SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora de Luz (Les) Tipo de lente
SPHWHAHDNF27YZW3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf27yzw3db 4.0800
RFQ
ECAD 245 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnf27yzw3db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.08a - 1.50 mm 34V 540ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 2301lm (typ) 85 ° C 125 lm/w 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-N8V4012B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8V4012B0WW -
RFQ
ECAD 3401 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. SLE-040 Banda Obsoleto 50.00 mm de diámetro Chip A Bordo (COB) Conector Si-n8v Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1252 EAR99 8542.39.0001 400 Redondo 1A - 6.10 mm 34.1V 900mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 4250lm (typ) 75 ° C 138 LM/W 80 Dia de 19.00 mm Departamento de Departamento
SI-B8R081280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R081280WW -
RFQ
ECAD 6761 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-H284A Banda Obsoleto 280.00 mm LX 40.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 1 Tira de Luz lineal 1.2a - 5.60 mm 11.6V 700mA 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1160LM (typ) 45 ° C 143 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SL-B8R3N80L1WW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8R3N80L1WW -
RFQ
ECAD 7410 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Influx_L04 Banda Obsoleto 559.50 mm LX 23.70 mm W Módulo liderado Conector SL-B8R3 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1343 EAR99 8541.41.0000 224 Tira de Luz lineal 1.38a - 5.90 mm 24.1V 1.38a 115 ° 5000K 4690lm (TÍP) 65 ° C 141 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB25YZP3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb25yzp3d4 2.4100
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb25 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnb25yzp3d4 EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 460ma - 1.65 mm 33.6V 180 Ma 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1071lm (typ) 85 ° C 177 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNE25YHV24H Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne25yhv24h 7.6916
RFQ
ECAD 3430 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2101 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.9a - 1.50 mm 35.5V 1.08a 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 5795LM (5615LM ~ 5975LM) 25 ° C 151 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHCW1HDNC25YHR3B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHCW1HDNC25YHR3B3 -
RFQ
ECAD 2926 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphcw1 Blanco, genial descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.050 Cuadrado 1.3a - 1.50 mm 35.5V 720 mm 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 4325LM (4050LM ~ 4600LM) 25 ° C 169 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNC25YHW2B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnc25yhw2b3 -
RFQ
ECAD 3955 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.050 Cuadrado 1.3a - 1.50 mm 35.5V 720 mm 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 4018LM (3760LM ~ 4276LM) 25 ° C 157 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDND27YZT2H4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd27yzt2h4 -
RFQ
ECAD 5568 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd27 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1897 EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 1505lm (TÍP) 85 ° C 121 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SL-P7V2W55SBGL Samsung Semiconductor, Inc. SL-P7V2W55SBGL -
RFQ
ECAD 9856 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. - Banda Activo - - - SL-P7V2 - - EAR99 8541.41.0000 12 - - - - - - - - - - - - - -
SPHCW1HDND25YHRT3G Samsung Semiconductor, Inc. Sphcw1hdnd25yhrt3g -
RFQ
ECAD 1141 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC033B Banda Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphcw1 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1739 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.62a - 1.50 mm 35.5V 900mA 115 ° 5000K 4792LM (4478LM ~ 5105LM) 25 ° C 150 lm/w 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG28YZU3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng28yzu3d2 3.3332
RFQ
ECAD 6545 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng28 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2701lm (typ) 85 ° C 108 LM/W - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8R26156CUS Samsung Semiconductor, Inc. Si-B8R26156cus 8.3600
RFQ
ECAD 266 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-V562F Banda Obsoleto 560.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, genial descascar No Aplicable EAR99 8541.41.0000 280 Tira de Luz lineal 1.62a - 5.50 mm 24.4V 1.12a - 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3908LM (3515LM ~ 4300LM) 65 ° C 143 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SO-PDR25EG2SWW Samsung Semiconductor, Inc. SO-PDR25EG2SWW -
RFQ
ECAD 3837 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. - Banda Obsoleto 125.00 mm LX 50.00 mm W Módulo liderado - SO-PDR25 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 12 Rectángulo 1A - 41.60 mm 30V 700mA - 6500k 1950lm (typ) 65 ° C 93 LM/W 70 - -
SPHWHAHDNF25YZQ3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzq3d3 2.7306
RFQ
ECAD 9937 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, genial descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34V 540ma 115 ° 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse 3157lm (typ) 85 ° C 172 lm/w 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDNB27YHT32J Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnb27yht32j -
RFQ
