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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tamaña / dimensión	TUPO	Cuidadas	Base Número de Producto	Color	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Current - Max	Longitud de Onda	Alta	Voltaje - Forward (VF) (Typ)	Real - PrueBa	Ángulo de Visión	CCT (k)	Fljo luminoso @ corriente/temperatura	Temperatura - PrueBa	Lumens/watt @ real - prueba	Cri (Índice de Renderizado de color)	Superficie Emisora de Luz (Les)	Tipo de lente
SI-B8V08128001	-	RFQ	1785	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-H284A	Banda	Obsoleto	280.00 mm LX 40.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	36	Tira de Luz lineal	1.2a	-	5.60 mm	11.6V	700mA	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1200LM (typ)	45 ° C	148 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnl251zu3q5	-	RFQ	6006	Samsung Semiconductor, Inc.	LC060D	Banda	Obsoleto	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnl251	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	1,280	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	52V	1.08a	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	7904lm (TÍP)	85 ° C	137 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphww1hdn947yht3fg	-	RFQ	8137	Samsung Semiconductor, Inc.	LC008B	Caja	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	672	Cuadrado	430mA	-	1.50 mm	36.5V	240 mm	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1050lm (929lm ~ 1171lm)	25 ° C	120 lm/w	90	Dia de 8.00 mm	Departamento de Departamento
SI-B8T09526001	-	RFQ	5845	Samsung Semiconductor, Inc.	LAM-SQ32B	Caja	Obsoleto	259.00 mm LX 250.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, neutral	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		1510-1112	EAR99	8541.41.0000	60	Rectángulo	600mA	-	6.60 mm	24 V	385mA	145 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1320LM (typ)	35 ° C	143 LM/W	80	-	Abovovor
Sphhahdne2vyzt2d2	2.2550	RFQ	9861	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne2	Blanco, neutral	descascar					EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.15a	-	1.50 mm	34.6V	450 mm	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	2005LM (typ)	85 ° C	129 LM/W	-	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Si-B8U14256LWW	8.9634	RFQ	9975	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-S562L	Banda	No hay para Nuevos Diseños	279.70 mm LX 23.80 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)			EAR99	8541.41.0000	128	Tira de Luz lineal	720 mm	-	7.40 mm	35.2V	400mA	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2210lm (typ)	50 ° C	157 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb27yzw3d2	0.8915	RFQ	1438	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	460ma	-	1.50 mm	34.6V	180 Ma	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	786lm (typ)	85 ° C	126 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnm231zt3db	12.3400	RFQ	160	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm231	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnm231zt3db	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	3.24a	-	1.50 mm	51.1V	1.62a	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	13966LM (TÍP)	85 ° C	169 LM/W	70	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8R151550WW	-	RFQ	4808	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M552B	Banda	Obsoleto	550.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, genial	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		1510-1106	EAR99	8541.41.0000	40	Tira de Luz lineal	-	-	5.80 mm	24.7V	600mA	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2100LM (typ)	50 ° C	142 lm/w	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh27yzw3d2	3.7281	RFQ	4341	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	2.3a	-	1.50 mm	34.6V	900mA	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	3781lm (typ)	85 ° C	121 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf27yzv2d2	2.3229	RFQ	5418	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.38a	-	1.50 mm	34.6V	540ma	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	2449lm (typ)	85 ° C	131 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Si-B8R052280WW	-	RFQ	9963	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M282A_G2	Banda	Obsoleto	275.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-1327	EAR99	8541.41.0000	400	Tira de Luz lineal	540ma	-	4.40 mm	12.4V	450 mm	115 °	5000K 4 Pasos Macadam Ellipse	825lm (typ)	50 ° C	148 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk25yzt3d4	10.1300	RFQ	148	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, neutral	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnk25yzt3d4	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.76a	-	1.70 mm	33.6V	1.08a	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	6465lm (typ)	85 ° C	178 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphhahdne28yzu3d2	2.2052	RFQ	1136	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdne28	Blanco, Cálido	descascar					EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.15a	-	1.50 mm	34.6V	450 mm	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	1722lm (typ)	85 ° C	111 LM/W	-	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk27yzv3dc	8.5200	RFQ	35	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnk27yzv3dc	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	33.7V	1.08a	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5108LM (typ)	85 ° C	140 lm/w	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SL-B8R7N90L1WW	-	RFQ	1000	Samsung Semiconductor, Inc.	Influx_L09	Banda	Obsoleto	559.50 mm LX 39.60 mm W	Módulo liderado	Conector	SL-B8R7	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-1345	EAR99	8541.41.0000	150	Tira de Luz lineal	1.38a	-	5.90 mm	48.2V	1.38a	115 °	5000K	9380LM (typ)	65 ° C	141 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnm251zu2db	6.0518	RFQ	7521	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm251	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnm251zu2db	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	3.24a	-	1.50 mm	51.1V	1.62a	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	12852LM (TÍP)	85 ° C	155 lm/w	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnd27yzw3d2	1.5240	RFQ	1217	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	920 mm	-	1.50 mm	34.6V	360 Ma	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	1509lm (typ)	85 ° C	121 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh25yzt3c2	2.4683	RFQ	1968	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie C Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh25	Blanco, neutral	descascar					EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.38a	-	1.50 mm	35V	900mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	4154lm (typ)	85 ° C	132 LM/W	80	DiáMetro de 11.50 mm	Departamento de Departamento
Sphhahdne25yzt3d3	2.3303	RFQ	3823	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, neutral	descascar					EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.15a	-	1.50 mm	34V	450 mm	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2622lm (typ)	85 ° C	171 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk25yzu3d2	5.4409	RFQ	8788	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34.6V	1.08a	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	6016lm (typ)	85 ° C	161 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdna25yzw3d3	0.5872	RFQ	3089	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna25	Blanco, Cálido	descascar					EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	230mA	-	1.50 mm	34V	90 Ma	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	475lm (typ)	85 ° C	155 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphww1hdne25yhu24h	7.6916	RFQ	9043	Samsung Semiconductor, Inc.	LC040B Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	21.50 mm LX 21.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido	-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-2097	EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	1.9a	-	1.50 mm	35.5V	1.08a	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	5670LM (5480LM ~ 5860LM)	25 ° C	148 LM/W	80	17.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SPHCW1HDN945YHR3B3	-	RFQ	4680	Samsung Semiconductor, Inc.	LC008B Gen3	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphcw1	Blanco, genial	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.41.0000	1.750	Cuadrado	430mA	-	1.50 mm	35.5V	240 mm	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1410LM (1268LM ~ 1552LM)	25 ° C	165 lm/w	80	Dia de 8.00 mm	Departamento de Departamento
SL-P7T2F32MBKI	26.5021	RFQ	7015	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Banda	No hay para Nuevos Diseños	150.00 mm LX 50.00 mm W	Módulo liderado	-	SL-P7T2	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-1697	EAR99	8541.41.0000	24	Rectángulo	700mA	-	16.00 mm	30V	700mA	-	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2100LM (typ)	65 ° C	100 lm/w	70	-	Abovovor
Sphwhahdnk25yzw2db	3.2393	RFQ	8853	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnk25yzw2db	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	34V	1.08a	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	5575lm (typ)	85 ° C	152 lm/w	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnc27yzw3d4	3.3200	RFQ	500	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnc27	Blanco, Cálido	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnc27yzw3d4	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	690ma	-	1.65 mm	33.6V	270 Ma	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	1216lm (typ)	85 ° C	134 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk27yzu2m4	-	RFQ	9563	Samsung Semiconductor, Inc.	LC040D	Banda	Obsoleto	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1975	EAR99	8541.41.0000	1,280	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34.6V	1.08a	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	4640LM (typ)	85 ° C	124 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf27yzu3d4	5.6800	RFQ	250	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf27	Blanco, Cálido	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnf27yzu3d4	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.38a	-	1.70 mm	33.6V	540ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2690lm (TÍP)	85 ° C	148 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
SI-B8T06128CWW	-	RFQ	7238	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-V282A	Banda	Obsoleto	275.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-2134	EAR99	8541.41.0000	560	Tira de Luz lineal	540ma	-	5.50 mm	12.6V	450 mm	120 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	769lm (typ)	50 ° C	136 LM/W	80	-	Departamento de Departamento