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Sensores óctos (1699)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Potencia - Max	Tipo de Salida	Voltaje - Suministro	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Detección de proximidad	Configuración de salida	Método de Detección	Tamaña de Píxel	Matriz de Píxeles Activo	Marcos por Segundo	Longitud de Onda	Orientación	Ángulo de Visión	Current - DC Forward (IF) (Max)	Distancia de Deteca	Tiempo de Respuesta	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Current - Dark (ID) (Max)	Tipo de diodo	Color - Mejorado	Rango	Capacidad de capacidad @ nm	Current - Dark (typ)	Área activa
KAF-1001-AAA-CB-B1	-	RFQ	1110	onde	-	Una granela	Activo					KAF-1001					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	1
AR0233ATSC17XUEA1-DPBR	51.7200	RFQ	1920	onde	-	Banda	Activo	-		80 lbGa	CMOS				-	80-IBGA (10x10)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	488-AR0233ATSC17XUEA1-DPBR			210				3 µm x 3 µm	2048H x 1280V	60
21076-902-EP	-	RFQ	9474	onde	-	Una granela	Obsoleto	-	-	-	-	21076		-	-	-	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1	-						-
AR0130CSSC00SPBA0-DP1	-	RFQ	8536	onde	-	Banda	Obsoleto	-30 ° C ~ 70 ° C		48 LCC	CMOS	AR0130			1.7V ~ 1.95V, 2.5V ~ 3.1V	48-PLCC (11.43x11.43)	descascar	ROHS3 Cumplante	4 (72 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	152				3.75 µm x 3.75 µm	1280H x 960V	45
KAI-11002-ABA-CR-B1	3.0000	RFQ	6959	onde	-	Una granela	Descontinuado en sic	-50 ° C ~ 70 ° C (TA)		Módulo de 40 CDIP	CCD	Kai-11002			14.5V ~ 15.5V	40 CDIP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	1				9 µm x 9 µm	4008H x 2672V	3
QVB21113	-	RFQ	3238	onde	-		Obsoleto		A Través del Aguetero, Brida	Módulo, Alfileres de PC, Tipo de Ranura		QVB211					descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.49.8000	50
AR0230ATSC00XUEA0-DRBR	-	RFQ	8044	onde	-	Banda	Obsoleto			80 lbGa		AR0230				80-IBGA (10x10)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	2.400
MT9M001C12STM-TP	-	RFQ	7865	onde	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C		48-Clcc	CMOS CON Procesador	MT9M001			3V ~ 3.6V	48-CLCC (14.22x14.22)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	850				5.2 µm x 5.2 µm	1280H x 1024V	30
MT9V022IA7ATM	15.6000	RFQ	3197	onde	DigitalClarity®	Banda	Obsoleto			Módulo de 52 lbga	CMOS				3.3V	52-IBGA (9x9)	descascar	No Aplicable				EAR99	8542.39.0001	2				6 µm x 6 µm	752H x 480V	60
AR0230ATSC00XUEA0-TPBR	-	RFQ	1264	onde	Automotriz, AEC-Q100	Banda	Obsoleto	-		80-BGA	CMOS	AR0230			-	80-IBGA (10x10)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	2,000				3 µm x 3 µm	1928h x 1088v	30
MicroFC-30035-SMT-TR1	53.4400	RFQ	158	onde	Sipm de la Serie C	Banda	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo		Microfc					descascar	ROHS3 Cumplante	4 (72 Horas)	Alcanzar sin afectado	MicroFC-30035-SMT-TR1OS	EAR99	8541.49.1050	1							420 nm		-			600ps	24.7 V				Avalancha	Azul	300 nm ~ 950 nm	-	154NA	9 mm²
NOIX4SN2000B-LTI1	145.4900	RFQ	4	onde	-	Banda	Activo	-		163-bclga	CMOS				-	163-ilga (16x16)	descascar	ROHS3 Cumplante	4 (72 Horas)	Alcanzar sin afectado	488-Noix4Sn2000B-LTI1			4				3.2 µm x 3.2 µm	1920h x 1200V	220
QVL21653	-	RFQ	3778	onde	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C	A Través del Aguetero	Módulo, Alfileres de PC, Tipo de Ranura	No Amplificado	QVL216					descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	QVL21653-NDR	EAR99	8541.49.8000	50		Fototransistor	Cría							50 Ma	0.787 "(20 mm)	-		30 V	20 Ma
H21A1	-	RFQ	4306	onde	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero, Brida	Pins Ranurados, PC	No Amplificado	H21A					descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.49.9500	50		Fototransistor	Cría							50 Ma	0.118 "(3 mm)	8 µs, 150 µs		30 V	20 Ma