ECAD 8389 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019B Caja Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 980 Ma - 1.50 mm 35.5V 540ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2165LM (1894LM ~ 2435LM) 25 ° C 113 LM/W 90 Dia de 12.40 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK25YZV2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk25yzv2db 3.2393
RFQ
ECAD 3501 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnk25yzv2db EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.16a - 1.50 mm 34V 1.08a 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 5837lm (TÍP) 85 ° C 159 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF27YZR3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf27yzr3d3 2.7306
RFQ
ECAD 3248 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf27 Blanco, genial descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34V 540ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2707LM (typ) 85 ° C 147 lm/w 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE25YZT3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne25yzt3d4 4.5700
RFQ
ECAD 250 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne25 Blanco, neutral descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdne25yzt3d4 EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.15a - 1.70 mm 33.6V 450 mm 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2694lm (typ) 85 ° C 178 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM251ZQ3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zq3d3 11.2793
RFQ
ECAD 2389 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, genial descascar EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 4.14a - 1.50 mm 50V 1.62a 115 ° 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse 13836LM (TÍP) 85 ° C 171 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SL-PGR1W27MBWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-PGR1W27MBWW -
RFQ
ECAD 5955 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. T-type gen2 Banda Obsoleto 150.00 mm LX 65.00 mm W Módulo liderado IP66 SL-PGR1 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 12 Rectángulo 1A - 43.70 mm 21 V 700mA - 5000K 1800LM (TÍPICO) 58 ° C 116 LM/W 75 - Departamento de Departamento
SL-B8U3N80LAWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8U3N80LAWW 11.5352
RFQ
ECAD 7755 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. H afluencia Banda Activo 560.00 mm LX 24.00 mm W Módulo liderado - SL-B8U3 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 210 Tira de Luz lineal 2.2a - 5.20 mm 22.4V 1.43a 118 ° 3500K 5800LM (TÍP) 55 ° C 181 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNC25YZR3H2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc25yzr3h2 -
RFQ
ECAD 9753 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC009D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1869 EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 690ma - 1.50 mm 34.6V 270 Ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1357lm (typ) 85 ° C 145 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF27YZR3J8 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf27yzr3j8 -
RFQ
ECAD 2576 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf27 Blanco, genial descascar EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse - 85 ° C - 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8R11228001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R11228001 -
RFQ
ECAD 3993 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Finger-Rt30b Caja Obsoleto 216.00 mm LX 273.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 900mA - 5.80 mm 15V 700mA 115 ° 5000K 4 Pasos Macadam Ellipse 1540LM (TÍP) 35 ° C 147 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SL-B8V2N80LAWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8V2N80LAWW 15.6000
RFQ
ECAD 630 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. H afluencia Banda Activo 560.00 mm LX 24.00 mm W Módulo liderado - SL-B8V2 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 210 Tira de Luz lineal 1.6a - 5.20 mm 22.3v 1A 118 ° 3000K 3960LM (typ) 55 ° C 178 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-B8V08128001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V08128001 -
RFQ
ECAD 1785 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-H284A Banda Obsoleto 280.00 mm LX 40.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 36 Tira de Luz lineal 1.2a - 5.60 mm 11.6V 700mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1200LM (typ) 45 ° C 148 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNL251ZU3Q5 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl251zu3q5 -
RFQ
ECAD 6006 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC060D Banda Obsoleto 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl251 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,280 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 52V 1.08a 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 7904lm (TÍP) 85 ° C 137 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDN947YHT3FG Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn947yht3fg -
RFQ
ECAD 8137 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC008B Caja Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 672 Cuadrado 430mA - 1.50 mm 36.5V 240 mm 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1050lm (929lm ~ 1171lm) 25 ° C 120 lm/w 90 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SI-B8T09526001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T09526001 -
RFQ
ECAD 5845 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LAM-SQ32B Caja Obsoleto 259.00 mm LX 250.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1112 EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 600mA - 6.60 mm 24 V 385mA 145 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1320LM (typ) 35 ° C 143 LM/W 80 - Abovovor
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock