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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tamaña / dimensión	TUPO	Cuidadas	Base Número de Producto	Color	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Current - Max	Longitud de Onda	Alta	Voltaje - Forward (VF) (Typ)	Real - PrueBa	Ángulo de Visión	CCT (k)	Fljo luminoso @ corriente/temperatura	Temperatura - PrueBa	Lumens/watt @ real - prueba	Cri (Índice de Renderizado de color)	Superficie Emisora de Luz (Les)	Tipo de lente
Sphhahdng25yzu2db	2.0330	RFQ	7776	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdng25yzu2db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.44a	-	1.50 mm	34V	720 mm	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	3872lm (TÍP)	85 ° C	158 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk27yzw2db	3.2393	RFQ	6034	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnk27yzw2db	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	34V	1.08a	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	4660LM (TÍP)	85 ° C	127 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdna25yzv2db	0.5503	RFQ	2228	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdna25yzv2db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	360 Ma	-	1.50 mm	34V	180 Ma	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	485lm (typ)	85 ° C	79 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdna27yzv2db	0.4306	RFQ	3567	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdna27yzv2db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	360 Ma	-	1.50 mm	34V	180 Ma	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	423lm (typ)	85 ° C	69 lm/w	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnl251zv2db	4.5857	RFQ	7626	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnl251	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnl251zv2db	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	51.1V	1.08a	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	8499lm (typ)	85 ° C	154 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphhahdne25yzt2db	1.3923	RFQ	9628	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdne25yzt2db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	900mA	-	1.50 mm	34V	450 mm	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	2520lm (typ)	85 ° C	165 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb25yzt2db	0.6413	RFQ	4651	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb25	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnb25yzt2db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	360 Ma	-	1.50 mm	34V	180 Ma	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	1024lm (typ)	85 ° C	167 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8V52256CUS	13.9000	RFQ	84	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie V Gen2	Una granela	Obsoleto	560.00 mm LX 39.80 mm W	Módulo liderado	-	Si-B8	Blanco, genial	descascar		1 (ilimitado)		1510-SI-B8V52256 CUS	EAR99	8541.41.0000	200	Tira de Luz lineal	1.35a	-	5.50 mm	46.5V	1.12a	-	3000K	8300LM (typ)	65 ° C	159 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdna25wjr3db	1.2100	RFQ	390	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Caja	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna25	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdna25wjr3db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	360 Ma	-	1.50 mm	17 V	180 Ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	516lm (typ)	85 ° C	169 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnl271zt3dc	11.8900	RFQ	150	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnl271	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnl271zt3dc	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	50.6V	1.08a	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	7990lm (typ)	85 ° C	146 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnl251zr3dc	11.8900	RFQ	150	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnl251	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnl251zr3dc	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	50.6V	1.08a	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	9546lm (TÍP)	85 ° C	175 lm/w	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnl231zt3dc	11.8900	RFQ	160	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnl231	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnl231zt3dc	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	50.6V	1.08a	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	9723LM (typ)	85 ° C	178 LM/W	70	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdna25yzw3dc	1.4800	RFQ	499	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdna25yzw3dc	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	180 Ma	-	1.50 mm	33.7V	90 Ma	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	479lm (typ)	85 ° C	158 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
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Sphwhahdnk27yzr3dc	8.4500	RFQ	160	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk27	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnk27yzr3dc	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	33.7V	1.08a	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5507LM (TÍP)	85 ° C	151 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk23yzr3db	6.6900	RFQ	136	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Caja	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk23	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnk23yzr3db	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	34V	1.08a	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	6113lm (typ)	85 ° C	166 LM/W	70	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphhahdng27yzu3dc	6.2100	RFQ	250	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdng27yzu3dc	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.44a	-	1.50 mm	33.7V	720 mm	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	3496lm (typ)	85 ° C	144 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnd25yzr3dc	3.1200	RFQ	456	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd25	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnd25yzr3dc	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	720 mm	-	1.50 mm	33.7V	360 Ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2090LM (TÍP)	85 ° C	173 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphhahdng27yzr3dc	6.2100	RFQ	236	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng27	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdng27yzr3dc	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.44a	-	1.50 mm	33.7V	720 mm	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	3663lm (TÍP)	85 ° C	151 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh23yzt3dc	6.8200	RFQ	250	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh23	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnh23yzt3dc	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.8a	-	1.50 mm	33.7V	900mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5337LM (typ)	85 ° C	176 LM/W	70	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdna27wju3db	1.2300	RFQ	396	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Caja	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdna27wju3db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	360 Ma	-	1.50 mm	17 V	180 Ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	501lm (typ)	85 ° C	164 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-N8Q1856B0WW	-	RFQ	5074	Samsung Semiconductor, Inc.	CM 130 mm G5	Banda	Obsoleto	130.00 mm de diámetro	LED de motor	-	Si-n8q	Blanco, genial	descascar		1 (ilimitado)		1510-SI-N8Q1856B0WW	EAR99	8541.41.0000	6	Redondo	-	-	5.20 mm	27.9V	640ma	120 °	5700K	3330LM (typ)	25 ° C	186 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-N8R0754B0WW	-	RFQ	7278	Samsung Semiconductor, Inc.	CM 90 mm G5	Banda	Obsoleto	90.00 mm de diámetro	LED de motor	-	Si-n8r	Blanco, genial	descascar		1 (ilimitado)		1510-SI-N8R0754B0WW	EAR99	8541.41.0000	12	Redondo	-	-	5.20 mm	27.5V	240 mm	120 °	5000K	1250LM (TÍP)	25 ° C	187 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-B9W1624B1US	-	RFQ	4028	Samsung Semiconductor, Inc.	*	Banda	Obsoleto				Si-B9		-		No Aplicable		1510-SI-B9W1624B1US	EAR99	8541.41.0000	1
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Sphwhahdnc25yzt3d4	3.3200	RFQ	500	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnc25	Blanco, neutral	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnc25yzt3d4	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	690ma	-	1.65 mm	33.6V	270 Ma	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1607LM (TÍP)	85 ° C	177 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb27yzw3d4	2.4100	RFQ	500	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb27	Blanco, Cálido	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-SphWHAHDNB27YZW3D4	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	460ma	-	1.65 mm	33.6V	180 Ma	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	822lm (typ)	85 ° C	136 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdna25yzw3d4	1.6400	RFQ	500	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna25	Blanco, Cálido	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdna25yzw3d4	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	230mA	-	1.65 mm	33.6V	90 Ma	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	498lm (typ)	85 ° C	165 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb27yzv3d4	2.4100	RFQ	490	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb27	Blanco, Cálido	-	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnb27yzv3d4	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	460ma	-	1.65 mm	33.6V	180 Ma	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	886lm (typ)	85 ° C	146 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb25yzq3d4	2.4100	RFQ	500	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb25	Blanco, genial	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnb25yzq3d4	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	460ma	-	1.65 mm	33.6V	180 Ma	115 °	5700K 3 Pasos Macadam Ellipse	1081lm (typ)	85 ° C	179 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento