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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Real - Suministro (Max) Alta Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo) FRECUENCIA - Salida 1 FRECUENCIA - Salida 2 FRECUENCIA - Salida 3 FRECUENCIA - Salida 4
DSC6101JI2A-024.8060T Microchip Technology DSC6101JI2A-024.8060T 1.0800
RFQ
 ECAD 994 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 24.806 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - 80 µA (tipos)
DSC1001CI2-133.0000T Microchip Technology DSC1001CI2-133.0000T 1.4200
RFQ
 ECAD 8480 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 133 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 16.6MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSC6001HE2A-014.7456T Microchip Technology DSC6001HE2A-014.7456T 1.2500
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tape & Reel (TR) Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 14.7456 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6001HE2A-018.4320T Microchip Technology DSC6001HE2A-018.4320T 1.2500
RFQ
 ECAD 415 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tape & Reel (TR) Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 18.432 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6121HI2A-00AET Microchip Technology DSC6121HI2A-00AET 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 4-Vflga Xo (Estándar) CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (typ) 0.035 "(0.89 mm) Mems ± 25ppm 20MHz, 25MHz - - -
DSC6301CI2CA-036.0000T Microchip Technology DSC6301CI2CA-036.0000T 1.2500
RFQ
 ECAD 939 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC63XX Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 36 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - 80 µA (tipos)
DSC6331JI2LA-026.0000T Microchip Technology DSC6331JI2LA-026.0000T -
RFQ
 ECAD 8422 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC63XX Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 26 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (typ) Mems ± 25ppm - -3.00%, Rasteo Hacia Abajo 80 µA (tipos)
DSC6013JE2A-025.0000 Microchip Technology DSC6013JE2A-025.0000 -
RFQ
 ECAD 4220 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6001CI1A-011.2896 Microchip Technology DSC6001CI1A-011.2896 1.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 11.2896 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm ± 50ppm - -
DSC6021CI2A-009V Microchip Technology DSC6021CI2A-009V 0.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 4-vdfn Xo (Estándar) CMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 - 1.3MA (typ) 0.035 "(0.90 mm) Mems ± 25ppm 74.1758MHz, 74.25MHz - - -
DSC6331JI2AA-026.0000 Microchip Technology DSC6331JI2AA-026.0000 1.2200
RFQ
 ECAD 167 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC63XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 26 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 - 3MA (typ) Mems ± 25ppm - ± 0.25%, Propagación Central 80 µA (tipos)
DSC6331JI2GA-026.0000 Microchip Technology DSC6331JI2GA-026.0000 -
RFQ
 ECAD 9863 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC63XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 26 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 140 - 3MA (typ) Mems ± 25ppm - -0.25%, Propagación Hacia Abajo 80 µA (tipos)
DSC6331JI2LA-027.0000 Microchip Technology DSC6331JI2LA-027.0000 -
RFQ
 ECAD 5735 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC63XX Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 27 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 - 3MA (typ) Mems ± 25ppm - -3.00%, Rasteo Hacia Abajo 80 µA (tipos)
DSC1001CL5-100.0000 Microchip Technology DSC1001CL5-100.0000 3.0500
RFQ
 ECAD 9687 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSC1001 100 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 16.6MA Mems ± 10ppm ± 10ppm - 15 µA
DSC1101DL5-050.0000 Microchip Technology DSC1101DL5-050.0000 2.8900
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1101 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSC1101 50 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 95 µA Mems ± 10ppm ± 10ppm - -
DSC612RI3A-010JB Microchip Technology DSC612RI3A-010JB -
RFQ
 ECAD 6388 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC612 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 6-vflga Xo (Estándar) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 3.000 Habilitar/deshabilitar 6mA 0.035 "(0.89 mm) Mems ± 20ppm 1.5 µA 24MHz 32.768 kHz - -
DSC1121DI5-034.3680T Microchip Technology DSC1121DI5-034.3680T -
RFQ
 ECAD 6968 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1121 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSC1121 34.368 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 35mA Mems ± 10ppm - - 22 MA
DSC6112CI1A-070.0000T Microchip Technology DSC6112CI1A-070.0000T -
RFQ
 ECAD 8724 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) 70 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 50ppm - - 80 µA (tipos)
DSC612RA3A-010S Microchip Technology DSC612RA3A-010S -
RFQ
 ECAD 2860 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC612 Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 6-vflga Xo (Estándar) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 6mA 0.035 "(0.89 mm) Mems ± 20ppm 25MHz 26MHz - -
DSC6183CI2A-453K000 Microchip Technology DSC6183CI2A-453K000 -
RFQ
 ECAD 4629 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) 453 kHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 - 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC6183MI2A-000K000T Microchip Technology DSC6183MI2A-000K000T -
RFQ
 ECAD 9807 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) CMOS 1.8v ~ 3.3V - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSA1001DL1-033.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL1-033.00000000TVAO -
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1001 33 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 10.5MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSA1001DL1-125.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL1-125.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 2594 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1001 125 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSA1001DL2-066.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL2-066.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 1601 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1001 66 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 10.5MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSA1001DL2-072.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL2-072.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 8434 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) DSA1001 72 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 10.5MA Mems ± 25ppm - - 15 µA
DSA1101CL2-033.3300VAO Microchip Technology DSA1101CL2-033.3300VAO -
RFQ
 ECAD 4880 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1101 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSA1101 33.33 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 25ppm - - 95 µA
DSA1121CA2-008.0000VAO Microchip Technology DSA1121CA2-008.0000VAO -
RFQ
 ECAD 5901 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1121 Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSA1121 8 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 25ppm - - 22 MA
DSA1121CA2-040.0000TVAO Microchip Technology DSA1121CA2-040.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1121 Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSA1121 40 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 25ppm - - 22 MA
DSA1121DI3-033.3333VAO Microchip Technology Dsa1121di3-033.333333vao -
RFQ
 ECAD 5420 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1121 Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSA1121 33.3333 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 20ppm - - 22 MA
DSA1125DA1-033.3333TVAO Microchip Technology Dsa1125da1-033.333333tvao -
RFQ
 ECAD 4355 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1125 Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSA1125 33.3333 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 50ppm - - 22 MA
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