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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tamaña / dimensión	TUPO	Cuidadas	Base Número de Producto	Color	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Current - Max	Longitud de Onda	Alta	Voltaje - Forward (VF) (Typ)	Real - PrueBa	Ángulo de Visión	CCT (k)	Fljo luminoso @ corriente/temperatura	Temperatura - PrueBa	Lumens/watt @ real - prueba	Cri (Índice de Renderizado de color)	Superficie Emisora de Luz (Les)	Tipo de lente
Sphwhahdnm251zp3d4	17.8100	RFQ	160	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm251	Blanco, genial	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnm251zp3d4	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	4.14a	-	1.70 mm	50.5V	1.62a	115 °	6500K 3 Pasos Macadam Ellipse	14104LM (typ)	85 ° C	172 lm/w	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf27yzw2d1	-	RFQ	3672	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019D	Banda	Obsoleto	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	1.600	Cuadrado	970MA	-	1.50 mm	34.6V	540ma	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	2157LM (2104LM ~ 2210LM)	85 ° C	115 lm/w	90	17.00 mm de diámetro	Abovovor
Sphwhahdnc25yzw3d3	1.3282	RFQ	1931	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnc25	Blanco, Cálido	descascar					EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	690ma	-	1.50 mm	34V	270 Ma	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	1405LM (TÍP)	85 ° C	153 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh25yzt3dc	7.3600	RFQ	250	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh25	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnh25yzt3dc	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.8a	-	1.50 mm	33.7V	900mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5150lm (typ)	85 ° C	170 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
SI-N8T3312B0WW	-	RFQ	4135	Samsung Semiconductor, Inc.	SLE-033	Banda	Obsoleto	50.00 mm de diámetro	Chip A Bordo (COB)	Conector	Si-n8t	Blanco, neutral	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		1510-1249	EAR99	8542.39.0001	400	Redondo	900mA	-	6.10 mm	33.8V	700mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	3510lm (typ)	75 ° C	148 LM/W	80	Dia de 19.00 mm	Departamento de Departamento
Sphcw1hdne25yhqt4h	7.1427	RFQ	7396	Samsung Semiconductor, Inc.	LC040B	Banda	No hay para Nuevos Diseños	21.50 mm LX 21.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphcw1	Blanco, genial	-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1742	EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	1.9a	-	1.50 mm	35.5V	1.08a	115 °	5700K	5888LM (5690LM ~ 6085LM)	25 ° C	154 LM/W	80	17.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SPHCW1HDNB25YHR31H	3.6262	RFQ	8095	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019B	Banda	No hay para Nuevos Diseños	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphcw1	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1725	EAR99	8541.41.0000	480	Cuadrado	980 Ma	-	1.50 mm	35.5V	540ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	3017LM (2831LM ~ 3202LM)	25 ° C	157 LM/W	80	Dia de 12.40 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdna27yzt3d4	1.6400	RFQ	500	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna27	Blanco, neutral	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdna27yzt3d4	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	230mA	-	1.65 mm	33.6V	90 Ma	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	474lm (typ)	85 ° C	157 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk25yzu2db	3.2393	RFQ	1628	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnk25yzu2db	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	34V	1.08a	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	5925lm (typ)	85 ° C	161 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwh2hdna07yht2c1	3.1335	RFQ	1291	Samsung Semiconductor, Inc.	LC010C	Banda	No hay para Nuevos Diseños	15.00 mm LX 12.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwh2	Blanco, neutral	-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	624	Rectángulo	405 Ma	-	1.50 mm	34.5V	270 Ma	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	920LM (typ)	85 ° C	99 LM/W	90	Dia de 6.00 mm	Departamento de Departamento
SL-B8T4N80L1WW	-	RFQ	3594	Samsung Semiconductor, Inc.	Influx_S04	Banda	Obsoleto	279.60 mm LX 39.60 mm W	Módulo liderado	Conector	SL-B8T4	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-1350	EAR99	8541.41.0000	160	Tira de Luz lineal	1.38a	-	5.90 mm	24.1V	1.38a	115 °	4000K	4550lm (typ)	65 ° C	137 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-B8R112560WW	-	RFQ	3198	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-E562A	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 24.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		1510-1226	EAR99	8541.41.0000	240	Tira de Luz lineal	360 Ma	-	5.80 mm	37.4V	300mA	115 °	5000K 4 Pasos Macadam Ellipse	1518LM (TÍP)	50 ° C	135 lm/w	80	-	Departamento de Departamento
Sphww1hdnb25yhw3b3	-	RFQ	7029	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019B Gen3	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.41.0000	1.400	Cuadrado	980 Ma	-	1.50 mm	35.5V	540ma	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	2842LM (2650LM ~ 3034LM)	25 ° C	148 LM/W	80	Dia de 12.40 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnd27yzu3d3	1.6518	RFQ	3300	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd27	Blanco, Cálido	descascar					EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	920 mm	-	1.50 mm	34V	360 Ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	1710lm (typ)	85 ° C	140 lm/w	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SL-P7V2F32MBKI	25.9875	RFQ	4057	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Banda	No hay para Nuevos Diseños	150.00 mm LX 50.00 mm W	Módulo liderado	-	SL-P7V2	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-1699	EAR99	8541.41.0000	24	Rectángulo	700mA	-	16.00 mm	30V	700mA	-	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2100LM (typ)	65 ° C	100 lm/w	70	-	Abovovor
