SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora ​​de Luz (Les) Tipo de lente
STIDMW840042112AAA Samsung Semiconductor, Inc. Stidmw840042112aaa -
RFQ
ECAD 2858 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Ronda-62b - Obsoleto 62.00 mm de diámetro LED de motor - Stidmw84 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1 Redondo - - 5.70 mm 12V - 115 ° 4000K 510lm (typ) - - 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA27YZU2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna27yzu2db 0.4306
RFQ
ECAD 2190 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdna27yzu2db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 360 Ma - 1.50 mm 34V 180 Ma 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 423lm (typ) 85 ° C 69 lm/w 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA25YZU2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna25yzu2d3 0.5802
RFQ
ECAD 8811 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna25 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 230mA - 1.50 mm 34V 90 Ma 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 514lm (typ) 85 ° C 168 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWH2HDNE07YHT3C1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwh2hdne07yht3c1 4.9691
RFQ
ECAD 1966 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040C Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 16.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwh2 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1772 EAR99 8541.41.0000 440 Rectángulo 1.62a - 1.50 mm 34.5V 1.08a 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3900LM (TÍP) 85 ° C 105 lm/w 90 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDND28YHV33J Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnd28yhv33j -
RFQ
ECAD 4101 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC033B Caja Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.62a - 1.50 mm 35.5V 900mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3371LM (3034LM ~ 3708LM) 25 ° C 106 LM/W 95 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE25YZQ3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne25yzq3d4 4.8900
RFQ
ECAD 250 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne25 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdne25yzq3d4 EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.15a - 1.70 mm 33.6V 450 mm 115 ° 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse 2722lm (typ) 85 ° C 180 lm/w 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNL271ZU3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl271zu3d4 12.8600
RFQ
ECAD 160 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl271 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnl271zu3d4 EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.76a - 1.70 mm 50.5V 1.08a 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 8017lm (typ) 85 ° C 147 lm/w 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNC25YZW2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc25yzw2d2 1.1864
RFQ
ECAD 7510 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 690ma - 1.50 mm 34.6V 270 Ma 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 1342lm (typ) 85 ° C 144 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNC25YHV2B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnc25yhv2b3 -
RFQ
ECAD 3231 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.050 Cuadrado 1.3a - 1.50 mm 35.5V 720 mm 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 4038LM (3770LM ~ 4306LM) 25 ° C 158 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNH25YZT3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh25yzt3d4 7.8200
RFQ
ECAD 150 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh25 Blanco, neutral descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnh25yzt3d4 EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 2.3a - 1.70 mm 33.6V 900mA 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5227LM (TÍP) 85 ° C 173 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-N9W4012B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N9W4012B0WW -
RFQ
ECAD 7055 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. SLE-040 Banda Obsoleto 50.00 mm de diámetro Módulo liderado - SI-N9W Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1685 Obsoleto 0000.00.0000 400 Redondo 1A - 6.10 mm 34.1V 900mA 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 3280LM (typ) 75 ° C 107 lm/w 90 Dia de 19.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDND25YZT3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd25yzt3d2 1.5240
RFQ
ECAD 8110 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd25 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1950lm (typ) 85 ° C 157 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHCW1HDN945YHQTKH Samsung Semiconductor, Inc. Sphcw1hdn945yhqtkh 1.7743
RFQ
ECAD 4343 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC008B Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphcw1 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1710 EAR99 8541.41.0000 672 Cuadrado 430mA - 1.50 mm 36.5V 240 mm 115 ° 5700K 1310LM (1268LM ~ 1351LM) 25 ° C 150 lm/w 80 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDND28YZW3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd28yzw3d2 1.5679
RFQ
ECAD 9227 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Tape & Reel (TR) Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd28 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 1223LM (TÍP) 85 ° C 98 lm/w - 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNE25YHW34H Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne25yhw34h 7.1427
RFQ
ECAD 7755 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2107 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.9a - 1.50 mm 35.5V 1.08a 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 5625LM (5450LM ~ 5800LM) 25 ° C 147 lm/w 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA27YZU2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna27yzu2d2 0.5578
