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Imaginación	Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Ecada	Cantidad Disponible	Peso (kg)	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Potencia - Max	Voltaje - Suministro	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración de salida	Método de Detección	Tipo de sensor	Tamaña de Píxel	Matriz de Píxeles Activo	Marcos por Segundo	Longitud de Onda	Orientación	Ángulo de Visión	Current - DC Forward (IF) (Max)	Distancia de Deteca	Tiempo de Respuesta	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Current - Dark (ID) (Max)
	QSE773E3R0	0.4000	RFQ		80	0.00000000	Semiconductor de fairchild	*	Una granela	Activo									descascar					EAR99	8542.39.0001	743
	QSE133	1.0000	RFQ		3300	0.00000000	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 100 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Radial, vista lateral			100 MW			descascar					EAR99	8542.39.0001	1							880 nm	Vista lateral	50 °				30 V		100 na
	5192	-	RFQ		4048	0.00000000	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	-10 ° C ~ 50 ° C		Variante to-5, 3 cables, lente de metal de lente						descascar					EAR99	8541.49.8000	48			Movimiento, Piroeléctrico, Pir (Infrarrojo Pasivo)
	L14N1	-	RFQ		1597	0.00000000	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 125 ° C (TA)	A Través del Aguetero	TO-206AA, a 18-3 Lata de metal			300 MW			-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.41.0000	500							880 nm	Vista superior	80 °				30 V		100 na
	QSD733C	0.0900	RFQ		3320	0.00000000	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Obsoleto	-	A Través del Aguetero	A 18-2			100 MW			descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.49.7080	186							880 nm	Vista superior	40 °				30 V		100 na
	QVB11134	1.0000	RFQ		2388	0.00000000	Semiconductor de fairchild	QVB	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C	A Través del Aguetero, Brida	Módulo, Alfileres de PC, Tipo de Ranura	No Amplificado					descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.49.8000	50	Fototransistor	Cría								50 Ma	0.125 "(3.18 mm)	-	30 V	40 Ma
	KAI-02150-QBA-JD-BA	504.1300	RFQ		3	0.00000000	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	-50 ° C ~ 70 ° C (TA)		67-BCPGA	CCD	Kai-02150		14.5V ~ 15.5V	67-CPGA (33.02x20.07)	descascar	No Aplicable	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.49.9500	1				5.5 µm x 5.5 µm	1200H x 1080V	64
	Moc70p2	0.7000	RFQ		67	0.00000000	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero, Brida	Pins Ranurados, PC	No Amplificado					descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.49.8000	430	Fototransistor	Cría								50 Ma	0.200 "(5.08 mm)	20 µs, 80 µs	30 V	20 Ma
	Moc70p1	0.6400	RFQ		1	0.00000000	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero, Brida	Pins Ranurados, PC	No Amplificado					descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.49.8000	466	Fototransistor	Cría								50 Ma	0.200 "(5.08 mm)	20 µs, 80 µs	30 V	20 Ma
	QSE113	-	RFQ		6850	0.00000000	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Radial, vista lateral			100 MW			-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-QSE113-600039			1							880 nm	Vista lateral	50 °				30 V	1.5 Ma	100 na
	QSE773	0.3700	RFQ		1	0.00000000	Semiconductor de fairchild	*	Una granela	Activo									descascar					EAR99	8542.39.0001	802
	BPW38	-	RFQ		9960	0.00000000	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 125 ° C (TA)	A Través del Aguetero	TO-206AA, a 18-3 Lata de metal			300 MW			descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.49.7080	500							880 nm	Vista superior	18 °				25 V		100 na
	QCK5	-	RFQ		2141	0.00000000	Semiconductor de fairchild	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	No Amplificado					descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.49.8000	237	Fototransistor	Cría								50 Ma	0.157 "(4 mm)	8 µs, 50 µs	30 V

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