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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora ​​de Luz (Les) Tipo de lente
SPHWW1HDN827YHW3B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn827yhw3b3 -
RFQ
 ECAD 3024 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.750 Cuadrado 320 mm - 1.50 mm 35.5V 180 Ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 792lm (698lm ~ 886lm) 25 ° C 124 LM/W 90 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDND27YZR3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd27yzr3db 3.0500
RFQ
 ECAD 440 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd27 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnd27yzr3db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 720 mm - 1.50 mm 34V 360 Ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1674lm (typ) 85 ° C 137 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDN827YHV3CG Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn827yhv3cg 1.5821
RFQ
 ECAD 1212 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1990 EAR99 8541.41.0000 672 Cuadrado 320 mm - 1.50 mm 35.5V 180 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 839LM (770LM ~ 907LM) 25 ° C 131 LM/W 90 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SPHCW1HDN945YHP3B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHCW1HDN945YHP3B3 -
RFQ
 ECAD 3083 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC008B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphcw1 Blanco, genial descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.750 Cuadrado 430mA - 1.50 mm 35.5V 240 mm 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1389LM (1231LM ~ 1507LM) 25 ° C 163 LM/W 80 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE27YZT3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne27yzt3d3 2.3303
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne27 Blanco, neutral descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34V 450 mm 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2248lm (TÍP) 85 ° C 147 lm/w 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM251ZV3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zv3dc 14.8800
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnm251zv3dc EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 3.24a - 1.50 mm 50.6V 1.62a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 12990lm (TÍP) 85 ° C 159 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF25YZT3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzt3dc 4.6900
RFQ
 ECAD 247 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnf25yzt3dc EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.08a - 1.50 mm 33.7V 540ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3218LM (typ) 85 ° C 177 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8R101560US Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R101560US 11.6000
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-Q562A Banda Activo 560.00 mm LX 18.00 mm W LED de motor - Si-B8 Blanco, genial descascar No Aplicable 1510-2288 EAR99 8541.41.0000 336 Tira de Luz lineal - - 5.80 mm 21.9V 450 mm - 5000K 2000LM (TÍP) 40 ° C 203 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SL-P7R2E31MZWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-P7R2E31MZWW -
RFQ
 ECAD 5040 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. TUPO E Banda Obsoleto 125.00 mm LX 50.00 mm W Módulo liderado - SL-P7R2 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 12 Rectángulo - - 41.60 mm 30V 700mA - 5000K 2100LM (typ) 65 ° C 100 lm/w 70 - -
SPHWHAHDNC27YZR3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc27yzr3d4 3.3200
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc27 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnc27yzr3d4 EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 690ma - 1.65 mm 33.6V 270 Ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1415lm (typ) 85 ° C 156 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-N8R1856B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8R1856B0WW -
RFQ
 ECAD 3947 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. CM 130 mm G5 Banda Obsoleto 130.00 mm de diámetro LED de motor - Si-n8r Blanco, genial descascar 1 (ilimitado) 1510-SI-N8R1856B0WW EAR99 8541.41.0000 6 Redondo - - 5.20 mm 27.9V 640ma 120 ° 5000K 3350LM (typ) 25 ° C 188 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM271ZW3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm271zw3d2 9.9642
RFQ
 ECAD 8263 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm271 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 4.14a - 1.50 mm 52V 1.62a 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 10157LM (typ) 85 ° C 121 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB25YZP3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb25yzp3db 0.7881
RFQ
 ECAD 7062 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnb25yzp3db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 360 Ma - 1.50 mm 34V 180 Ma 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1008lm (typ) 85 ° C 165 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8T071B00WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T071B00WW 8.4700
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Se Estándar retocedido Una granela Activo 1100.00 mm LX 13.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-SI-B8T071B00WW EAR99 8541.41.0000 150 Tira de Luz lineal 400mA - 6.00 mm 41.5V 176MA 160 ° 4000K 1280LM (typ) 40 ° C 175 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDND25YZR3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd25yzr3d4 3.6100
RFQ
 ECAD 497 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd25 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnd25yzr3d4 EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 920 mm - 1.65 mm 33.6V 360 Ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2123LM (typ) 85 ° C 176 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE27YZU3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne27yzu3d3 2.3303