RFQ
ECAD 1727 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 230mA - 1.50 mm 34.6V 90 Ma 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 419lm (typ) 85 ° C 135 lm/w 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA25YZV3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna25yzv3d2 0.5645
RFQ
ECAD 6702 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 230mA - 1.50 mm 34.6V 90 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 483lm (typ) 85 ° C 155 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWH2HDNA08YHW3C1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwh2hdna08yhw3c1 2.9979
RFQ
ECAD 4013 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC010C Banda No hay para Nuevos Diseños 15.00 mm LX 12.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwh2 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 624 Rectángulo 405 Ma - 1.50 mm 34.5V 270 Ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 780lm (typ) 85 ° C 81 LM/W 92 Dia de 6.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDND25YZU3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd25yzu3db 3.0500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnd25yzu3db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 720 mm - 1.50 mm 34V 360 Ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1877LM (typ) 85 ° C 154 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDN827YHV3B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn827yhv3b3 -
RFQ
ECAD 5868 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.750 Cuadrado 320 mm - 1.50 mm 35.5V 180 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 882LM (770LM ~ 993LM) 25 ° C 138 LM/W 90 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SI-B8R16156001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R16156001 -
RFQ
ECAD 4880 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-H564A Banda Obsoleto 560.00 mm LX 40.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 32 Tira de Luz lineal 1.2a - 5.60 mm 23.2v 700mA 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2600LM (TÍP) 45 ° C 160 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDNE25YHT34J Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne25yht34j -
RFQ
ECAD 7298 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Banda Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.62a - 1.50 mm 35.5V 1.08a 115 ° 4000K 4855LM (4075LM ~ 5635LM) 25 ° C 127 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNC25YHU3B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnc25yhu3b3 -
RFQ
ECAD 7368 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.050 Cuadrado 1.3a - 1.50 mm 35.5V 720 mm 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 4144LM (3880LM ~ 4408LM) 25 ° C 162 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNB27YHW32J Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnb27yhw32j -
RFQ
ECAD 7658 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019B Caja Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 980 Ma - 1.50 mm 35.5V 540ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 2165LM (1894LM ~ 2435LM) 25 ° C 113 LM/W 90 Dia de 12.40 mm Departamento de Departamento
SI-B9V113280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B9V113280WW -
RFQ
ECAD 1256 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M272H Banda Obsoleto 275.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B9 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1203 EAR99 8542.39.0001 400 Tira de Luz lineal 450 mm - 5.80 mm 25V 450 mm 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1035lm (typ) 55 ° C 92 lm/w 90 - Departamento de Departamento
SI-B8T09626001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T09626001 -
RFQ
ECAD 1071 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Dedo-sq32b Banda Obsoleto 259.00 mm LX 250.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1233 EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 600mA - 5.80 mm 24 V 385mA 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1370LM (typ) 35 ° C 148 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDND2VYZA2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd2vyza2d2 1.7796
RFQ
ECAD 7569 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Tape & Reel (TR) Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd2 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 3300K 2 Pasos Macadam Ellipse 1394lm (typ) 85 ° C 112 LM/W - 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE25YZR3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne25yzr3d1 -
RFQ
ECAD 2701 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC016D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34.6V 450 mm 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2440LM (typ) 85 ° C 157 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE25YZT3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne25yzt3db 3.4600
RFQ
ECAD 495 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne25 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdne25yzt3db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 900mA - 1.50 mm 34V 450 mm 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2520lm (typ) 85 ° C 165 lm/w 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8V522B2CUS Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V522B2CUS 14.1300
RFQ
ECAD 200 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Serie V Gen2 Una granela Obsoleto 1120.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, genial descascar 1 (ilimitado) 1510-SI-B8V522B2CUS EAR99 8541.41.0000 200 Tira de Luz lineal 1.35a - 5.50 mm 46.5V 1.12a - 3000K 8300LM (typ) 65 ° C 159 LM/W 80 - Departamento de Departamento
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