MT9D131C12STC-TP	-	RFQ	8458	onde	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-30 ° C ~ 70 ° C		48-Clcc	CMOS CON Procesador	MT9D131			1.7V ~ 1.95V	48-CLCC (14.22x14.22)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	2832-MT9D131C12STC-TPTR	EAR99	8542.39.0001	850				2.8 µm x 2.8 µm	1600h x 1200V	15
AR0136AT3C00XUEA0-DRBR	32.7300	RFQ	2	onde	-	Banda	Activo	-		63 lbGa	CMOS	AR0136			-	63-IBGA (9x9)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	2.600				3.75 µm x 3.75 µm	1280H x 960V	60
QRC1113	-	RFQ	6229	onde	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C	A Través del Aguetero	Montura de PCB		QRC111		Fototransistor			descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	QRC1113-NDR	EAR99	8541.49.8000	50			Pensativo							50 Ma	0.150 "(3.81 mm)	8 µs, 8 µs		30 V	20 Ma
MT9V034C12STM-DP1	25.2000	RFQ	5082	onde	-	Banda	Obsoleto	-30 ° C ~ 70 ° C		48-PLCC	CMOS	MT9V034			3V ~ 3.6V	48-PLCC (11.43x11.43)	descascar	ROHS3 Cumplante	4 (72 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	152				6 µm x 6 µm	752H x 480V	60
KDT00030ATR	0.8100	RFQ	5	onde	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	2-SMD, J-LEAD		KDT00030					descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.49.7080	3.000							630 nm	Vista superior	-					6 V	1.1 Ma	40 na
KAI-02050-FBA-JB-B2-T	-	RFQ	5721	onde	-	Banda	Obsoleto	-50 ° C ~ 70 ° C (TA)		68-BPGA	CCD	Kai-02050			14.5V ~ 15.5V	68-PGA (33x20)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	192				5.5 µm x 5.5 µm	1600h x 1200V	68
QSB363YR	0.3131	RFQ	5803	onde	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	2-SMD, Yugo Curvado		QSB363	75 MW				descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.49.7080	1,000							940 nm	Vista superior	24 °					30 V		100 na
ASX344ATSC00XUEA0-TRBR	11.8044	RFQ	3411	onde	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-		63 lbGa	CMOS	Asx344			-	63-IBGA (9x9)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	2,000				5.6 µm x 5.6 µm	-	60
KAI-1020-AAA-JP-BA	-	RFQ	4128	onde	-	Una granela	Obsoleto	-50 ° C ~ 70 ° C (TA)		68-BPGA	CCD	Kai-1020			14.5V ~ 15.5V	68-PGA (29.46x29.46)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	1				7.4 µm x 7.4 µm	1000h x 1000V	30
AR0261CSSC30SMD20	-	RFQ	7623	onde	-	Banda	Obsoleto	-		-	CMOS	AR0261			-	-	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	1				1.4 µm x 1.4 µm	-	60
KAI-04022-CBA-CD-BA	-	RFQ	1620	onde	-	Una granela	Obsoleto	-50 ° C ~ 70 ° C (TA)		Módulo de 34 CDIP	CCD	Kai-04022			14.5V ~ 15.5V	34 CDIP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-kai-04022-cba-cd-ba-on	EAR99	8542.39.0001	1				7.4 µm x 7.4 µm	2048H x 2048V	16
KAI-47051-FXA-JD-B2	-	RFQ	3498	onde	-	Banda	Activo	-50 ° C ~ 70 ° C (TA)		201-BPGA	CCD	Kai-47051			14.5V ~ 15.5V	201-PGA (89.96x44.55)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	1				7.4 µm x 7.4 µm	8856H x 5280V	7
AR0330CM1C12SHKA0-CP	23.1400	RFQ	1	onde	-	Banda	Activo	-30 ° C ~ 70 ° C (TJ)		64-vfbga, cspbga	CMOS	AR0330			1.7V ~ 1.9V	64-CSP (6.28x6.65)	descascar	ROHS3 Cumplante	5 (48 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	2,000				2.2 µm x 2.2 µm	2304H x 1296V	60
Microfj-30035-tsv-tr	25.6200	RFQ	2	onde	Sipm de la Serie J	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C	Montaje en superficie	8-WBGA		Microfj					descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.49.1050	3.000							420 nm		-			110PS	24.7 V				Avalancha	-	200 nm ~ 900 nm	-	1.9 µA	9.43 mm²
AR0141CS2C00SUEA0-DP	-	RFQ	6207	onde	-	Banda	Obsoleto	-30 ° C ~ 70 ° C (TA)		63 lbGa	CMOS	AR0141			1.7V ~ 1.95V	63-IBGA (9x9)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	2.600				3 µm x 3 µm	1280H x 800V	60
KAI-16070-FXA-JD-B2	-	RFQ	1903	onde	-	Una granela	Obsoleto	-50 ° C ~ 70 ° C (TA)		71-BCPGA	CCD	Kai-16070			14.5V ~ 15.5V	72-CPGA (47.24x45.34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	1				7.4 µm x 7.4 µm	4864H x 3232V	2

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