SIC
close

Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (31688)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora ​​de Luz (Les) Tipo de lente
SMJD-1103016C-XXN100A70E038ALL Seoul Semiconductor Inc. SMJD-1103016C-XXN100A70E038All 3.3700
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Seúl Semiconductor Inc. * Caja Activo Smjd - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 897-SMJD-103016C-XXN100A70E038 ALL EAR99 8541.41.0000 200
SMJD-2206024G-XXNA00B12G038ALL Seoul Semiconductor Inc. SMJD-2206024G-XXNA00B12G038AL 4.7879
RFQ
 ECAD 2325 0.00000000 Seúl Semiconductor Inc. - Caja Activo - - - Smjd - - 2a (4 semanas) 897-SMJD-2206024G-XXNA00B12G038 TODOS EAR99 8541.41.0000 120 - - - - - - - - - - - - - -
SMJD-4846144G-XXN100E20C039ALL Seoul Semiconductor Inc. SMJD-4846144G-XXN100E20C039All 24.7745
RFQ
 ECAD 1409 0.00000000 Seúl Semiconductor Inc. - Caja Activo - - - Smjd - - 2a (4 semanas) 897-SMJD-4846144G-XXN100E20C039All EAR99 8541.41.0000 100 - - - - - - - - - - - - - -
SMJD-4833064G-XXN100G02C038ALL Seoul Semiconductor Inc. SMJD-4833064G-XXN100G02C038All 8.3945
RFQ
 ECAD 3251 0.00000000 Seúl Semiconductor Inc. Cuadrado se Caja Activo - Módulo liderado - Smjd Blanco, genial - 2a (4 semanas) 897-SMJD-4833064G-XXN100G02C038AL EAR99 8541.41.0000 216 Rectángulo 800mA - 7.70 mm 45.4V 700mA - 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 6020LM (TÍP) 25 ° C 190 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SL-B7R2N70LCWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B7R2N70LCWW 11.9000
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Hilomo RH12 Una granela Activo 146.60 mm LX 45.00 mm W Módulo liderado - SL-B7 Blanco, genial descascar 1 (ilimitado) 1510-SL-B7R2N70LCWW EAR99 8541.41.0000 192 Tira de Luz lineal 770ma - 5.80 mm 35.3V 700mA 128 ° 5000K 4050LM (3640LM ~ 4460LM) 70 ° C 164 LM/W 70 - Departamento de Departamento
SI-B8T481B20US Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T481B20US 23.0800
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-VB24F_G2 Una granela Activo 1120.00 mm LX 39.80 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, neutral descascar 1 (ilimitado) 1510-SI-B8T481B20US EAR99 8541.41.0000 280 Tira de Luz lineal 1.08a - 5.20 mm 44V 1.08a 118 ° 4000K 8950lm (TÍP) 50 ° C 188 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-B8U342B2CUS Samsung Semiconductor, Inc. Si-b8u342b2cus 12.2800
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Serie V Gen2 Una granela Obsoleto 1120.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, genial descascar 1 (ilimitado) 1510-SI-B8U342B2CUS EAR99 8541.41.0000 200 Tira de Luz lineal 900mA - 5.50 mm 46.4V 700mA - 3500K 5440LM (typ) 50 ° C 167 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SI-N9W1624B1US Samsung Semiconductor, Inc. SI-N9W1624B1US -
RFQ
 ECAD 5455 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Acom Una granela Obsoleto 100.00 mm de diámetro Módulo liderado - SI-N9W Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) 1510-SI-N9W1624B1US EAR99 8541.41.0000 144 Redondo - - 11.00 mm 120V - 115 ° 2700k 1630LM (TÍP) 25 ° C 94 LM/W 90 - Departamento de Departamento
GSP10L1-RGBPCWWW GLOSILQ GSP10L1-RGBPCWWW 25.0000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Glosilq GSP Caja Activo - LED de motor IP68 GSP10L1 Rosa, Rojo, Verde, Azul (RGB), Blanco, Cálido / Blanco, Fresco descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable 2489-GSP10L1-RGBPCWWW EAR99 9405.42.8440 100 Tira de Luz lineal - - - 2.8V Azul, 2.6V Verde, 2.8V Rosa, 2.2V Rojo, 2.8V Blanco 3mera - - - - - - -
SPHWHAHDNK27YZU2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk27yzu2db 3.2393
RFQ
 ECAD 2324 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnk27yzu2db EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.16a - 1.50 mm 34V 1.08a 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 5100LM (typ) 85 ° C 139 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB25YZU2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb25yzu2db 0.6413
RFQ
 ECAD 9862 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnb25yzu2db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 360 Ma - 1.50 mm 34V 180 Ma 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 1001lm (typ) 85 ° C 164 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF27YZU2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf27yzu2db 1.5977
RFQ
 ECAD 2530 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnf27yzu2db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.08a - 1.50 mm 34V 540ma 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 2526lm (typ) 85 ° C 138 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNC25YZU2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc25yzu2db 0.8297
RFQ
 ECAD 5154 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnc25yzu2db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 540ma - 1.50 mm 34V 270 Ma 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 1466lm (typ) 85 ° C 160 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
BXRV-TR-1840G-20A0-A-25 Bridgelux BXRV-TR-1840G-20A0-A-25 11.0600
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 Bridgelux Vesta ™ Tubo Activo 15.90 mm LX 15.90 mm W Chip A Bordo (COB) - BXRV-DR-18 Blanco, Cálido / Blanco, Neutral descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.41.0000 25 Cuadrado 700mA - 1.65 mm - 500mA 130 ° 1800K, 4000K - 25 ° C - 90 10.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
BXRV-TR-2750G-10A0-B-23 Bridgelux BXRV-TR-2750G-10A0-B-23 6.6400
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Bridgelux Vesta ™ Una granela Activo 15.90 mm LX 15.90 mm W Chip A Bordo (COB) - Bxrv-tr-27 Blanco, Cálido / Blanco, Fresco descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 976-BXRV-TR-2750G-10A0-B-23 EAR99 8541.41.0000 30 Cuadrado 480 Ma - 1.65 mm 34.8V 250 Ma 130 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse, 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1180lm 25 ° C 136 LM/W 90 10.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
LST1-01G08-UV01-01 New Energy LST1-01G08-UV01-01 25.1600
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Nueva Energía LST1 Banda Activo 19.89 mm de diámetro Módulo liderado - LST1-01 Ultravioleta descascar 1672-LST1-01G08-UV01-01 EAR99 8541.41.0000 12 Zar 800mA 275 nm ~ 280 nm 2.90 mm 6.5V 350 mm 130 ° - 30MW (typ) 25 ° C - - - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE25YZP3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne25yzp3db 1.8060
RFQ
 ECAD 7213 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdne25yzp3db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 900mA - 1.50 mm 34V 450 mm 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2507LM (typ) 85 ° C 164 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDND27YZW3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd27yzw3db 3.0500
RFQ
 ECAD 283 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnd27yzw3db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 720 mm - 1.50 mm 34V 360 Ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 1486lm (typ) 85 ° C 121 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDND27YZU3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd27yzu3db 3.0500
RFQ
 ECAD 499 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnd27yzu3db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 720 mm - 1.50 mm 34V 360 Ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1635lm (typ) 85 ° C 134 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA25YZP3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna25yzp3db 0.5290
RFQ
 ECAD 1361 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdna25yzp3db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 360 Ma - 1.50 mm 34V 180 Ma 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 510lm (typ) 85 ° C 83 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF27YZT3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf27yzt3db 4.0000
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf27 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnf27yzt3db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.08a - 1.50 mm 34V 540ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2581lm (typ) 85 ° C 141 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF27YZV3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf27yzv3db 3.5900
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnf27yzv3db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.08a - 1.50 mm 34V 540ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2413LM (typ) 85 ° C 131 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM251ZU3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zu3db 7.0538
RFQ
 ECAD 8519 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnm251zu3db EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 3.24a - 1.50 mm 51.1V 1.62a 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 12852LM (TÍP) 85 ° C 155 lm/w 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE25YZQ3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne25yzq3db 1.8060
RFQ
 ECAD 4971 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdne25yzq3db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 900mA - 1.50 mm 34V 450 mm 115 ° 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse 2529lm (typ) 85 ° C 165 lm/w 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG27YZW3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng27yzw3db 5.2000
RFQ
 ECAD 245 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdng27yzw3db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.44a - 1.50 mm 34V 720 mm 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 3048LM (typ) 85 ° C 125 lm/w 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNL251ZP3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl251zp3db 5.4508
RFQ
 ECAD 4577 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl251 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnl251zp3db EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.16a - 1.50 mm 51.1V 1.08a 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 8855lm (TÍP) 85 ° C 160 lm/w 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK25YZR3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk25yzr3db 7.4300
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnk25yzr3db EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.16a - 1.50 mm 34V 1.08a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 6113lm (typ) 85 ° C 166 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNL251ZR3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl251zr3db 10.2500
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl251 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnl251zr3db EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.16a - 1.50 mm 51.1V 1.08a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 8949lm (TÍP) 85 ° C 162 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
BXRE-40E1000-C-83 Bridgelux BXRE-40E1000-C-83 5.0500
RFQ
 ECAD 595 0.00000000 Bridgelux V Series ™ Gen 8 Tubo Activo - Chip A Bordo (COB) - Bxre-40 Blanco, neutral descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 976-BXRE-40E1000-C-83 EAR99 8541.41.0000 30 Cuadrado - - - 30.7V 300mA - 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1688lm (typ) 25 ° C 182 lm/w 80 10.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
BXRE-27G2000-B-83 Bridgelux BXRE-27G2000-B-83 6.9600
RFQ
 ECAD 447 0.00000000 Bridgelux V Series ™ Gen 8 Tubo Activo - Chip A Bordo (COB) - BXRE-27 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 976-BXRE-27G2000-B-83 EAR99 8541.41.0000 25 Cuadrado - - - - - - 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse - 25 ° C 139 LM/W 90 Dia de 13.00 mm Departamento de Departamento
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar