SIC
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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Calificaciones Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Productora Voltaje - Suministro Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Real - Suministro (Max) Alta Base de resonancia Estabilidad de Frecuencia Rango de Extracció Absoluta (APR) Difundir el Ancho de Banda del Espectro Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo) FRECUENCIA - Salida 1 FRECUENCIA - Salida 2 FRECUENCIA - Salida 3 FRECUENCIA - Salida 4
DSC6311JI1DB-100.0000 Microchip Technology DSC6311JI1DB-100.0000 -
RFQ
 ECAD 7196 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC63XX Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 100 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6311JI1DB-100.0000 EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 50ppm - ± 1.50%, Propagación Central 1,5 µA (Típico)
DSA1001DL3-033.3330TVAO Microchip Technology DSA1001DL3-033.3330TVAO -
RFQ
 ECAD 8637 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1001 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) 33.333 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA1001DL3-033.3330TVAOTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 20ppm - - 15 µA
DSA6011HL2B-032K768VAO Microchip Technology DSA6011HL2B-032K768VAO -
RFQ
 ECAD 2015 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsa60xx Bolsa Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) 32.768 kHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA6011HL2B-032K768VAO EAR99 8542.39.0001 100 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - 1,5 µA (Típico)
DSA6001JL2B-027.0000TVAO Microchip Technology DSA6001JL2B-027.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 8805 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsa60xx Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) DSA6001 27 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA6001JL2B-027.0000TVAOTR EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC1121AI1-100.0000 Microchip Technology DSC1121AI1-100.0000 -
RFQ
 ECAD 4010 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1121 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla Xo (Estándar) 100 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1121AI1-100.0000 EAR99 8542.39.0001 50 Habilitar/deshabilitar 35mA Mems ± 50ppm - - 22 MA
DSC6311JI2EB-018.4320T Microchip Technology DSC6311JI2EB-018.4320T -
RFQ
 ECAD 5450 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC63XX Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 18.432 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6311JI2EB-018.4320TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 25ppm - ± 2.00%, Propagación Central 1,5 µA (Típico)
DSA6101JI2B-032K768VAO Microchip Technology DSA6101JI2B-032K768VAO -
RFQ
 ECAD 6173 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsa61xx Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 32.768 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA6101JI2B-032K768VAO EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - - -
DSC1201CI2-28M63636 Microchip Technology DSC1201CI2-28M63636 -
RFQ
 ECAD 9012 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC12X1 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) 28.63636 MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1201CI2-28M63636 EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 27 Ma (typ) Mems ± 25ppm - - 5 µA
DSA6311MA2CB-008.0000VAO Microchip Technology DSA6311MA2CB-008.0000VAO -
RFQ
 ECAD 8235 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsa63xx Bolsa Activo -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) 8 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA6311MA2CB-008.0000VAO EAR99 8542.39.0001 100 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 25ppm - ± 1.00%, Propagación Central 1,5 µA (Típico)
DSA1101DL3-016.0000TVAO Microchip Technology DSA1101DL3-016.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 6189 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1101 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) 16 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA1101DL3-016.0000TVAOTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 20ppm - - 95 µA
DSC1223DA2-156M2500 Microchip Technology DSC1223DA2-156M2500 -
RFQ
 ECAD 6320 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC12X3 Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) DSC1223 156.25 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1223DA2-156M2500 EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 32MA (typ) Mems ± 25ppm - - 23 Ma (typ)
DSA6331JI1CB-027.0000TVAO Microchip Technology DSA6331JI1CB-027.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 7508 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsa63xx Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) 27 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA6331JI1CB-027.0000TVAOTR EAR99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (typ) Mems ± 50ppm - ± 1.00%, Propagación Central -
DSC1001CI5-013.5000 Microchip Technology DSC1001CI5-013.5000 -
RFQ
 ECAD 8112 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 13.5 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1001CI5-013.5000 EAR99 8542.39.0001 110 En Espera (Potencia) 6.5mA Mems ± 10ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-038.0000T Microchip Technology DSC1001DI1-038.0000T -
RFQ
 ECAD 9327 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) 38 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1001DI1-038.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1001BE1-033.3333T Microchip Technology Dsc1001be1-033.333333t -
RFQ
 ECAD 2783 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) 33.3333 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1001BE1-033.333333TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC6011JE1B-027.0000 Microchip Technology DSC6011JE1B-027.0000 -
RFQ
 ECAD 6775 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XXB Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) 27 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6011JE1B-027.0000 EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - 1.5 µA
DSC6301JE2AB-050.0000 Microchip Technology DSC6301JE2AB-050.0000 -
RFQ
 ECAD 8378 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc63xxb Tubo Activo -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) 50 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6301JE2AB-050.0000 EAR99 8542.39.0001 140 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 25ppm - ± 0.25%, Propagación Central -
DSC6011MA1B-032K768 Microchip Technology DSC6011MA1B-032K768 -
RFQ
 ECAD 2916 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XXB Bolsa Activo -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) 32.768 kHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6011MA1B-032K768 EAR99 8542.39.0001 100 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 50ppm - - 1.5 µA
DSC1221CI2-25M00062T Microchip Technology DSC1221CI2-25M00062T -
RFQ
 ECAD 5880 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC12X1 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) 25.00062 MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1221CI2-25M00062TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 27 Ma (typ) Mems ± 25ppm - - 23 Ma (typ)
DSC6331JA2AB-004.0000T Microchip Technology DSC6331JA2AB-004.0000T -
RFQ
 ECAD 7248 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc63xxb Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) 4 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6331JA2AB-004.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (typ) Mems ± 25ppm - ± 0.25%, Propagación Central -
DSC1123BL2-250.0000 Microchip Technology DSC1123BL2-250.0000 -
RFQ
 ECAD 8605 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1123 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) 250 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1123BL2-250.0000 EAR99 8542.39.0001 72 Habilitar/deshabilitar 32MA Mems ± 25ppm - - 22 MA
DSC1001DI1-069.1200 Microchip Technology DSC1001DI1-069.1200 -
RFQ
 ECAD 6135 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC1001 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 4-vdfn Xo (Estándar) 69.12 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1001DI1-069.1200 EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 8 MA Mems ± 50ppm - - 15 µA
DSC1223NI1-156M2500 Microchip Technology DSC1223NI1-156M2500 -
RFQ
 ECAD 9960 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC12X3 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) 156.25 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1223NI1-156M2500 EAR99 8542.39.0001 50 Habilitar/deshabilitar 32MA (typ) Mems ± 50ppm - - 23 Ma (typ)
DSA1101DA1-025.0000VAO Microchip Technology DSA1101DA1-025.0000VAO -
RFQ
 ECAD 2499 0.00000000 Tecnología de Microchip DSA1101 Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) 25 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA1101DA1-025.00000000VAO EAR99 8542.39.0001 140 En Espera (Potencia) 35mA Mems ± 50ppm - - 95 µA
DSC6311MI2CB-008.0000T Microchip Technology DSC6311MI2CB-008.0000T -
RFQ
 ECAD 6127 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc63xxb Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063" W (2.00 mm x 1.60 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) 8 MHz LVCMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6311MI2CB-008.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 3MA (typ) Mems ± 25ppm - ± 1.00%, Propagación Central 1,5 µA (Típico)
DSA6011HL2B-032K768TVAO Microchip Technology DSA6011HL2B-032K768TVAO -
RFQ
 ECAD 2507 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsa60xx Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) 32.768 kHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSA6011HL2B-032K768TVAOTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - 1,5 µA (Típico)
DSC6013HI2B-048.0000T Microchip Technology DSC6013HI2B-048.0000T -
RFQ
 ECAD 3463 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC60XXB Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047" W (1.60 mm x 1.20 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-Vflga Xo (Estándar) 48 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6013HI2B-048.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 En Espera (Potencia) 1.3MA (typ) Mems ± 25ppm - - 1.5 µA
DSC2210FM2-A0030 Microchip Technology DSC2210FM2-A0030 -
RFQ
 ECAD 2431 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC2210 Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) 14-SMD, sin Plomo Xo (Estándar) LVCMOS 2.25V ~ 3.6V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC2210FM2-A0030 EAR99 8542.39.0001 110 Habilitar/deshabilitar 35mA 0.035 "(0.90 mm) Mems ± 25ppm 23 MA 50MHz 25MHz - -
DSC6101JL3B-027.0000T Microchip Technology DSC6101JL3B-027.0000T -
RFQ
 ECAD 9914 0.00000000 Tecnología de Microchip Dsc61xx Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) 0.035 "(0.89 mm) Montaje en superficie 4-vlga Xo (Estándar) 27 MHz CMOS 1.8v ~ 3.3V descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-DSC6101JL3B-027.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1,000 Habilitar/deshabilitar 3MA (typ) Mems ± 20ppm - - -
DSC1223BI1-200M0000 Microchip Technology DSC1223BI1-200M0000 -
RFQ
 ECAD 9357 0.00000000 Tecnología de Microchip DSC12X3 Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 6-vdfn Xo (Estándar) 200 MHz LVDS 2.25V ~ 3.63V - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-DSC1223BI1-200M0000 EAR99 8542.39.0001 72 Habilitar/deshabilitar 32MA (typ) Mems ± 50ppm - - 23 Ma (typ)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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