RFQ
 ECAD 5847 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne27 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34V 450 mm 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2203LM (typ) 85 ° C 144 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8R243B20WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R243B20WW 6.5331
RFQ
 ECAD 3730 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. V Gen3 Banda Activo 1120.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, genial descascar No Aplicable 1510-SI-B8R243B20WW EAR99 8541.41.0000 110 Tira de Luz lineal 1.8a - 3.70 mm 44.4V 530mA 118 ° 5000K 4400LM (TÍP) 50 ° C 187 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNC27YZV2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc27yzv2db 0.8297
RFQ
 ECAD 4550 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnc27yzv2db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 540ma - 1.50 mm 34V 270 Ma 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 1212lm (typ) 85 ° C 132 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF27YZT2J2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf27yzt2j2 -
RFQ
 ECAD 9764 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf27 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1935 EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 2337lm (typ) 85 ° C 125 lm/w 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF27Y3WRT1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf27y3wrt1 11.6200
RFQ
 ECAD 716 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Serie t COB Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf27 Blanco, Cálido / Blanco, Fresco descascar 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnf27y3wrt1 EAR99 8541.41.0000 750 Cuadrado 800mA - 1.60 mm 35.5V - 115 ° 3850k (2700k ~ 5000k) Macadam Ellipse de 3 pasos 2116lm (1956lm ~ 2275lm) 25 ° C - 90 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDN825YHU3B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn825yhu3b3 -
RFQ
 ECAD 2053 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.750 Cuadrado 320 mm - 1.50 mm 35.5V 180 Ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1012LM (913LM ~ 1110LM) 25 ° C 158 LM/W 80 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF25YZT3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzt3d3 2.7306
RFQ
 ECAD 9204 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, neutral descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34V 540ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3130LM (typ) 85 ° C 170 lm/w 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNH27YZU3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh27yzu3d3 4.0475
RFQ
 ECAD 7920 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh27 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 2.3a - 1.50 mm 34V 900mA 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 4276lm (typ) 85 ° C 140 lm/w 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWH2HDNA05YHU3C1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwh2hdna05yhu3c1 2.7247
RFQ
 ECAD 8243 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC010C Banda No hay para Nuevos Diseños 15.00 mm LX 12.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwh2 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1749 EAR99 8541.41.0000 624 Rectángulo 405 Ma - 1.50 mm 34.5V 270 Ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1160LM (typ) 85 ° C 126 LM/W 80 Dia de 6.00 mm Departamento de Departamento
SI-B8V07228LWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V07228LWW 9.1800
RFQ
 ECAD 3672 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-S282L Banda No hay para Nuevos Diseños 279.70 mm LX 23.80 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 128 Tira de Luz lineal 360 Ma - 7.40 mm 35.2V 200 MMA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1080lm (typ) 50 ° C 153 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK27YZR3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk27yzr3d4 10.1300
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk27 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnk27yzr3d4 EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.76a - 1.70 mm 33.6V 1.08a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5697lm (typ) 85 ° C 157 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA25YZV3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna25yzv3db 1.3700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdna25yzv3db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 360 Ma - 1.50 mm 34V 180 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 485lm (typ) 85 ° C 79 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNE25YHT3B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne25yht3b3 -
RFQ
 ECAD 2472 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.050 Cuadrado 1.9a - 1.50 mm 35.5V 1.08a 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 6075LM (5635LM ~ 6515LM) 25 ° C 158 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA27YZV2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna27yzv2d2 0.5578
RFQ
 ECAD 9935 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 230mA - 1.50 mm 34.6V 90 Ma 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 406lm (typ) 85 ° C 130 lm/w 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF2VYZUVD2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf2vyzuvd2 2.9034
RFQ
 ECAD 2164 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf2 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2222lm (TÍP) 85 ° C 119 LM/W - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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