SL-B8V7N90L1WW	-	RFQ	6728	Samsung Semiconductor, Inc.	Influx_L09	Banda	Obsoleto	559.50 mm LX 39.60 mm W	Módulo liderado	Conector	SL-B8V4	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-1357	EAR99	8541.41.0000	150	Tira de Luz lineal	1.38a	-	5.90 mm	48.2V	1.38a	115 °	3000K	8390LM (TÍP)	65 ° C	126 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh27yzt2d2	3.5812	RFQ	3994	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh27	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	2.3a	-	1.50 mm	34.6V	900mA	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	4180LM (typ)	85 ° C	134 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphhahdne25yzu2db	1.3923	RFQ	9551	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdne25yzu2db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	900mA	-	1.50 mm	34V	450 mm	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	2463LM (typ)	85 ° C	161 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnc27yzw3c2	0.9013	RFQ	5189	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie C Gen2	Tape & Reel (TR)	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnc27	Blanco, Cálido	descascar					EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	380 Ma	-	1.50 mm	35V	300mA	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	1037lm (typ)	85 ° C	99 LM/W	90	Dia de 6.00 mm	Departamento de Departamento
SI-B9U243B20WW	7.0829	RFQ	6171	Samsung Semiconductor, Inc.	V Gen3	Banda	Activo	1120.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-B9	Blanco, Cálido	descascar	ROHS3 Cumplante			1510-SI-B9U243B20WW	EAR99	8541.41.0000	110	Tira de Luz lineal	1.8a	-	3.70 mm	44.4V	530mA	118 °	3500K	3680LM (3370LM ~ 4040LM)	50 ° C	157 LM/W	90	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdng25yzw2k0	-	RFQ	6825	Samsung Semiconductor, Inc.	LC026D	Banda	Obsoleto	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1952	EAR99	8541.41.0000	1.600	Cuadrado	1.84a	-	1.50 mm	34.6V	720 mm	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	3225LM (TÍP)	85 ° C	129 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphcw1hdnc25yhrtb3	-	RFQ	1245	Samsung Semiconductor, Inc.	LC026B Gen3	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	21.50 mm LX 21.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphcw1	Blanco, genial	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.41.0000	1.050	Cuadrado	1.3a	-	1.50 mm	35.5V	720 mm	115 °	5000K	4325LM (4050LM ~ 4600LM)	25 ° C	169 LM/W	80	17.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh27yzr3c2	2.6171	RFQ	6190	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie C Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh27	Blanco, genial	descascar					EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.38a	-	1.50 mm	35V	900mA	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	3592lm (typ)	85 ° C	114 LM/W	90	DiáMetro de 11.50 mm	Departamento de Departamento
SI-B8T11228001	-	RFQ	4724	Samsung Semiconductor, Inc.	Finger-Rt30b	Caja	Obsoleto	216.00 mm LX 273.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, neutral	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	60	Rectángulo	900mA	-	5.80 mm	15.3V	700mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1500LM (TÍP)	35 ° C	140 lm/w	80	-	Departamento de Departamento
Sphww1hdnc23yhtt3f	4.8840	RFQ	2309	Samsung Semiconductor, Inc.	LC026B Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	21.50 mm LX 21.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-2048	EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	1.3a	-	1.50 mm	35.5V	720 mm	115 °	4000K	3897LM (3429LM ~ 4365LM)	25 ° C	152 lm/w	70	17.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8U171560WW	-	RFQ	9074	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M562C	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		1510-1131	EAR99	8541.41.0000	40	Tira de Luz lineal	900mA	-	5.80 mm	24 V	700mA	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2390LM (TÍP)	50 ° C	142 lm/w	80	-	Departamento de Departamento
Sphww1hdn827yht3b3	-	RFQ	9924	Samsung Semiconductor, Inc.	LC006B Gen3	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, neutral	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.41.0000	1.750	Cuadrado	320 mm	-	1.50 mm	35.5V	180 Ma	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	895LM (816LM ~ 973LM)	25 ° C	140 lm/w	90	Dia de 8.00 mm	Departamento de Departamento
Sphww1hdn94vyhu3fg	-	RFQ	3212	Samsung Semiconductor, Inc.	LC008B	Banda	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido	-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-2013	EAR99	8541.41.0000	672	Cuadrado	430mA	-	1.50 mm	35.5V	-	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	1038LM (913LM ~ 1162LM)	25 ° C	-	-	Dia de 8.00 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdng2vyzuvd2	3.5554	RFQ	3107	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng2	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.84a	-	1.50 mm	34.6V	720 mm	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2907LM (typ)	85 ° C	117 LM/W	-	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk25yzv3c2	2.8341	RFQ	2680	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie C Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, Cálido	descascar					EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.61a	-	1.50 mm	35V	1.05A	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	4524lm (typ)	85 ° C	123 LM/W	80	DiáMetro de 11.50 mm	Departamento de Departamento