQ
ECAD 400 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M282C_G2 Banda Obsoleto 275.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1339 EAR99 8541.41.0000 400 Tira de Luz lineal 540ma - 4.40 mm 24.8V 450 mm 115 ° 3000K 4 Pasos Macadam Ellipse 1580LM (TÍP) 50 ° C 142 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SI-B8T071300WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T071300WW -
RFQ
ECAD 3566 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-A302A Banda Obsoleto 295.00 mm LX 21.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1111 EAR99 8541.41.0000 40 Tira de Luz lineal - - 6.00 mm 12.7V 600mA - 4000K 4 Pasos Macadam Ellipse 940LM (typ) 45 ° C 123 LM/W 80 - Abovovor
SPHWW1HDNA27YHW31G Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdna27yhw31g 2.7811
RFQ
ECAD 6236 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 660ma - 1.60 mm 35.5V 360 Ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 1538LM (1405LM ~ 1670LM) 25 ° C 120 lm/w 90 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDND25YHU2B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnd25yhu2b3 -
RFQ
ECAD 8529 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC033B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.050 Cuadrado 1.62a - 1.50 mm 35.5V 900mA 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 5273LM (4915LM ~ 5630LM) 25 ° C 165 lm/w 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B9T171560WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B9T171560WW -
RFQ
ECAD 2887 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M562H Banda Obsoleto 560.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B9 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1218 EAR99 8542.39.0001 280 Tira de Luz lineal 900mA - 5.80 mm 24 V 700mA 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1900LM (TÍPICO) 50 ° C 113 LM/W 90 - Departamento de Departamento
STOPMW840250V2SE31 Samsung Semiconductor, Inc. StopMW840250V2SE31 -
RFQ
ECAD 5448 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. - Caja Obsoleto 125.00 mm LX 50.00 mm W Módulo liderado - StopMW84 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 6 Rectángulo 1A - 41.60 mm 30.5V 700mA - 4000K 1500LM (TÍP) 65 ° C 70 lm/w 80 - -
SPHWHAHDNH27YZU3C2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh27yzu3c2 2.6171
RFQ
ECAD 8595 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Serie C Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh27 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 35V 900mA 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 3490LM (typ) 85 ° C 111 LM/W 90 DiáMetro de 11.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG25YZU3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng25yzu3db 5.2000
RFQ
ECAD 249 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdng25yzu3db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.44a - 1.50 mm 34V 720 mm 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 3872lm (TÍP) 85 ° C 158 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8R072280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R072280WW -
RFQ
ECAD 3127 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M282B_G2 Banda Obsoleto 275.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1328 EAR99 8541.41.0000 400 Tira de Luz lineal 360 Ma - 4.40 mm 24.8V 300mA 115 ° 5000K 4 Pasos Macadam Ellipse 1100LM (typ) 50 ° C 148 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDNC28YHV22F Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnc28yhv22f -
RFQ
ECAD 9004 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Caja Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.3a - 1.50 mm 35.5V 720 mm 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 2712LM (2440LM ~ 2983LM) 25 ° C 106 LM/W 95 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG2VYZVVD2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng2vyzvvd2 3.5554
RFQ
ECAD 6829 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng2 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2706lm (typ) 85 ° C 109 LM/W - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDND28YHW33J Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnd28yhw33j -
RFQ
ECAD 9587 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC033B Caja Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.62a - 1.50 mm 35.5V 900mA 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 3371LM (3034LM ~ 3708LM) 25 ° C 106 LM/W 95 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-N9V2612B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N9V2612B0WW -
RFQ
ECAD 3348 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. SLE-026 Banda Obsoleto 50.00 mm de diámetro Módulo liderado - Si-N9V Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1679 Obsoleto 0000.00.0000 400 Redondo 700mA - 6.10 mm 33.5V 500mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2080LM (TÍP) 75 ° C 124 LM/W 90 Dia de 19.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM271ZU2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm271zu2d3 9.9748
RFQ
ECAD 5055 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm271 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 4.14a - 1.50 mm 50V 1.62a 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 11529lm (typ) 85 ° C 142 lm/w 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDND27YZU3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd27yzu3dc 3.1200
RFQ
ECAD 349 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnd27yzu3dc EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 720 mm - 1.50 mm 33.7V 360 Ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1712lm (typ) 85 ° C 141 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNA25YHT31F Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdna25yht31f -
RFQ
ECAD 6924 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013B Banda Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 660ma - 1.50 mm 35.5V 360 Ma 115 ° 4000K 1665lm (1430lm ~ 1900lm) 25 ° C 130 lm/w 80 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNL271ZV3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl271zv3db 9.2200
RFQ
ECAD 148 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Caja Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl271 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnl271zv3db EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.16a - 1.50 mm 51.1V 1.08a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 9225LM (TÍP) 85 ° C 167 lm/w 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock