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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tamaña / dimensión	TUPO	Cuidadas	Base Número de Producto	Color	Ficha de datos	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Current - Max	Longitud de Onda	Alta	Voltaje - Forward (VF) (Typ)	Real - PrueBa	Ángulo de Visión	CCT (k)	Fljo luminoso @ corriente/temperatura	Temperatura - PrueBa	Lumens/watt @ real - prueba	Cri (Índice de Renderizado de color)	Superficie Emisora de Luz (Les)	Tipo de lente
SL-B8U1N30LAWW	5.4384	RFQ	1610	Samsung Semiconductor, Inc.	H afluencia	Banda	Activo	280.00 mm LX 24.00 mm W	Módulo liderado	-	SL-B8U1	Blanco, Cálido	descascar		EAR99	8541.41.0000	256	Tira de Luz lineal	1.6a	-	5.20 mm	11.1V	1A	118 °	3500K	2030LM (TÍPICO)	55 ° C	183 lm/w	80	-	Departamento de Departamento
SL-B8V1N60LAWW	-	RFQ	5718	Samsung Semiconductor, Inc.	H afluencia	Banda	Activo	280.00 mm LX 24.00 mm W	Módulo liderado	-	SL-B8V1	Blanco, Cálido	descascar	1 (ilimitado)	EAR99	8541.41.0000	256	Tira de Luz lineal	2.2a	-	5.20 mm	11.2V	1.43a	118 °	3000K	2820LM (typ)	55 ° C	176 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SL-B8V2N70LAWW	16.4200	RFQ	625	Samsung Semiconductor, Inc.	H afluencia	Banda	Activo	281.00 mm LX 41.00 mm W	Módulo liderado	-	SL-B8V2	Blanco, Cálido	descascar	1 (ilimitado)	EAR99	8541.41.0000	160	Tira de Luz lineal	1.6a	-	5.20 mm	22.3v	1A	118 °	3000K	3960LM (typ)	55 ° C	178 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SL-B8V4N90LAWW	-	RFQ	6968	Samsung Semiconductor, Inc.	H afluencia	Banda	Activo	560.00 mm LX 41.00 mm W	Módulo liderado	-	SL-B8V4	Blanco, Cálido	descascar	No Aplicable	EAR99	8541.41.0000	120	Tira de Luz lineal	1.6a	-	5.20 mm	44.6V	1A	118 °	3000K	7910lm (typ)	55 ° C	178 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SL-P7T2W585BGL	-	RFQ	6895	Samsung Semiconductor, Inc.	T-type gen2	Banda	Obsoleto	-	Módulo liderado	IP66	SL-P7T2	Blanco, neutral	descascar	No Aplicable	EAR99	8541.41.0000	12	Rectángulo	1A	-	-	30V	700mA	85 °	4000K	-	58 ° C	-	76 (typ)	-	Departamento de Departamento
SL-PGQ2W52MBGL	-	RFQ	2000	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Banda	Obsoleto	-	-	-	SL-PGQ2	-	-		EAR99	8541.41.0000	12	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SL-PGR2W55SBGL	-	RFQ	9789	Samsung Semiconductor, Inc.	T-type gen2	Banda	Obsoleto	-	Módulo liderado	IP66	SL-PGR2	Blanco, genial	descascar	No Aplicable	EAR99	8541.41.0000	12	Rectángulo	1A	-	-	-	700mA	-	5000K	2650lm (TÍP)	-	126 LM/W	75	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdng28yzw2d2	2.9890	RFQ	1309	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng28	Blanco, Cálido	descascar		EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.84a	-	1.50 mm	34.6V	720 mm	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	2470LM (typ)	85 ° C	99 LM/W	-	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh23yzr3d3	4.0475	RFQ	7688	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh23	Blanco, genial	descascar		EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	2.3a	-	1.50 mm	34V	900mA	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5429lm (typ)	85 ° C	177 LM/W	70	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh23yzt3d3	4.0475	RFQ	4546	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh23	Blanco, neutral	descascar		EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	2.3a	-	1.50 mm	34V	900mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5332lm (TÍP)	85 ° C	174 LM/W	70	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh27yzr3d3	3.9689	RFQ	9738	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh27	Blanco, genial	descascar		EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	2.3a	-	1.50 mm	34V	900mA	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	4401lm (typ)	85 ° C	144 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh27yzt3c2	2.6171	RFQ	2037	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie C Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh27	Blanco, neutral	descascar		EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.38a	-	1.50 mm	35V	900mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	3562lm (TÍP)	85 ° C	113 LM/W	90	DiáMetro de 11.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh27yzu3c2	2.6171	RFQ	8595	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie C Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh27	Blanco, Cálido	descascar		EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.38a	-	1.50 mm	35V	900mA	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	3490LM (typ)	85 ° C	111 LM/W	90	DiáMetro de 11.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh27yzw2d3	3.8126	RFQ	2200	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh27	Blanco, Cálido	descascar		EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	2.3a	-	1.50 mm	34V	900mA	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	3947LM (TÍP)	85 ° C	129 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh28yzt2d2	3.5034	RFQ	6503	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh28	Blanco, neutral	descascar		EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	2.3a	-	1.50 mm	34.6V	900mA	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	3447LM (typ)	85 ° C	111 LM/W	-	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh2vyzv2d2	4.0736	RFQ	7783	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh2	Blanco, Cálido	descascar		EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	2.3a	-	1.50 mm	34.6V	900mA	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	3339LM (typ)	85 ° C	107 lm/w	-	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk23yzr3d3	5.6897	RFQ	6899	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk23	Blanco, genial	descascar		EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34V	1.08a	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	6679lm (TÍP)	85 ° C	182 lm/w	70	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk25yzq3d3	5.8023	RFQ	2021	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, genial	descascar		EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34V	1.08a	115 °	5700K 3 Pasos Macadam Ellipse	6313lm (TÍP)	85 ° C	172 lm/w	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk25yzu3c2	2.8341	RFQ	1618	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie C Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, Cálido	descascar		EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.61a	-	1.50 mm	35V	1.05A	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	4657LM (TÍP)	85 ° C	127 LM/W	80	DiáMetro de 11.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk25yzv2d3	4.7867	RFQ	9764	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, Cálido	descascar		EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34V	1.08a	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	5963LM (typ)	85 ° C	162 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk25yzv3d3	5.6897	RFQ	1516	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, Cálido	descascar		EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34V	1.08a	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5963LM (typ)	85 ° C	162 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk27yzt2d3	4.8814	RFQ	6333	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk27	Blanco, neutral	descascar		EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34V	1.08a	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	5369lm (TÍP)	85 ° C	146 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk27yzt3d3	5.8023	RFQ	4764	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk27	Blanco, neutral	descascar		EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34V	1.08a	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5369lm (TÍP)	85 ° C	146 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk27yzu3c2	3.0051	RFQ	2842	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie C Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk27	Blanco, Cálido	descascar		EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.61a	-	1.50 mm	35V	1.05A	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	3991lm (typ)	85 ° C	109 LM/W	90	DiáMetro de 11.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk27yzu3d3	5.8023	RFQ	4432	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk27	Blanco, Cálido	descascar		EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34V	1.08a	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	5260LM (typ)	85 ° C	143 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk27yzv2d3	4.8814	RFQ	7301	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk27	Blanco, Cálido	descascar		EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34V	1.08a	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	5108LM (typ)	85 ° C	139 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk28yzt3d2	5.2933	RFQ	9326	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk28	Blanco, neutral	descascar		EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34.6V	1.08a	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	4241lm (typ)	85 ° C	113 LM/W	-	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk28yzv3d2	5.2933	RFQ	8306	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk28	Blanco, Cálido	descascar		EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34.6V	1.08a	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	3952lm (TÍP)	85 ° C	106 LM/W	-	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk28yzw2d2	4.4532	RFQ	3632	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk28	Blanco, Cálido	descascar		EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34.6V	1.08a	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	3760LM (typ)	85 ° C	101 LM/W	-	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk2vyza2d2	4.9309	RFQ	2353	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk2	Blanco, Cálido	descascar		EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34.6V	1.08a	115 °	3300K 2 Pasos Macadam Ellipse	4335lm (TÍP)	85 ° C	116 LM/W	-	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento